Performance of Er3+-doped chalcogenide glass MOF amplifier applied for 1.53 μm band

A model of Er3＋-doped chalcogenide glass （GasGe20Sb10S65） microstructured optical fiber （MOF） amplifier under the excitation of 980 nm is presented to demonstrate the feasibility of it applied for 1.53 μm band optical communications. By solving the Er3＋ population rate equations and light power propagation equations, the amplifying performance of 1.53 μm band signals for Er3＋-doped chalcogenide glass MOF amplifier is investigated theoretically. The results show that the Er6＋-doped chalcogenide glass MOF exhibits a high signal gain and broad gain spectrum, and its maximum gain for small-signal input （-40 dBm） exceeds 22 dB on the 300 cm MOF under the excitation of 200 mW pump power Moreover, the relations of 1.53 μm signal gain with fiber length, input signal power and pump power are analyzed. The results indicate that the Er3＋-doped Ga5Ge20Sb10S65 MOF is a promising gain medium which can be applied to broadband amplifiers operating in the third communication window.     

UHF 频段多层介质非等螺距标签天线*

针对RFID 电子标签的小型化和空间可压缩的要求,提出了一种新的工作于UHF 频段RFID 的非等 螺距螺旋标签天线。首先应用经典等距螺旋天线理论,探讨了非等距螺旋天线的辐射特性;然后通过分析电磁波在 不同介质层界面对辐射特性的影响,提出了多介质层填充结构,以实现多层介质标签天线,提高天线辐射效能;最后 利用CST 软件对非等距螺旋天线进行优化仿真并与实物的测试结果进行对比,二者基本吻合。实测结果表明:该介 质结构下的非等距螺旋天线在871 ~928MHz 频带范围内回波损耗优于-10dB,最大增益为2. 8dBi,3dB 波瓣宽度约 为86毅,尺寸仅为64mm×Φ6mm。     

金属诱导法低温多晶硅薄膜的制备与研究

利用金属诱导晶化 ( Metal Induced Crystallization,MIC)的方法研究了 a- Si/ Ni的低温晶化 ,MIC晶化温度能降低到 44 0℃ .采用 XRD、Raman、SEM、XPS等分析手段研究了 Ni- MIC多晶硅薄膜的特性 ,对薄膜结构和组成进行了分析 ,对晶化过程的机理进行了讨论     

ULSI中金属互连系统上的热点分析

针对金属互连系统上的热点将对集成电路芯片的性能和可靠性产生重大的影响,详细讨论了ULSI金属互连系统上的热点位置和温度分布模型,并通过该模型比较了不同通孔直径和高度情况下,金属互连系统上的热点位置和温度的差别。结果表明,通孔直径和高度对金属互连系统上的热点有重大的影响。     

包交换系统中的一种DSI算法

该文将数字语音插空(DSI)技术应用于包交换系统中,给出了一种高效传输话音信号的实现方案。在话音信道中采用DSI技术可获得不少于两倍的插空增益,而各种包交换系统对信源速率变化的适应性又使得DSI的实现非常容易。多路话音信号经DAI处理后送入包交换系统传输可显著提高通信线路的利用率。理论分析和计算机模拟结果验证了该方案的良好性能。     

连续波调频引信信号的检测方法

以三角波调频无线电引信为对象,分析了调频引信的信号特征,针对低信噪比宽带连续波线性调频信号的检测,提出了基于延迟相乘的频带压缩检测算法.通过仿真试验验证,该算法对负信噪比宽带线性调频信号检测有较高的处理增益,且处理简单,工程可实现性好,满足对无线电引信信号高截获处理要求.     

基于二维半导体材料光电器件的研究进展

近年来,二维半导体材料因其独特的晶体结构和优良的电子、光电特性吸引了众多科研人员的关注。利用这些材料作为有源沟道,制备出了许多新颖的器件结构,性能较传统器件有很大的提升。在各种器件应用中,基于二维材料的光电探测器由于能够实现红外及太赫兹波段的光探测,得到了最为广泛的研究。综述了近年来二维材料在光电器件领域的应用,介绍了光电探测器的主要参数,从电极制备、异质结构筑、量子点和分子掺杂、表面等离激元耦合以及界面屏蔽5方面介绍了目前在二维材料中调控光电性能的方法,对已有方法进行了总结,并且对未来的发展进行了讨论。     

烽火信息

烽火推出电信级城域粗波分设备——Citrans830:近日,烽火通信在充分考虑城域网建设新需求,在对原有的CWDM产品进行多项改进的基础上,推出了适合城域传输各层面网络运行需求的电信级城域粗波分设备——Cit-rans830。Citrans830设备在可靠性、传输带宽、运营维护等方面完全符合电     

In/Al掺杂高电阻CdZnTe晶体载流子传输特性研究

To evaluate the charge transport properties of as-grown high resistivity CdZnTe crystals doped with In/Al, the α particle spectroscopic response was measured using an un-collimated 241Am （5.48 MeV） radioactive source at room temperature. The electron mobility lifetime products （μτ）e of the CdZnTe crystals were predicted by fitting plots of photo-peak position versus electrical field strength using the single carrier Hecht equation. A TOF technique was employed to evaluate the electron mobility for CdZnTe crystals. The mobility was obtained by fitting the electron drift velocities as a function of the electrical field strengths, where the drift velocities were achieved by analyzing the rise-time distributions of the voltage pulses formed by a preamplifier. A fabricated CdZnTe planar detector based on a low In concentration doped CdZnTe crystal with （μτ）e = 2.3 × 10？3 cm2/V and μe =1000 cm2/（V·s）, respectively, exhibits an excellent γ-ray spectral resolution of 6.4% （FWHM = 3.8 keV） for an un-collimated 241Am @ 59.54 keV isotope.