Sm3+掺杂稀土硼酸盐玻璃的光谱参数计算和荧光光谱分析

制备了具有高效可见荧光发射的Sm3 掺杂稀土硼酸盐(LBLB)玻璃,对玻璃的吸收和荧光光谱展开了测试与分析.根据Judd-Ofelt理论对吸收光谱进行了拟合,求得Sm3 离子的晶场调节参数Ωt=(2,4,6)分别为6.81×10-20,4.43×10-20和2.58×10-20 cm2,并进一步计算出各能级跃迁的谱线强度、自发辐射跃迁概率、辐射寿命和荧光分支比等光谱参数.紫外光激发下,Sm3 掺杂LBLB玻璃发出明亮的橙红色光.激发光谱表明,氩离子激光器是Sm3 掺杂LBLB玻璃有效的激发光源.     

ZnO单晶的微区光致发光特性研究

ZnO单晶材料以其优良的综合性能在光电子器件方面掀起了研究热潮,因此对ZnO单晶的研究具有重要的理论和实践意义。采用激光辐照的方式,对ZnO单晶进行了光致发光(photoluminescence, PL)光谱实验,分析研究了ZnO单晶在不同温度(低温)和不同激光能量强度照射下其光致发光特性。研究结果表明,ZnO单晶内存在少量杂质及表面氧缺陷,这些结构对其发光特性有一定的影响;在低温条件下,ZnO单晶具有良好的发光特性,且随着温度的提高,发光光谱峰的位置会向长波长方向移动,但强度会减小;当激光光源的强度增大,ZnO单晶的PL发射光谱的强度也会随之增大,且峰的位置和相对强度不变。结合拉曼(Raman)光谱实验,从分子及原子振动、转动类型验证了纤锌矿ZnO单晶的六方晶系结构;配合X射线衍射(X-ray diffraction, XRD)技术,得出ZnO单晶良好的结晶特性以及晶轴取向。     

Cd3Al2Ge3O12:Mn2+锗酸盐石榴石光谱性质

本文报道室温下Cd₃Al₂Ge₃O₁₂:Mn²⁺(简称CAGG:Mn²⁺)锗酸盐石榴石的漫反射光谱、激发和发射光谱.在UV光激发下,在CAGG中Mn²⁺离子发射强黄光,这是基质到Mn²⁺离子无辐射能量传递的结果.Mn²⁺的黄发射带是由一个弱的红带和一个强的绿带所组成.讨论了这两个Mn²⁺发射带的起因.     

Ce~(3+)在YGG中的光谱性质

本文首次报导并讨论Y_3Ga_5O_(12)石榴石中Ce~(3+)离子的漫反射吸收光谱,激发光谱及荧光性质。发现无论在紫外辐射,可见蓝光或电子束激发下,Ce~(3+)激活的YGG均呈现Ce~(3+)的5d-4f充许跃迁吸收和荧光性质。从440nm扩展到680nm附近的宽发射带是由于Ce~(3+)的最低的5d态跃迁到2FJ(J=5/2和7/2)终态结果。和YAG:Ce石榴石相比,YGG中Ce~(3+)的吸收带和发射带的位置向短波移动。     

A3M2Ge3O12石榴石体系中Cr3+离子的宽带发射光谱

首次报告在Ａ３Ｍ２Ｇｅ３Ｏ１２∶Ｃｒ（Ａ＝Ｃｄ２＋,Ｃａ２＋;Ｍ＝Ａｌ３＋,Ｇａ３＋,Ｓｃ３＋）锗酸盐石榴石体系中,Ｃｒ３＋离子室温下的红—近红外（Ｒ—ＮＩＲ）宽发射带光谱性质。随位于八面体格位上的Ａｌ３＋→Ｇａ３＋→Ｓｃ３＋和十二面体格位上的Ｃｄ２＋→Ｃａ２＋组成顺序变化,室温下,Ｃｒ３＋离子的４Ｔ２→４Ａ２能级跃迁的Ｒ－ＮＩＲ宽发射带,发射峰及光谱的长波和短波边逐渐向低能长波边移动。这是由于晶场强度减弱,阳离子的离子半径增大的结果。在镉（钙）铝和镉（钙）镓锗酸盐体系中,少量Ｓｃ３＋取代八面体上的Ａｌ３＋和Ｇａ３＋时,可使Ｃｒ３＋的Ｒ－ＮＩＲ荧光发射强度增强。     

