Chemical composition analysis for laser solid forming of titanium alloys from blended elemental powders

Laser solid forming （LSF） from blended elemental powders is an advanced technique to investigate new alloy systems and to create innovative materials. Accurate composition control is critical for the applications of this technique. In this letter, the composition analysis is performed on LSF titanium alloys from blended Ti, Al, and V powders. It is found that the composition of as-deposited sample can be controlled by keeping the identity of the divergence angle of each elemental powder stream. Based on the consistency condition for divergence angles of different elemental powder streams, the matching relation among the Ti, Al, and V powder characteristics （particle size and density） can be obtained, which ensures the consistency in composition between the laser deposits and the blended elemental powders under different laser processing parameters.     

化学史融入初中化学教学现状的调查与对策研究

为了准确掌握内蒙古地区化学史融入初中化学实际教学的现状与不足。研究选取内蒙古地区10所初中的603名学生和38所初中的113名初中化学教师进行了问卷调查。结果表明内蒙古初三学生对化学史有较浓厚的兴趣,渴望通过化学史知识的学习激发学习化学的兴趣、理清知识脉络、提高创新探究能力、学会科学研究方法,而当前化学教学中存在化学史教学方法单一、化学史融入教学的程度较低、应试教育严重限制化学史教学的开展等诸多问题。针对存在的问题,研究提出化学史融入中学化学教学的"四线式"教学模式,以期改观内蒙古地区化学史融入初中化学实际教学的现状。     

用于单片机的新型存储器

在单片机系统中,所使用的芯片越少,系统的可靠性、抗干扰性就越好。本文介绍的存储器把单片机必须用的地址锁存器集成在芯片的内部了。使用这种存储器可使单片机系统的可靠性、抗干扰性提高。下面将分别介绍一下这种新型存储器。 一、带有地址锁存器的EPROM。 Intel公司的87C64、87C256是带有地址锁存器的CMOS EPROM,容量分别为8KB和32KB,采用的封装方式、引脚数量与常用的27C64、27C256相同,它们唯一的差别是:27型的第20脚是CE;87型的第20脚是ALE/CE。87型的编程方法与相应的27型一样。87型存     

基于BU-61580总线控制器的接口及容错设计

针对RS-422接口与1553B总线接口无法直接进行高可靠性数据通信,提出了一种基于BU-61580总线控制器的接口及容错设计。设计采用1553B接口芯片BU-61580,通过FPGA控制完成了RS-422与1553B的接口控制及二者之间的数据处理。在硬件接口设计的基础上,设计IP-CORE完成BU-61580的芯片配置,并通过增加容错设计提高了总线控制器数据通的可靠性。经测试结果显示,计算机通过总线控制器与RT终端通信稳定、可靠,并应用于某测试系统中。     

盘状镝簇合物的合成及缓慢磁弛豫

利用稀土盐DyCl₃·6H₂O、双齿配体tmphen和[Mo^Ⅲ(CN)₇]^4-构筑块自组装得到镝的七核团簇化合物：[Dy^Ⅲ₇(tmphen)₁₂O₆(OH)₆Cl₂][Mo^Ⅵ(tmphen)O(CN)₃]₆Cl₇·66H₂O(1,tmphen=3,4,7,8-四甲基-1,10-菲咯啉),并对其进行了结构和磁性表征。晶体结构表明,化合物1的主体为七核镝形成的圆盘状结构,而[Mo^Ⅲ(CN)₇]^4-构筑块发生了氧化分解,形成了[Mo^Ⅵ(tmphen)O(CN)₃]⁺阳离子游离在晶格中。直流磁化率表明化合物由于存在量子隧穿弛豫路径,在低温下没有出现磁滞回线。交流磁化率表明,该化合物在零场下表现出缓慢磁弛豫的现象,具有单分子磁体的性质,其有效能垒为51.6K(35.8 cm^-1,τ₀=17μs)。