GaN基HEMT栅终端场板结构研究

制作了带有栅终端场板结构的GaN基HEMT,研究了击穿电压与场板长度的关系,提取了最佳场板长度为0.4,0.5,0.6μm时所对应的栅漏击穿电压最大,为120 V.研究了栅终端场板对器件小信号特性和大信号的影响,栅终端场板长度0.4μm时,器件特征频率及最大振荡频率减小量最小.在栅宽1 mm、频率8 GHz、无场板器件最大工作电压28 V时,连续波输出功率3.2 W,功率增益4.0 dB,功率附加效率17.0%;栅终端场板器件最大工作电压38 V时,连续波输出功率5.1 W,功率增益4.1 dB,功率附加效率21.0%.     

Si衬底上5.1W/mm功率密度的GaN HEMT

利用MOCVD技术在Si（111）衬底上生长了高质量的GaN HEMT材料,1μm厚GaN外延层XRD（002）摇摆曲线半高宽573″,（102）摇摆曲线半高宽668″。通过插入层技术实现2μm厚GaN HEMT材料无裂纹,室温二维电子气迁移率1350cm^2/（V.s）,方块电阻328Ω/□.1mm栅宽GaN微波功率器件饱和电流大于0.8A/mm,跨导大于250mS/mm,2GHz下最大连续波输出功率5.1W,增益9.1dB,附加效率达到35%。     

一种基于SCARS策略的近红外特征波长选择方法及其应用

针对近红外光谱数据的内在特点,提出了一种基于稳定性竞争自适应重加权采样(stability competitive adaptive reweighted sampling, SCARS)策略的近红外特征波长优选方法。该方法以PLS模型回归系数的稳定性作为变量选择的依据,其过程包含多次循环迭代,每次循环均首先计算相应变量的稳定性,而后通过强制变量筛选以及自适应重加权采样技术(ARS)进行变量筛选;最后对每次循环后所得变量子集建立PLS模型并计算交互验证均方根误差(RMSECV),将RMSECV值最小的集合作为最优变量子集。利用饲料蛋白固态发酵过程近红外光谱数据集对所提方法进行了验证,并与基于PLS的蒙特卡罗无信息变量消除法(MC-UVE)和竞争自适应重加权采样(CARS)方法所得结果进行了比较。试验结果显示： 建立在SCARS方法优选的21个特征波长变量基础上的PLS模型预测效果更好,其预测均方根误差(RMSEP)和相关系数(R_p)分别为0.054 3和0.990 8;该优选策略能有效地增强固态发酵光谱数据特征波长变量选择的准确性和稳定性,提高了模型的预测精度,具有一定的应用价值。     

连续波80W大功率SiC MESFET

在高纯半绝缘(HPSI)衬底上外延生长了SiC材料,自主开发了SiC MESFET器件制作工艺,实现了单胞栅宽27 mm芯片的制作。优化了芯片装配形式,通过在管壳内外引入匹配网络提升了芯片输入阻抗及输出阻抗。利用管壳外电路匹配技术,采用管壳内匹配及外电路匹配相结合的方法对器件阻抗进行了进一步提升。优化了管壳材料结构,采用无氧铜材料提高了管壳散热能力。采用水冷工作的方式解决了大功率器件散热问题,降低了器件结温,可靠性得到提高。采用多胞芯片匹配合成技术,实现四胞4×27 mm芯片大功率合成。四胞芯片封装器件在连续波工作频率为2 GHz、Vds为37.5 V时连续波输出功率达80.2 W(49.05 dBm),增益为7.0 dB,效率为32.5%。     

奥图码HD86 1080p家庭影院投影机——华丽亮相白天鹅音响展

一年一度的白天鹅音响展在广州拉开了帷幕,大大小小的音响、影音厂商高调参展,展会也吸引了众多资源玩家、发烧友和大众消费者的关注。来自全球DLP投影机的领导品牌奥图码（Optoma）也携带旗下高端家用投影机产品亮相其中。     

2.45GHz电子射频标签模拟前端芯片的研制

分析了RFID系统的组成和基本原理,针对超高频EPC C1G2协议,提出半无源及有源电子标签前端结构及参考电路,包括整流器、偏置单元、上电复位、解调、反向散射调制、振荡器等部分.采用多种方法,极大程度上实现了电路整体的低功耗,并且采取了限幅、ESD电路,保障了电路的稳定性.采用标准CMOS工艺,设计出了低功耗、低电压工作的2.45 GHz射频模拟前端芯片电路,芯片在0.8～1.8 V电压内均可正常工作.芯片的静态工作电流为2μA,芯片工作时,平均工作电流约为65μA.     

