任意外型薄板非线性后屈曲问题的边界元解

本文就薄板后屈曲问题建立一组新型的边界元计算公式，用这组公式求解能方便处理各种边界问题，另外文中将面内应力分解成基本部份和附加部份，并利用微分算子分解理论导得了挠度的一个不同形式的基本解，由于计算公式中，实现了面内位移和挠度的解耦，从而使迭代过程得到简化，文末还对圆板后屈曲路径进行了计算，得到了满意的结果。     

时域边界元法分析撞水响应

基于势流理论，考虑流场的可压缩性，首先利用积分变换导得了势流问题的一个动力学倒易定理，在此基础上，进而求得问题对应的时空边界积分方程，然后通过对边界和时间轴同时离散，建立了一组有递推形式的时间边界元方程最后结合液面条件和物体运动方程耦全求解得到了刚体的撞水响应。     

水槽涡的变化规律数值模拟

建立了不可压缩Navier-Stokes方程的Crank-Nicolson有限差分方法,数值模拟水槽晃动中流场及其涡流的数值变化规律。将数值解与解析解和前人的数值解进行比较,数值验证了不可压缩Naver-Stokes方程有限差分方法的有效性。通过数值模拟得到水槽在不同程度的倾斜激励晃动下流场及涡流的数值变换规律,当倾斜激励晃动的频率接近或远离共振频率时,水槽涡场的变化逐步由双涡变成单涡,再到不规则的涡场。当倾斜激励晃动的频率靠近共振频率ω_p=0.95ω_1附近时,水槽流场上部形成一个小涡,然后小涡扩大成整个水槽中的大涡,大涡下沉分裂成两个单涡,最后在底部消失;当倾斜激励晃动的频率在ω_p=0.75ω_1附近时,水槽底部形成一个小涡,然后扩大成大的单涡,最后在自由面消失;当倾斜激励晃动的频率在ω_p=0.55ω_1附近时,水槽底部出现小涡,然后扩大成大的单涡,大涡在自由面消失,继而出现不规则的大涡和不规则的小涡。     

中厚度圆浮板自由振动的一个解析解

本文提出了常水深环境下中厚度圆浮板自由振动的一个解析解.分析中考虑了板横向剪切变形的影响和横截面转动惯性效应,利用空气中中厚度圆板的振型叠加和势流理论,导得了浮板系统频率方程的解析式.由此可看出Y.Tanaka得到的圆形薄浮板的解是本文的特例.最后数值计算还给出了水深和钢缆刚度与频率的关系曲线.并指出了h/a在什么范围可以略去剪切变形和转动惯量的影响.     

Nd~( 3):LaF_3真空紫外激光幅射

用不相干的 K_(r2)~*在146nm 的辐射来泵浦Nd:LaF_3晶体,已经产生172nm 的激光辐射～5ns 能量约为20—30μJ 的脉冲。荧光测试指出 OH~-自由晶体能够看到可调谐位置范围在170—175nm 之内。     

基于PLC控制的包装码垛生产线的设计

我国的聚丙烯(PP)产量占世界产量的10%以上,而长期以来国内聚丙烯产品的包装却一直处于人工套袋的半自动包装状态。针对PP树脂的特点,专门设计了全自动包装码跺生产线工艺流程,介绍了以PLC为基础的全自动包装码跺生产线控制系统,重点说明了控制系统的硬件配置、输入输出分配和软件设计。全自动包装码垛线改变了国内PP产品包装的落后局面,值得在PP包装领域推广。     

乐山泥岩的水土曲线和崩解特征试验研究

红层软岩的崩解性引发显著的软岩风化破裂现象,经常导致坡体不稳定、岩石崩落等不良地质现象。为深入理解泥岩的水土特征曲线（soil and water characteristic curve,SWCC）和浸水崩解特征,以乐山红层泥岩为例,采用滤纸法、浸水法等试验方法系统研究了泥岩的SWCC以及其在水中崩解的特征,构建了适合于该地区的SWCC模型,并讨论了浸水时间对泥岩崩解质量、颗粒级配的影响。结果表明：（1）泥岩的SWCC呈单峰曲线,随着含水率的减少,基质吸力增大。（2）通过与4种典型率定曲线的拟合比较,基质吸力拟合结果表现出良好的相关性（R²≥92%）,其中Fredlund &; Xing模型能够更准确地反映该地区泥岩的SWCC（R²=96%）。（3）浸水试验表明,0~6 h为快速崩解期,6~12 h为慢速崩解期,12 h后为长期崩解期。干湿交替浸水可以加速泥岩在亲水初期的崩解速率,但在最终崩解量方面与持续浸水基本一致。（4）浸水崩解后,颗粒粒径变化主要集中在2～20 mm范围内,级配曲线D₆₀,D₃₀,D₁₀和C_u值随着浸水时间的增大而减少,表明泥岩颗粒粒径随时间逐渐减小。（5）该泥岩耐崩解指数拟合公式为${y}$=1.17e^–0.22x,拟合度良好（R²≥99%）,根据I_d2=0.76判断该地区泥岩崩解性为弱~中等崩解性。该成果可为该地区泥岩的水土特性和崩解特性提供重要的定量数据支持,以及为该地区工程建设提供理论依据。

     

在Ge和GaAs衬底上气相生长ZnSe异质结外延膜

用气相外延方法在Ge和GaAs衬底上成功地生长出性能良好的异质外延薄膜,经降阻掺杂制成异质P—N〔(p)Ge—ZnSe(n)和(p)GaAs—Znse(n)〕结,克服Ⅱ—Ⅵ族化合物无法做成P—N结的“自补偿”效应,通过X射线分析、劳厄照相和I—V、C—V测试表明,ZnSe 外延薄膜质量较好,可做为重要的光学材料.