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本文用现场电化学-ESR联合测试的技术, 对电化学聚对萃膜在浓H_2SO_4中的性质进行了研究, 结果表明: 聚对苯膜具有高的电导率和相对低的自旋磁化率, 极化子与偶极化子为主要导电者, 并在一定的电位下相互转化, 自旋粒子有很大的离域性。膜中链与链之间可能存在部分的氧桥结构, 而引起体系结构的某些变化, 使聚对苯膜的电导提高以及掺杂容易进行。掺杂量受电位控制, 浓H_2SO_4中的HSO_4~-嵌入/脱嵌的电化学可逆性很好, 最大掺杂量可相当于每5个苯环单元氧化出一个正电荷, 可望将电化学聚对苯用作稳定的二次电池电极材料。 相似文献
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采用晶体相场法模拟了纳米尺度下小角度对称倾斜晶界的结构和位错运动,针对弛豫过程和附加外应力过程,观察了晶界上位错运动的位置变化和体系自由能变化,分析了温度对小角度对称倾斜晶界的结构和晶界上位错运动的影响规律.研究表明,弛豫过程中体系温度越低,体系自由能下降速率越大,原子规则排列速率增加,体系自由能达到稳定状态所需的时间越短,晶界达到稳定状态时位错对排列愈发整齐,呈现直线规则排列.外应力作用下,温度越低,晶体位错对首次相遇时间越长,晶体形成单个晶粒时间越长,位错对首次相遇到晶体内位错对完全消失过程时间越长;随着温度的降低,体系自由能出现多段上升下降,位错对反应也愈加复杂,趋向于逐对抵消. 相似文献