硅片键合界面缺陷分布与Weibull模数的关系

从理论推导分析了键合片的缺陷分布与Weibull模数m之间的关系。此关系与实验相符,并利用此关系很好地解释了硅片键合强度随退火温度变化的关系。     

基于电流模式施密特触发器的CCCII±张弛振荡器

提出了一种基于电流模式施密特触发器的CCCII±张弛振荡器。该电路的振荡信号周期可由接地电容线性改变,而频率则与CCCII±的偏置电流成正比,PSPICE仿真结果与理论分析相符。     

TeO_2高分辨率声光射电频谱仪(AOS)

声光射电频谱分析是借助于高分辨率的声光器件将射电信号进行光学模拟的过程。扩束的激光被声光器件偏转后,经傅里叶变换透镜,将在其后焦平面上形成射电频谱的空间分布。利用光电二极管阵列PDA进行光电探测,然后由计算机处理后即可得到射电信号的频谱结构。在PDA的阵元数、间距和傅氏透镜的焦距确定后,其分辨率主要决定于器件的窗口函数。分辨率的提高将使旁瓣明显加大,两者是互相制约的一对参数。必须仔细调整高斯光束的截断     

采用浮空场限制环的耐压10kV碳化硅二极管的开发

The design, fabrication, and electrical characteristics of the 4H-SiC JBS diode with a breakdown voltage higher than 10 kV are presented. 60 floating guard rings have been used in the fabrication. Numerical simulations have been performed to select the doping level and thickness of the drift layer and the effectiveness of the edge termination technique. The n-type epilayer is 100 μm in thickness with a doping of 6 × 10^14 cm^-3. The on-state voltage was 2.7 V at JF = 13 A/cm^2.     

HPLC法测定库克Noni果汁中游离态水溶性维生素

采用HPLC法测定Noni果汁中游离态的抗坏血酸（Vc）、硫胺素（VB1）和烟酰胺（VB5）,其测定条件为：色谱柱为Alhima C18柱,流动相为甲醇-0．01％磷酸（3：7,V／V）,流速为1．0mL／min,进样量为20μL,柱温为室温,采用二极管阵列检测器在251nm下检测。在上述色谱测定条件下三种维生素能得到良好分离。结果表明,该方法灵敏度高,定量准确,重现性好,回收率高。昕测Noni果汁中三种维生素的含量分别为：Vc0．354mg／mL,VB10．0663mg／mL,VB50．131mg／mL。说明Noni果汁中三种必需维生素含量丰富,可作为维生素缺乏的营养补充剂;所建立的测定方法可作为一种Noni果汁生产质量控制方法。     

一种基于基片集成脊波导的介电常数测量研究

随着可持续发展观点的深入,水的可持续利用和废水资源化已经成为水处理领域中的一场革命.废水成分与其介电常数密切相关,废水的介电特性决定了微波在废水中的传播与吸收的特点,是研究微波与废水相互作用的关键.基于此,本文设计了一套基于基片集成脊波导的测量结构,通过测量2.45 GHz频率的散射参数,并结合神经网络算法反演得到介电...     

新型陶瓷刀具材料JX－2－I界面结构的实验研究

利用ＴＥＭ和电子衍射图谱分析，研究了新型陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ｉ的界面微观结构。ＴＥＭ分析表明，ＪＸ－２－Ｉ刀具材料的界面结合状态较好，Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ界面上形成了具有较高强度的“钢筋混凝土”结构，在Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ和Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｐ界面上没有剧烈的化学反应发生；通过ＴＥＭ和电子衍射图分析，发现在Ａｌ＿２Ｏ＿３的晶粒边界上有尖晶石（ＭｇＡｌ＿２Ｏ＿４）生成，这有利于控制Ａｌ＿２Ｏ＿３晶粒的长大，提高复合材料的强度。     

3300V 4H-SiC MOSFET 设计与加工

成功设计并制造了击穿电压超过3300V 的4H-SiC MOSFET。通过数字仿真优化了漂移层和DMOSFET有源区参数。漂移层N型外延厚度为33微米并且掺杂浓度为2.5E15cm-3。器件采用浮空场限制环作为终端。当栅极电压为20V,漏极电压为2.5V时,漏极电流为5A。     

TD-SCDMA HSDPA/R4业务同频互干扰的研究

HSDPA作为TD-SCDMA的增强型无线技术,为TD-SCDMA获取更高数据传输速率和更高容量提供了一条平稳演进的途径。文章在对TD-SCDMA HSDPA技术及HSDPA/R4组网方式分析的基础上,测试了某地TD-SCDMA网络中的HSDPA/R4业务同频互干扰,并对其进行了分析和研究,对TD-SCDMA网络的实际部署具有参考意义。     

新型陶瓷刀具材料JX—2—I组合增韧补强机理的实验研究

本文研究了新型陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ｉ（Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｐ／ＳｉＣｗ）的力学性能，同Ａ（Ａｌ２Ｏ３），ＡＰ（Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｐ），ＡＷ（Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｗ）和ＪＸ－１（Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｗ）材料相比，ＪＸ－２－Ｉ具有较高的抗弯强度（σｂｂ）和断裂韧性ＫＩＣ，研究结果表明，在ＪＸ－２－Ｉ陶瓷刀具材料中确实存在增韧补强原协同作用，陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ｉ的主要增韧机理是界面解离，裂纹偏转和晶须拔