An Economical Magnetocardiogram System Based on High-To SQUIDs

An economical magnetocardiogram （MCG） system is built in our laboratory. It mainly consists of a MCG data acquisition stage equipped with two high-To superconducting quantum interference device （SQUID） magnetometers, a data processing stage with digital filtering and a one-layer μ-metal magnetically shielded room in conjunction with a high-Tc SQUID based active compensation. Experimental results show that a noise level of pico-tesla in MCG profiles, which is necessary for clinical applications, may be achieved with the system. Moreover, stable and convenient operations of the system are demonstrated with simulating MCG measurements.     

嵌置滤光器的光纤组件

光纤通信系统目前的发展趋势是扩大与传输波长相关的光纤组件的应用范围。新颖的光纤组件是由一只滤光器和一根单模光纤构成的，且有多种类形：嵌置滤光器的光纤带、嵌置滤光器的光纤连接器等。所有这些光纤组件都易于同单模光纤连接，而且插入损耗极小，结构紧凑、可靠性高。滤光器被插入垂于光纤轴的狭缝里，根据滤光器的特性选择所需的波长，这些简易的光纤组件业已投入实用。     

X波段50W高稳定Gunn脉冲源

Ｘ波段５０Ｗ高稳定Ｇｕｎｎ脉冲源黄振起，冯委，胡建凯（南京电子器件研究所，２１００１６）Ｘ－Ｂａｎｄ５０ＷＨｉｇｈＳｔａｂｉｌｉｔｙＧｕｎｎＰｕｌｓｅｄＳｏｕｒｃｅｓ￥ＨｕａｎｇＺｈｅｎｑｉ；ＦｅｎｇＷｅｉ；ＨｕＪｉａｎｋａｉ（ＮａｎｊｉｎｇＥｌｅｃ...     

溴代丙酮酸乙酯的新合成法

溴代丙酮酸乙酯的新合成法黄锦霞，徐章煌，方国苏（湖北大学化学系武汉４３００６２）溴代丙酮酸乙酯是一种重要的化学物质，广泛用于医药、农药及天然产物的合成中［１］。它的合成已报道的有三条路线￣［２－４］，这些方法存在的不足之处是：（１）收率均不高（分别为...     

硅直接键合工艺对晶片平整度的要求

本文用弹性力学近似，给出了键合工艺对硅片表面平整度的定量要求以及沾污粒子与孔洞大小洞的关系，并用Ｘ射线双晶衍射技术和红外透射图象对键合硅片进行了实验研究。     

一本能够体现“现代化”的教材——谈使用清华版《大学物理学》的体会

大学物理教学改革的一个重要方面是使教学内容“现代化”，精讲经典、加强近代、用新的知识体系组织教学内容、基础物理知识的讲授和在高新技术中的应用相结合能够使大学物理学充满活力地面向21世纪。举例介绍了清华版《大学物理学》教学内容方面的特点及使用中的一点体会。     

静电驱动悬臂梁数模转换器设计、分析与模拟

提出了一种新型的微电子机械数模转换器 (MEMDAC)———静电驱动悬臂梁数模转换器 .与传统的静电驱动悬臂梁执行器相比 ,新的结构能更精确地控制梁的挠度 .文中给出了此MEMDAC的设计、分析和模拟过程 .有限元(FEA)分析表明此MEMDAC的最大输出位移为 1 5 1μm ,分辨率为 0 1μm ,其最大非线性误差为 0 0 3μm .     

介绍两款实用工具软件

<正> Windows错误代码查询器”及磁盘碎片整理软件“NortonSpeed Dsk2002”,这两款软件均为免费的绿色软件,无需安装,只要把软件解压到指定的文件夹就可使用,而且都是汉化版,使用起来非常方便。下面就详细介绍一下这两款软件。 1.Windows错误代码查询器下载网     

例谈数学思考的收敛与发散

解数学题时,将注意力集中于问题本质特征的观察与分析,称之为数学思考的收敛性,将注意力转向于寻求一题多解、最佳解、一解多得等,则表现为数学思考的发散性,收敛的焦点在哪里?发散的途径有何规律?分析如下例题的思考过程,或许可见一斑。     

用质量分离的低能离子束外延法生长β-FeSi_2半导体外延膜的初步研究

采用质量分析的低能离子束外延法生长了半导体性质的β-FeSi_2外延薄膜.就我们所知,在用同类方法的研究中,国际上尚属首次.AES测量及RHEED观察肯定了外延的β-FeSi_2的存在;垂直入射的光透射谱又证实了外延膜是具有直接禁带的、禁带宽度为～0.84 eV的半导体性质的薄膜.室温下的霍耳迁移率μH达600 cm~2V~(-1)s~(-1),比文献报道高两个量级.