溴代丙酮酸乙酯的新合成法

溴代丙酮酸乙酯的新合成法黄锦霞，徐章煌，方国苏（湖北大学化学系武汉４３００６２）溴代丙酮酸乙酯是一种重要的化学物质，广泛用于医药、农药及天然产物的合成中［１］。它的合成已报道的有三条路线￣［２－４］，这些方法存在的不足之处是：（１）收率均不高（分别为...     

硅直接键合工艺对晶片平整度的要求

本文用弹性力学近似，给出了键合工艺对硅片表面平整度的定量要求以及沾污粒子与孔洞大小洞的关系，并用Ｘ射线双晶衍射技术和红外透射图象对键合硅片进行了实验研究。     

一本能够体现“现代化”的教材——谈使用清华版《大学物理学》的体会

大学物理教学改革的一个重要方面是使教学内容“现代化”，精讲经典、加强近代、用新的知识体系组织教学内容、基础物理知识的讲授和在高新技术中的应用相结合能够使大学物理学充满活力地面向21世纪。举例介绍了清华版《大学物理学》教学内容方面的特点及使用中的一点体会。     

驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作

a-Si：H／SiNx：H TFT在长时间栅偏应力作用下，会产生阈值电压漂移，这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象，文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同，利用PECVD制作了不同N／Si比（0．87～1．68）的氮化硅绝缘材料，对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱（EDS）测试。制作了不同的MIS结构电容，对其进行老化实验和C-V测试分析，结果表明稍富氮（N／Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1．33）的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显，表明其缺陷态密度相对较小，能够有效减小半导体／绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si：H TFT像素电路及其阵列版图，优化了电路中的几个关键参数，即T1的W／L=2．5、T2的W／L=25和存储电容Cs=0．8pF。运用7PEP生产工艺，制作了13cm（5．2in）的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试，其开态电流为10μA，开关比为10^6；对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试，其最高亮度为341cd／m^2。     

静电驱动悬臂梁数模转换器设计、分析与模拟

提出了一种新型的微电子机械数模转换器 (MEMDAC)———静电驱动悬臂梁数模转换器 .与传统的静电驱动悬臂梁执行器相比 ,新的结构能更精确地控制梁的挠度 .文中给出了此MEMDAC的设计、分析和模拟过程 .有限元(FEA)分析表明此MEMDAC的最大输出位移为 1 5 1μm ,分辨率为 0 1μm ,其最大非线性误差为 0 0 3μm .     

介绍两款实用工具软件

<正> Windows错误代码查询器”及磁盘碎片整理软件“NortonSpeed Dsk2002”,这两款软件均为免费的绿色软件,无需安装,只要把软件解压到指定的文件夹就可使用,而且都是汉化版,使用起来非常方便。下面就详细介绍一下这两款软件。 1.Windows错误代码查询器下载网     

基于嵌入式计算机和Ethernet的分布式波控系统

介绍一种基于嵌入式计算机和以太网(Ethernet)的相控阵雷达分布式波控系统。整个波控系统以数个嵌入式计算机为核心，通过以太网与雷达的控制计算机通讯。     

例谈数学思考的收敛与发散

解数学题时,将注意力集中于问题本质特征的观察与分析,称之为数学思考的收敛性,将注意力转向于寻求一题多解、最佳解、一解多得等,则表现为数学思考的发散性,收敛的焦点在哪里?发散的途径有何规律?分析如下例题的思考过程,或许可见一斑。     

用质量分离的低能离子束外延法生长β-FeSi_2半导体外延膜的初步研究

采用质量分析的低能离子束外延法生长了半导体性质的β-FeSi_2外延薄膜.就我们所知,在用同类方法的研究中,国际上尚属首次.AES测量及RHEED观察肯定了外延的β-FeSi_2的存在;垂直入射的光透射谱又证实了外延膜是具有直接禁带的、禁带宽度为～0.84 eV的半导体性质的薄膜.室温下的霍耳迁移率μH达600 cm~2V~(-1)s~(-1),比文献报道高两个量级.     

联通城域分级语音网IP地址分配及NAT穿透方案探讨

本文主要依据联通目前骨干网和城域网的现状，结合联通要开展的业务，针对承载网的IP地址分配和NAT穿透方案进行分析并提出了一些建议。