级联拉曼激光器的二阶近似解

利用非线性方法可以得到级联掺磷拉曼光纤激光器的二阶近似解.将描述抽运光和斯托克斯(Stokes)光沿光纤分布的微分方程组简化成代数方程组,在此基础上对抽运光采用二阶非线性近似得到了不同输入抽运功率情况下的近似解,并求出了在二阶非线性近似下的一级Stokes光和二级Stokes光的阈值表达式.利用得到的二阶近似解同一般的数值解法作比较,结果表明两者吻合得很好.一方面,对于双波长输出的级联掺磷拉曼光纤激光器,二阶方法比线性方法更加精确,更接近于一般的数值解;另一方面,该方法有效提高了数值运算速度,优于一般的数值方法.     

一种基于超短波地空通信的椭圆信道模型

在矢量信道环境中提出了一种基于超短波地空通信的椭圆信道模型,推导出了地面接收信号的标准多径时延和波达方向的概率密度函数,对标准多径时延、波达方向和接收功率进行了仿真,分析了V/UHF地空通信的信道特性,表明了多径效应对超短波地空通信的影响.     

IPTV系统中媒体数据接收控制的一种实现

IPTV已经成为未来电视及VOD技术发展的方向,系统介绍IPTV系统中数据流接收的一种实现过程,重点是RTP与一个类RTSP协议的配合,实现数据流的接收与控制。     

3300V 4H-SiC MOSFET 设计与加工

成功设计并制造了击穿电压超过3300V 的4H-SiC MOSFET。通过数字仿真优化了漂移层和DMOSFET有源区参数。漂移层N型外延厚度为33微米并且掺杂浓度为2.5E15cm-3。器件采用浮空场限制环作为终端。当栅极电压为20V,漏极电压为2.5V时,漏极电流为5A。     

信号特征参数实时识别技术在通信对抗中的应用

利用通信信号的解析性进行信号参数实时识别;将接收信号采样后进行希尔伯特变换,经处理得出信号的瞬时包络,相位和频率等特征参数。再同先验的各种信号特征参数模板比较后即可实时识别出信号的调制方式等特征。本文还以ＡＭ,ＦＭ和ＢＰＳＫ为例给出实际测试结果。     

浅谈移动网通信中的安全隐患及控制

当今世界经济发展迅速,特别是现代信息技术的发展,带动了经济的多元化发展,也加快了科学的脚步,全球信息化程度日益提高。我国以科技创新为建设目标,各种通讯设施有着高速发展,并且不断的更新换代。随着计算机的发展,世界开始进入信息化时代,而互联网的出现,使世界的联系更加紧密。但事物必然具有两面性,通信在发展过程中虽然有积极的一面,但也存在一些安全隐患。本文主要论述了在信息化发展过程中,移动网通信中存在的安全隐患有哪些并且面对这些安全隐患如何采取有效的措施去控制。     

微型近红外物联网节点的传感器输出数字化应用研究

物联网光谱分析技术的兴起,推动近红外光谱传感器向着微型化、数字化和智能化方向发展。针对InGaAs焦平面数字化、智能化的发展需求,研究InGaAs光谱组件输出数字化方案。设计一种集成自研ADC的数字化光谱传感电路,并研制了新型微型近红外光谱节点。该节点内部集成202个有效光谱通道,波长范围为900~1 700 nm,光谱分辨率优于16 nm,波长准确性小于1 nm,波长重复性优于0.3 nm,节点系统信噪比约为500:1,帧扫描时间约3 ms。研究结果表明:该微型物联网光谱节点满足近红外光谱分析实际应用需求,为传感器片上数字化输出发展和近红外光谱分析物联网应用提供技术支持。     

传输腔稳频的397nm半导体激光器

商用的半导体激光器由于其长期漂移大,不能满足单离子光频标中离子的激光冷却和长时间探测的目的。因此,采用了传输腔稳频技术减小商用397nm半导体激光器的长期漂移。利用经过Pound-Drever-Hall(PDH)技术锁定的729nm超稳激光器作参考激光,采用扫描的法布里-珀罗(F-P)干涉仪作传输介质,实现了397nm半导体激光器的长稳锁定。稳频后397nm激光器在1h内的漂移小于1MHz,100s的Allan方差小于1×10-10。这些指标为下一步利用传输腔技术实现866nm激光的长稳锁定打下了基础,同时为优化单个钙离子的激光冷却和长时间精密测量提供了条件。     

集成电路和微电子机械系统加工过程中的光刻工艺模拟

基于3D元胞自动机方法实现了影像成形、曝光、后烘和光刻胶刻蚀过程等集成电路和微电子机械系统加工过程中的光刻过程模拟模块的集成.模拟结果与已有实验结果一致,表明基于3D元胞自动机方法的后烘和光刻胶刻蚀模拟模块的有效性,这对于实现集成电路和微电子机械系统的器件级的工艺模拟具有一定的实用性.     

CMOS工艺兼容的温湿度传感器

设计并制备了一个CMOS工艺兼容的温湿度传感器,讨论了感湿理论模型并用COVENTOR软件进行了模拟,给出了具体的结构参数及工艺制作步骤,最后对温湿度传感器进行了测量,对理论值和实际测量值做了比较并给出了分析结果.结果表明,传感器在25℃时的灵敏度为0.015pF/%RH,从15%RH～95%RH,电容实际变化量为1.23pF.