L波段350W AlGaN/GaN HEMT器件研制

基于高纯半绝缘碳化硅衬底,采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)外延材料.室温下霍尔测试结果表明,外延层二维电子气迁移率为1 950cm2/ (V·s),方块电阻为350 Ω,电阻均匀性为3％.通过优化工艺降低了欧姆接触电阻,提高了器件工作效率.采用源场板结合栅场板的双场板技术和增大源漏间距,提高了器件击穿电压.优化了背面减薄和背面通孔技术,提高了器件散热能力.采用阻抗匹配技术提升了芯片阻抗.最终采用预匹配技术和金属陶瓷封装技术成功制作50 mm栅宽的AlGaN/GaNHEMT器件.直流测试结果表明,器件击穿电压高达175 V.微波测试结果表明,在50 V工作电压、1.3 GHz下,器件输出功率达350 W,功率附加效率达81％,功率增益大于13 dB.     

走向前台的“隐形冠军”

2013年7月1日,来自全国各地的媒体来到江苏吴江丽讯投影机生产基地,这一次采访活动,媒体不仅参加了丽讯新品发布会,参观了丽讯投影机生产线,还与台达电子视讯事业部总经理傅洁、丽讯中国区CEO林中庸、网庭影音机构董事长张庆红、网庭影音机构总经理王宇鹏等重要人物进行了座谈.在座谈会上,来自丽讯和网庭的高管们详细回答了各地媒体提出的关于产品、品牌、推广、渠道等多方面的问题. 媒体:请问台达在LED投影的开发方面处于一个什么样的状态? 台达电子视讯事业部总经理傅洁:LED最早是出现在家用市场,但是发现因为价格的因素,家用市场的接受度比较低,所以我们就把高阶的LED产品转到专业市场,变成工业用途.     

JHDMI线缆命名规范及意义

之所以花费千字以上篇幅介绍HDMI线缆命名规范,就是为了想给消费者提供一个鉴别HDMI线材品质的最简单的标准,让消费者能够以最经济的投入,买到最适合自己的HDMI线材.市场上的HDMI线材品牌种类繁多,价格差异巨大,但只要了解了上述背景知识,如何进行选择就不再是难事. 在过去几年,HDMI线缆外包装上标志的"1.3""1.4"等版本号从最初单纯的规格提示逐渐演变为线缆制造商的市场推销手段,让消费者对HDMI线缆的认知产生了极大的混乱,其中最常见的认知错误是,版本的高低被等同于线缆本身品质和性能的单一衡量标准.有鉴于此,HDMI论坛在2010年发布1.4a版规范时同时发布了新版HDMI商标和Logo使用规范,其中规定HDMI线缆制造商在销售和宣传HDMI 1.4版标准线缆时,禁止使用版本号标识,而代之以5类规范名称,它们分别是:     

聚乙烯醇-亚硝基R盐-硫酸铵体系中非有机溶剂萃取光度法测定钴

本文利用钴 ( ) -聚乙烯醇 -亚硝基 R盐 -硫酸铵体系的析相光度法测定钴 ( ) ,最适宜的酸度为p H5 .0 (Na Ac- HAc)缓冲溶液 ,其络合物的最大吸收位于 4 18nm处 ,表观摩尔吸光系数为 3.5 6× 10 4 L·mol-1·cm-1,钴的浓度在 0— 2 0 μg/m L范围内符合比耳定律。本法用于合成样品中微量钴的测定。结果令人满意。