一种基于平衡微带耦合器的宽功率整流电路

在无线功率传输系统中,接收天线整流电路的传输效率受输入功率、频率及负载变化的影响,为此设计了一种带有平衡微带耦合器的整流电路。仿真结果表明,当输入功率在8~15 dBm范围内时,该电路转换效率超过70%,最高效率为80%;转换效率在频率为2.25~2.61 GHz范围内超过70%;在负载为150~1 600 Ω范围内超过60%。与普通整流电路相比,本文提出的整流电路能够在更宽的输入功率、频带及负载范围实现高效率传输。     

血细胞自动识别中特征提取方法综述

运用计算机模式识别技术识别血细胞图像,是医学图像领域应用的一个重要研究课题,在血细胞识别过程中,细胞的特征提取是至关重要的一环。本文从形态学特征、颜色特征、纹理特征等几个方面综述了血细胞自动识别中几种细胞特征的提取方法。     

镀膜对2.0μm锑化物激光器性能的提升

基于InGaSb/AlGaAsSb材料体系,制备出了一款高性能的镀膜激光器。为了性能对比,同时制备了未镀膜激光器。未镀膜的器件在注入电流为3.0A时,室温连续模式下的输出功率达到300mW,最大插头效率为8.3%。镀膜器件在注入电流为2.6A时,室温连续模式下的输出功率达到380mW,最大插头效率为15.6%;另外,在0.3~2.4A的注入电流范围内,镀膜器件的插头效率均大于10.0%,激射波长均在2.0μm附近。     

基于Talbot干涉的X射线光栅成像技术研究进展

从技术特点和研究热点的角度,综述了X射线光栅干涉成像技术与系统的国内外最新进展。介绍了具有代表性的基于Talbot-Lau干涉法的X射线光栅成像原理与系统结构,以及物质对X射线的衰减、折射与小角散射的多信息获取技术。综述了国内外对X射线光栅成像技术与系统的优化改进研究,主要包括光栅步进对高位置分辨率的松弛与大视场高分辨率光栅成像技术的实现。介绍了二维光栅与基于光栅的具有时间分辨率的四维成像技术的国内外最新发展动态。展望了X射线光栅成像技术的发展趋势。     

3B1束线上LIGA掩模的设计研究

BSRF中的3B1光束线与LIGA实验站过去使用的3W1光束线相比,其同步辐射X光光谱较软、光强较弱,但可实现专用光和兼用光两用.现在LIGA实验站移到3B1光束线,为此必须进行新的LIGA掩模设计、制作.结合此研究目的,本文通过使用XOP和Origin两个软件进行设计、计算,分别得到了专用和兼用时3B1光束线在传输过程中的各级能谱图和传输、吸收数据,并针对这两种不同的用光情况分别设计、研究了两种不同组合的掩模:Au-PI组合和Au-Si组合.     

面向网格的视频会议与视频监控体系

分析了设计面向网格的视频会议与视频监控体系的意义,提出设计和实现一个面向网格技术的、资源利用率高、低成本、资源共享、互连互通、相互协作、适应新一代视频会议和视频通信产业链结构和运营模式的视频会议和视频监控体系,研究该体系的架构设计、技术和业务两个层面上若干关键问题、应用场景和研究方法,最后介绍系统实现时采用的GT编程技术。     

用于图像检索的连通直方图方法

本文提出了一种用于图像检索的连通直方图（CRH：Connected-Region histogram)方法。连通直方图是图像中连通区域面积的统计函数，反应了图像中连通区域的概率分布，是图像内容的一种简洁表达。它具有灰度、旋转、平移等不变性，并可通过权函数来强调某些连通区域。另外，还可以根据连通区域的其他特征（如连通区域的形状、所处的相对位置等）来优化、改进连通直方图，提高图像的检索效率。实验证明，连通直方图具有一定的图像检索能力。     

(Y,Gd)BO3:Tb3+的真空紫外及紫外激发光谱特性

采用传统的高温固相反应法合成出（Y,Gd）BO3：Tb荧光体,对所制得的荧光体进行了晶体结构分析,分析结果表明结晶良好。（Y,Gd）BO3：Tb在147nm真空紫外光激发下的发射主峰在544nm（Tb^3＋的^5D4→^7F5跃迁）,是一种绿色发光材料。样品的真空紫外激发光谱及紫外激发光谱表明,（Y,Gd）BO3：Tb的基质吸收带位于150nm附近。Gd^3＋离子对真空紫外区的光吸收有增强作用,存在着Gd^3＋→Tb^3＋的能量传递。测量了荧光粉在室温下的荧光衰减特性,其余辉时间约为8ms,能够满足显示显像技术的要求。因此,（Y,Gd）-BO3：Tb是一种有前景的PDP用绿色发光材料。     

低接触电阻率Ni/Ag/Ti/Au反射镜电极的研究

研究了Ag的厚度、退火时间、沉积温度对于Ni/Ag/Ti/Au电极的反射率及与p-GaN欧姆接触性能的影响. 利用分光光度计测量反射率, 采用圆形传输线模型计算比接触电阻率. 结果表明: 随着Ag厚度的增加, Ni/Ag/Ti/Au电极的反射率逐渐增大; 在氧气氛围中, 随着退火时间从1 min增至10 min, 300 ℃退火时, 比接触电阻率持续下降, 而对于400-600 ℃退火, 比接触电阻率先减小后增大; 在300和400 ℃氧气中进行1-10 min 的退火后, Ni/Ag/Ti/Au的反射率变化较小, 退火温度高于400 ℃时, 随着退火时间的增加, 反射率急剧下降; 在400 ℃氧气中3 min退火后, 比接触电阻率可以达到3.6×10^-3 Ω·cm². 此外, 适当提高沉积温度可以增加Ni/Ag/Ti/Au的反射率并降低比接触电阻率, 沉积温度为120 ℃条件下的Ni/Ag/Ti/Au电极在450 nm处反射率达到90.1%, 比接触电阻率为6.4×10^-3 Ω·cm². 综合考虑电学和光学性能, 在沉积温度为120 ℃下蒸镀Ni/Ag/Ti/Au (1/200/100/100 nm)并在400 ℃氧气中进行3 min退火可以得到较优化的电极. 利用此电极制作的垂直结构发光二极管在350 mA电流下的工作电压为2.95 V, 输出光功率为387.1 mW, 电光转换效率达到37.5%.     

Alpha Decay of the Neutron-deficient Isotopes 215,216U

The most neutron-deficient isotopes 215;216U were produced in the complete-fusion reaction 180W(40Ar, 4-5n)215,216U. Evaporation residues recoiled from the target were separated in-flight from the primary beam by the gas-filled recoil separator SHANS and subsequently identified on the basis of correlated -decay chains. Two -decaying states were identified in 216U, one for the ground state and the other for the isomeric state with 8+(h9=2f7=2) configuration. The -decay properties for 215;216U and the systematics of 8+ isomeric state in N =124,126 isotones were investigated.