La(BO2)3基质中Eu3+的发光性质与晶体结构的关系

采用高温固相反应合成了（La1-xEux)（BO2）3,利用X射线粉末衍射方法确定其晶体结构,利用红外光谱探讨了[BO3]单元的聚合情况。根据（La1-xEux)（BO2）3所属空间群中等效点系的对称性分析及Eu^3 的荧光光谱,详细地探讨了Eu^3 的发光性质与其所处格位点对称性的关系。La(BO2)3:Eu^3 体系中,Eu^3 出现较强的^5D0→^7F1磁偶极路迁,因而Eu^3 主要占据点对称性为Ci的格位,出现的其它跃迁是部分Eu^3 占据偏离Ci的格位,而并非占据C2或C1格位,另外,^2D0→^7F4跃迁发射很强,其原因尚不清楚。选择适当的助熔剂可以提高样品的结晶程度,有利于Eu^3 占据严格的Ci格位,增强材料的发光性能。     

La(BO_2)_3基质中Eu~(3+)的发光性质与晶体结构的关系

采用高温固相反应合成了 (La1-xEux) (BO2 ) 3 ,利用X射线粉末衍射方法确定其晶体结构 ,利用红外光谱探讨了 [BO3 ]单元的聚合情况。根据 (La1-xEux) (BO2 ) 3 所属空间群中等效点系的对称性分析及Eu3 + 的荧光光谱 ,详细地探讨了Eu3 + 的发光性质与其所处格位点对称性的关系。La(BO2 ) 3 ∶Eu3 + 体系中 ,Eu3 + 出现较强的5D0 →7F1磁偶极跃迁 ,因而Eu3 + 主要占据点对称性为Ci 的格位 ,出现的其它跃迁是部分Eu3 + 占据偏离Ci 的格位 ,而并非占据C2 或C1格位 ,另外 ,5D0 →7F4 跃迁发射很强 ,其原因尚不清楚。选择适当的助熔剂可以提高样品的结晶程度 ,有利于Eu3 + 占据严格的Ci 格位 ,增强材料的发光性能。     

BaMgF4中Gd3+的光谱以及Gd3+和Tb3+离子之间的能量传递

本文在室温下研究了BaMgF4氟化物中Gd3+和Tb3+离子的荧光光谱以及它们之间的能量传递。在BaMgF4中Gd3+可以直接将激发能传递给Tb3+离子:在Tb3+(4f75d)-Gd3+(4f)-Tb3+(4f8)能量输运过程中,Gd3+离子可起中间体作用。     

Thermal annealing behaviour of Al/Ni/Au multilayer on n-GaN Schottky contacts

Recently GaN-based high electron mobility transistors (HEMTs) have revealed the superior properties of a high breakdown field and high electron saturation velocity. Reduction of the gate leakage current is one of the key issues to be solved for their further improvement. This paper reports that an Al layer as thin as 3 nm was inserted between the conventional Ni/Au Schottky contact and n-GaN epilayers, and the Schottky behaviour of Al/Ni/Au contact was investigated under various annealing conditions by current--voltage (I--V) measurements. A non-linear fitting method was used to extract the contact parameters from the I--V characteristic curves. Experimental results indicate that reduction of the gate leakage current by as much as four orders of magnitude was successfully recorded by thermal annealing. And high quality Schottky contact with a barrier height of 0.875 eV and the lowest reverse-bias leakage current, respectively, can be obtained under 12 min annealing at 450°C in N₂ ambience.     

超细Y_2O_3∶Eu荧光粉的阴极射线发光和光致发光

本文首次报道由尿素溶胶法制备的球形、超细（１２０～２５０ｎｍ）高效Ｙ２Ｏ３∶Ｅｕ红色荧光粉的晶体结构及其阴极射线发光和光致发光性质．这种超细颗粒在２５４ｎｍ激发时的发光强度比商用的传统微米样品低．但在中等电压（≤１０ｋＶ）的电子束激发下，其阴极射线发光强度超过商用微米样品．这种接近纳米的Ｙ２Ｏ３∶Ｅｕ超细颗粒已表现出较强的表面效应．对实验结果进行了分析和讨论．