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71.
硅杂六元环化合物在有机硅化学中是一类重要的小分子环系化合物,广泛应用于有机化学、高分子化学、金属有机化学以及材料化学等领域。本文综述了环上只含有一个硅原子的硅杂六元环化合物的反应,介绍了硅原子上取代基的反应、立体选择性合成、硅原子α位碳原子上的反应、插入反应、环加成反应、Si—C键的切断反应、硅杂苯衍生物合成以及金属配位反应等,并展望了硅杂六元环化合物反应化学的发展方向。  相似文献   
72.
建立了动物源性食品猪肉、牛肉、鸡肉及鱼肉中36种有机磷农药残留的快速分析方法。以乙腈作为溶剂,对试样采用加速溶剂萃取仪萃取,自动凝胶渗透色谱仪净化预处理,N-丙基乙二胺(PSA)填料再净化,毛细管气相色谱法分离,火焰光度检测器(磷型)检测,内标法定量。该方法分离效果良好,重现性好,灵敏度、精密度高,杂质干扰少。36种有机磷农药的检测限(LOD)为0.0012 mg/kg(乙拌磷)~0.014 mg/kg(吡唑硫磷),定量限(LOQ)为0.004 mg/kg(乙拌磷)~0.047 mg/kg(吡唑硫磷)。当试样中有机磷农药的添加浓度分别为0.05,0.1,0.2 mg/kg时,回收率为58.2%~106.3%。方法的最低检测限和添加回收率均符合农药残留分析的要求。  相似文献   
73.
本文综述了环上只含有一个硅原子的硅杂六元环化合物在有机合成方法学方面的进展。介绍了通过α,ω-双金属试剂的关环反应、硅烯参与的[4+2]环加成反应、生成C—Si键的关环反应、生成C—C键的关环反应、硅杂环扩环反应等来合成硅杂六元环化合物,总结了硅杂环己烷、硅杂环己烯以及硅杂环己二烯等不同结构化合物的常见合成方法,为促进硅杂六元环化合物在有机合成化学和材料科学方面的进一步应用提供了基础。  相似文献   
74.
时域边界元法分析撞水响应   总被引:6,自引:1,他引:6  
基于势流理论,考虑流场的可压缩性,首先利用积分变换导得了势流问题的一个动力学倒易定理,在此基础上,进而求得问题对应的时空边界积分方程,然后通过对边界和时间轴同时离散,建立了一组有递推形式的时间边界元方程最后结合液面条件和物体运动方程耦全求解得到了刚体的撞水响应。  相似文献   
75.
采用边界元法研究含裂纹的带形域各向同性弹性体,裂纹对SH波的散射问题,推导出带形域情况下不同边界条件的各种Green函数,导出了以裂纹张开位移为未知数的边界积分方程,计算出表面散射场和总位移.算例表明,利用所提供的格林函数和边界元格式解答带形域的散射问题比较方便.  相似文献   
76.
介绍了引力波探测实验中的被动隔振系统的基本原理和研究现状,讨论其性能及特点.低频被动隔振系统,如七级气体弹簧隔振系统,多级隔振堆,四级悬臂弹簧隔振系统以及三级弯曲弹簧隔振系统在10Hz以上,都具有好的隔振性能;倒摆、折叠摆、 X摆和锥摆等超低频水平隔振系统实现了几十秒的共振周期;建立在对称扭杆弹簧系统基础上,构思新颖的被动垂直隔振系统克服了传统被动垂直隔振系统无法解决的困难,实现了超低频被动垂直隔振.   相似文献   
77.
文献提出了一个关于变厚度矩形板问题的解法,不过它只适用于板有两条对边是简支的情况.本文利用梁屈曲的本征函数作为板挠曲函数的展开式,考虑这类函数的拟正交性质,推广了文献的结果,使它能够进一步求解两条对边任意支承(自由边和弹性支承边除外)的变厚度矩形板问题.文中实例表明这个方法比某些方法计算简便,特别是对于分析析的稳定和自然振动问题,得到了满意的结果.  相似文献   
78.
针对密度峰值聚类算法需要人工设置参数、时间复杂度高的问题,提出了基于快速密度峰值聚类离群因子的离群点检测算法。首先,使用k近邻算法代替密度峰值聚类中的密度估计,采用KD-Tree索引数据结构计算数据对象的k近邻;然后,采用密度和距离乘积的方式自动选取聚类中心。此外,定义了向心相对距离、快速密度峰值聚类离群因子来刻画数据对象的离群程度。在人工数据集和真实数据集上对所提算法进行实验验证,并与一些经典和新颖的算法进行对比实验,从正确性和时间效率上验证了所提算法的有效性。  相似文献   
79.
基于ADS的多级功率放大器设计与仿真   总被引:3,自引:2,他引:3  
对北斗卫星导航射频模块的发射部分进行了分析和研究。介绍了BG2416CX芯片在北斗导航中的应用,并基于RNC2416CX芯片的设计方案,设计并仿真其功率放大器模块。完整地阐述了采用ADS设计工具完成各部分电路的方法,其设计结果优于设计目标,为后期进一步研究北斗导航系统和自主设计北斗导航系统发射部分芯片奠定了基础。  相似文献   
80.
报道了一种用电子束曝光的方法在绝缘体上硅的脊状光波导上制做布拉格光栅的技术.考虑到实际的光子学集成的应用,讨论了这个带有布拉格光栅的脊状光波导的优化设计,给出了该布拉格光栅的测试和理论模拟结果.通过薄化绝缘体上硅的波导层的厚度和光栅的深腐蚀加工,获得了高达30cm-1的光栅耦合系数.  相似文献   
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