分子动力学模拟浓度和温度对TATB/PCTFE PBX力学性能的影响

为探讨高聚物粘结炸药(Polymer Bonded Explosive, PBX)的力学性能随温度和高聚物浓度而变化的规律, 用分子动力学(MD)方法和compass力场, 对著名高能炸药1,3,5-三氨基-2,4,6-三硝基苯(TATB)与常用高聚物粘结剂聚三氟氯乙烯(PCTFE)所构成的TATB/PCTFE PBX进行模拟计算. 结果表明, 在一定范围内, 随高聚物浓度的增加, PBX的弹性系数和模量减小, 表明其刚性减小、弹性增加; 而随温度的升高, PBX的刚性减小、弹性增强. 还发现PBX的结合能随浓度增高而增大, 随温度升高而减小.     

网络虚拟化互通技术

工业界和学术界提出了许多新的网络虚拟化技术来满足云计算环境对网络服务的需求.网络虚拟化技术的多样化使得云环境面临多种网络虚拟化技术共存的状况.然而,网络虚拟化技术间的差异会导致网络资源被分割成相互间不可通信的“孤岛”.为了解决这个问题,提出了网络虚拟化互通技术,分析了该技术的实现难点,并提出了基于软件定义网络的网络虚拟化互通架构Omni-Bridge,最后给出了Omni-Bridge的原型实现和功能验证.     

纤锌矿结构GaAs(1010)表面特性的第一性原理研究

GaAs纳米线通常呈现纤锌矿结构(WZ),而WZ(1010)侧面已被实验所观测到。利用第一性原理计算了GaAs(1010)的表面弛豫和表面能,计算结果表明:(1010)A表面只出现原子的弛豫现象,表面能为40.6×1020meV/m2;而(1010)B表面却重构形成了GaGa和AsAs二聚体,表面能为63.5×1020meV/m2。相对于ZB(110)表面,WZ(1010)A面具有更低的表面能,(1010)A表面具有更好的稳定性,说明了在表面能占重要影响的纳米线中WZ结构存在的合理性。     

光探测器芯片小信号等效电路模型的建立

提出了一种光探测器芯片小信号等效电路模型及其建立方法,首先根据光探测器的物理结构确定其等效电路模型,模型考虑了影响光探测器高频性能的主要因素，然后精确测量了光探测器芯片的S参数,通过遗传算法对测量的S参数进行拟合,最终计算出模型的各个参量，在130MHz-20GHz范围内的实验结果表明,模型仿真结果与测量结果相吻合,证明了建模方法的可靠性。该模型有效地模拟了光探测器芯片的高频特性,利用该模型可以对光探测器及相应光电集成器件进行电路级仿真和优化。     

快速自适应算法在扩频通信系统中的应用

本文首先介绍了自适应信号处理和快速自适应算法,然后针对扩频通信过程中的多径效应问题分别使用LMS、RLS两种快速自适应算法进行信号处理,完成计算机仿真。通过仿真结果对两种算法进行分析,为其进一步在通信系统中的实际应用打下了基础。     

横向外延过生长磷化铟材料的生长速率模型

分别考虑气相扩散和掩膜表面扩散过程，建立了金属有机化学气相沉积条件下横向外延过生长的速率模型. 在砷化镓衬底上外延磷化铟条件下，模拟得到了生长速率随掩膜/窗口宽度(m/w)变化的关系. 通过讨论掩膜/窗口宽度的影响，说明了掩膜宽度、窗口宽度以及有效掩膜宽度是决定生长速率的关键因素. 以上结论与实验结果一致. 关键词： 横向外延 生长模型 扩散 生长速率     

First-Principles Calculations of Electronic Structures of New Ⅲ-Ⅴ Semiconductors： BxGa1-xAs and TlxGa1-xAs alloys

We investigate the electronic structures of new semiconductor alloys BxGa1-xAs and TlxGa1-xAs, employing first-principles calculations within the density-functional theory and the generalized gradient approximation. The calculation results indicate that alloying a small TI content with GaAs will produce larger modifications of the band structures compared to B. A careful investigation of the internal lattice structure relaxation shows that significant bond-length relaxations takes place in both the alloys, and it turns out that difference between the band-gap bowing behaviours for B and TI stems from the different impact of atomic relaxation on the electronic structure. The relaxed structure yields electronic-structure results, which are in good agreement with the experimental data. Finally, a comparison of formation enthalpies indicates that the production Tlx Ga1-xAs with TI concentration of at least 8% is possible.     

水声信号稀疏重构高分辨角度-多普勒成像

针对傅氏空时二维谱估计分辨率低以及声呐空时采样数据样本数不足给角度-多普勒成像带来困难的问题,提出一种水声信号稀疏重构的高分辨角度-多普勒成像方法和抗混响空时滤波器的稀疏重构方法.该方法在声呐阵列单测量向量的极少观测样本条件下,建立阵列信号的空时稀疏表示模型,应用稀疏表示的匹配追踪算法和基追踪算法重构回波与混响的高分辨...     

InP/InGaAs HBT高频放大器稳定性分析

根据异质结双极晶体管(HBT)的实际结构提出高频小信号电路模型,以此模型用于共射放大电路为出发点,从理论上阐明了高频放大电路产生不稳定的原因,分析了端接电阻的稳定方法,借助matlab快速确定出稳定电阻的取值范围,其理论计算与仿真有很好的一致.