神州数码的过冬转型——访神州数码CEO郭为

危机．对任何一个企业来说都很痛苦。神州数码从联想拆分出来已9年，尽管远远没有达到当初所设想的水平，仍不乏成就，但金融风暴的冲击，又使其未来充满变数。它跌宕起伏的身影，暗藏着IT行业存在的诸多亟待解决的难题，也隐含着中国企业调整产业结构的困惑。     

创业板呼之欲出，完善制度建设是关键

我们认为，在目前这个时点。推出创业板的驱动因素很大．创业板作为主板市场的补给，能为暂时没有能力上市的中小企业提供融资渠道，从而促进中小企业成长同时完善健全资本市场体制。     

发展创业型经济呼唤教育加强复合型人才培养

现在我们正面临一个更大的创业潮。在奥运会之后，中国开始融入全世界，成为最有利于经济发展和创业的地区之一。这一次的潮流应该是国际化的潮流。     

一道竞赛题的探源

在2005年卡西欧杯全国初中数学竞赛B卷中,出现了这样一道几何题 :如图1,分别以锐角△ABC的边AB、BC、CA为斜边向外作等腰Rt△DAB、等腰Rt△E BC,等腰Rt△FAC,求证:(1)AE=DF;(2)AE⊥DF.     

机房空调故障情况的分析

机房空调故障情况的分析北京市电信管理局工程建设部黄洁某电话局程控交换机机房现在装有ＤＭＳ型程控交换机四万门。根据设计文件得知，其设备发热量为８．７１２万ｋｃａｌ／ｈ；机房面积１９２ｍ２，围护结构、灯光、人体、新风等冷负荷２．５万ｋｃａｌ／ｈ。总冷负荷...     

高速摄影应用于新型纺纱的研究

振兴纺织工业,给新型纺织的研究带来了新的课题,而高速摄影在新型纺纱研究中的应用又是个比较特殊的问题,所研究的主要目标是纤维流运动,纤维细度细,本身不     

基于信息守恒的基本概率赋值概率转换方法

针对现有基本概率赋值概率转换方法普遍存在缺少客观标准,主观介入程度过强的问题,该文提出了一种线性加权概率转换方法.该方法首先选择归一化先验信息作为权重,消除了概率转换时主观因素的影响,然后根据概率转换前后先验信息守恒的原理构造方程,最后给出了转换概率的迭代求解方法.实验算例表明,该文方法求解速度快,转换概率合理有效,且与对事件的认知程度相一致.     

基于RGB数字滤光的CCD激光熔覆测温系统的标定

为提高基于彩色CCD比色测温的激光熔覆测温系 统的精度和测温范围,提出了基于RGB数字滤 光的温度标定方法。采用MIKON M390高温标准黑体炉,每隔50℃采 集不同参数下黑体炉辐射图像,在 1000～1800℃的测温范 围内对彩色CCD相机采用比色测温法进行温度标定。提出将发射率归结到待定系 数K值中,并基于最小二乘法建立K与灰度比之间的一一对应关系,减小发射率 误差;提出先用外搭载 RGB分色窄带滤光片进行图像采集和分色滤光处理,然后建立分色滤光后灰度与无分色滤光 灰度之间的映 射关系,对无RGB分色滤光片的灰度值进行数字滤光,实现光谱响应带宽的误 差校正。本文方法将系统最 大测温误差缩小至38.6℃,将原测温范围扩大近300℃。实验结果表明,基于RGB数字软滤波方法的彩 色CCD测温标定方法,简单实用、精度较高,可以较大程度提高测温范围。     

阴离子型三硅氧烷表面活性剂的合成及其性能

在铂催化下,1,1,1,3,5,5,5-七甲基三硅氧烷(MDHM)和端烯丙基聚醚(APE)经硅氢加成反应先制得端羟基聚醚三硅氧烷(HPETS),再将其与马来酸酐(MA)进行开环反应合成出一种羧酸型阴离子三硅氧烷表面活性剂(ATSS)。 用IR对ATSS的结构进行了表征,并对ATSS的界面性能及在农药中的应用性能进行了测定。 结果表明,ATSS具有优良的表面活性,其临界胶束浓度(cmc)为1.3 g/L,临界胶束浓度时的表面张力(γcmc)为24.5 mN/m。 在2.5％甲氨基阿维菌素苯甲酸盐乳油、41%草甘膦异丙胺盐水剂、36%甲基硫菌灵悬浮剂各1 000倍稀释液中分别添加质量分数为0.10%的ATSS后,可使3种农药稀释液的表面张力由31.92、55.20和39.66 mN/m分别降低至24.92、25.47和27.13 mN/m;使3种农药稀释液接触野菠菜的瞬间接触角由62.5°、68.0°和57.0°分别降低至37.0°、39.0°和40.5°。     

p-ZnO薄膜及其异质结的光电性质

采用射频磁控溅射法,在不同的Ar∶O2条件下,以高掺磷n型Si衬底为磷掺杂源制备了p型ZnO薄膜和p-ZnO/n-Si异质结.对ZnO∶P薄膜进行了光致发光谱(PL)、霍尔参数、Ⅰ-Ⅴ特性、扫描电镜(SEM)和X射线衍射谱(XRD)等测试.结果表明,获得的ZnO∶P薄膜沿(0002)晶面高取向生长,以3.33 eV近带边紫外发光为主,伴有2.69 eV附近的深能级绿色发光峰,空穴浓度为8.982 × 1017/cm3,空穴迁移率为9.595 cm2/V·s,p-ZnO/n-Si异质结I-V整流特性明显,表明ZnO∶P薄膜具有p型导电特性.