扩声系统在体育馆中的典型应用

针对体育馆举办不同类型的大型活动,分别对扩声系统的音质及扩声特点提出要求,以人声和乐器声的频率特性为依据,阐述了调音师在不同场合中对于不同的扩声对象按所要达到的扩声效果应采取的调控方法。     

军用内调式四象限精密乘法器电路的设计

介绍内调式四象限精密乘法器电路的线路设计、版图设计、工艺设计及关键技术。着重介绍线路设计和版图设计的特点及四象限乘法器的功能。     

基于第四层交换技术的负载均衡

本文介绍了第四层交换技术的概念,技术原理以及如何使用第四层交换技术实现远程教育系统中的应用服务器负载均衡。     

电极/水溶液界面的SERS研究Ⅰ.Cu/1.0M的Na_2SO_4和NaCl溶液体系

电极／水溶液界面的ＳＥＲＳ研究Ⅰ．Ｃｕ／１．０Ｍ的Ｎａ２ＳＯ４和ＮａＣｌ溶液体系陈燕霞黄开启田中群（厦门大学化学系固体表面物理化学国家重点实验室物理化学研究所厦门３６１００５）ＳＥＲＳＳｔｕｄｉｅｓｏｆＥｌｅｃｔｒｏｄｅ／ＥｌｅｃｔｒｏｌｙｔｅＳｏ...     

电子行业MCAD软件应用的定制与二次开发

介绍了电子行业MCAD软件应用时需进行的定制与二次开发的主要内容及实现手段,结合某些具体问题给出实例,并指出了进行二次开发须注意的问题。     

MPEG-4中的知识产权管理和保护技术

知识产权管理和保护（IPMP）技术是为了管理和保护MPEG-4数字产品的知识产权而发展起来的。论述了IPMP技术的应用前景、框架结构及IPMP框架在安全传送、版权保护和管理和数字水印上的典型应用。随着MPEG-4标准的推广，对IPMP技术的研究必将更加深入。     

双脉冲电子束源实验

2MeV直线感应加速器注入器系统由电子束产生器和脉冲功率系统组成。电子束产生器包括由感应腔组成的阴极电压叠加器、阳极电压叠加器和真空二极管及束输运系统。脉冲功率系统则包含初级功率源Marx、次级功率源Blumlein线和触发系统，其作用是为感应腔提供一个具有数十纳秒平顶宽度的高压脉冲，激发感应腔在感应腔间隙上获得一个加速电场。在2MeV注入器功率系统中，4个Blumlein线的充气开关是由发散装置的输出触发信号进行导通控制的。通过控制发散输出触发信号到达Blumlein线开关的时间，即可以实现Blumlein线开关在不同时间内触发导通，使Blumlein线依据所设定的时间顺序输出激励脉冲，从而在真空二极管上获得高压脉冲串。由于功率系统采用的是182C结构，即一根Blumlein线驱动两个感应腔，因此最多可以实现四脉冲串列。     

DSP技术在声强测试系统中的应用

根据声强测试过程中对数据处理系统的需求,提出了以数字信号处理器(DSP)TMS320C5409与A/D转换器芯片MAX125为核心构建高速多通道声强数据采集处理系统的方案,并结合它们的特点对该方案进行了论证.同时,详细介绍了TMS320C5409与MAX125之间的硬件接口电路的设计和软件编程的方法.实验表明,该数据采集处理系统具有速度快、可靠性高、结构简单等特点,满足声强测试过程的技术要求.     

MPEG LA的DVB-T专利联营专利分析报告（下）

根据MPEG-LA经营下的DVB—T专利联营中，等级必要专利和专利申请244项，它们形成5个族，松下电器产业株式会社占有其中的4族专利，法国电信占有1族专利。但是，专利联营的绝大部分专利是日本松下电器公司所有，法国电信仅持有很少的几个专利。     

Characterizations of Tb:Zn2SiO4 films on silicon wafer prepared by sol-gel dip-coating and solid-phase reaction

Terbium-doped Zn_2SiO_4 films were successfully prepared on Si wafers by a simple sol-gel dip-coating and solid-phase reaction method of ZnO and SiO_2. X-ray diffraction (XRD) and UV－Vis absorption results revealed that films processed below 850℃ were ZnO in wurzite structure, and films processed above 850℃ were Zn_2SiO_4 in wellimite structure. Photoluminescence measurements of the Tb-doped Zn_2SiO_4 films showed two strong emission bands at 490 and 545nm. The photoluminescence lifetime was 4.6ms.