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在高压宽输入范围的芯片中,高压电源一般不直接作为带隙基准电路的电源。传统方案采用齐纳二极管加源随器将高压输入转换为低压电源,为带隙基准供电,然而低压电源波动过大,降低了带隙基准的PSRR。电源由反馈环路产生,可以提供高PSRR性能。文章提出了一种输入电压范围为5~65 V,通过闭环负反馈产生低压电源和1.2 V基准电压的带隙基准电路,适用于宽输入电压芯片,如Buck、电机驱动或模拟ASIC芯片。该带隙基准电路的电源是将自身产生的电流流经PMOS,由PMOS的VGS确定。因此低压电源不随输入电压变化,线性调整率极低。该电路由预处理电路、启动电路和带隙基准电路组成,采用负反馈稳压设计,不使用齐纳二极管,不引入额外的掩膜层,降低了电路成本。在CSMC 0.25μm BCD工艺下,基准电压线性调整率低至0.000 091%,输入电压在5~65 V范围内基准变化小于1μV,低频PSRR为-160 dB@100 Hz,温度系数为2.8×10-5/℃。 相似文献
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随着芯片制程低于7 nm,互连线后端填充的铜线电阻急剧增加,而平均自由程更低的金属钴(Co)可以用来取代铜,以减少由外表面和晶界处发生的散射导致的线电阻增长。在此选用硫酸钴(CoSO4)作为主盐,硼酸为缓冲剂,以孔雀石绿(MG)为抑制剂进行研究。通过电化学伏安法测试,发现随着MG浓度的增加,金属Co的沉积过电势逐渐增加,沉积受到抑制。利用电化学石英晶体微天平(EQCM)测试得出,MG的加入对整个沉积过程产生明显的抑制作用。这是因为MG容易吸附在阴极表面,与Co2+形成配位键,从而抑制了Co2+还原。随着对流过程的增强,阴极电流密度逐渐减小。最终确定镀液配方为0.4 mol·L-1 CoSO4, 0.5 mol·L-1硼酸,少量Cl-, 20 mg·L-1 3-巯基-1-丙磺酸钠盐和10 mg·L-1 MG,在-1.27 V, pH=4的条件下,可以实现微米级别PCB盲孔的超填充。由计时电流法... 相似文献
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以磁流体理论为基础,采用基于有限体积法的通量差分分裂格式数值求解具有双曲保守律形式的电阻磁流体方程组。编写C++程序对平板几何位形下的等离子体双撕裂模进行了长时间数值模拟,得到双撕裂模不稳定性的演化图景,捕捉到了双撕裂模非线性发展过程中磁场重联的几个典型阶段,讨论了等离子体电阻和两个有理面之间的距离对双撕裂模不稳定性非线性发展的影响。为研究磁流体动力学提供了一种可行的高精度数值算法。 相似文献
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荧光偏振免疫分析测定磺胺甲基嘧啶研究 总被引:1,自引:0,他引:1
磺胺甲基嘧啶(sulfamerazine,SMR)的芳伯胺基与荧光素异硫氰酸钠异构体Ⅰ(fluorescein isothiocyanate, FITC)的异硫氰基在常温下可以发生偶联反应,经薄层色谱分离之后,可以得到SMR的FITC荧光标记物(Tracer)SMR-FITC。应用荧光偏振免疫分析(fluorescence polarization immunoassay, FPIA),以SMR单克隆抗体为竞争免疫试剂,优化了检测条件,建立了SMR的FPIA检测方法。在选定的条件下,SMR的半数抑制量(IC50)为23.4 ng·mL-1,最低检测限量为2.3 ng·mL-1,检测范围为5.4到218.8 ng·mL-1,可以达到食品中SMR的最高残留限量要求。同时对16种磺胺类药物的交叉反应做了初步研究,结果显示对SMR、磺胺二甲基嘧啶(sulfamethazine, SMZ)、磺胺嘧啶(sulfadiazine, SDZ)交叉反应率分别为100%,25%和8.6%,对其他磺胺类药物的交叉反应率均低于5%。 相似文献
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Resonant Reaction in Rb-Cs Vapour Mixture Rb(5P1/2) + Cs(6P3/2) → Cs(8S1/2)+Rb(5S1/2) 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
We experimentally study energy-pooling collision in the Rb-Cs vapour mixture at low densities in a cell. Atoms are excited to Rb(5P1/2) and Cs(6P3/2) states using two single-mode diode lasers. To isolate the heteronuclear contribution in the fluorescence spectrum, a double-modulation technique is adopted. The excited-atom density and spatial distribution are mapped by monitoring the absorption of a counterpropagating single-mode diode laser beam, tuned to Rb(5P1/2 → 7S1/2) and Cs(6Pa/2 → 8S1/2) transitions, respectively, which could be translated parallel to the pump beams. The excited atom densities are combined with the measured fluorescence ratios to determine cross section for the energy-pooling process [i.e. Rb(5P1/2) +Cs (6P3/2) → Cs(8S1/2)+Rb (5S1/2)]. The cross section is 3.79 × 10^-14 cm^2 ± 45%. 相似文献