SAD012型高速12位A/D转换器

<正> SAD012是信息产业部电子二十四所近期研制开发的专用产品,于2002年1月28日通过鉴定,它是一种全正向设计的高速12位A/D 转换器。该电路采用信息产业部电子五十八所先进的1μm 工艺制作,使用了折叠插入技术、两步转换结构。SAD012型高速12位A/D 转换器采用 D28L 白陶瓷管壳封装形式,工作温度范围:-55℃～125~C。特点·采样速率:5MHz·微分误差:±1LSB(典型值)·信号/噪声比:>60dB·功耗:500mW(典型值)·工作电压:5V     

64K存贮器开发年表

64K存贮器开发年表年. 份1975年2月1976年3月1977年4月1977年8月i978年2月1978年2月1.978年4月1978年4月1978年5月1978年9月1978年lO月1978年12月197睥12月1979年2月1980年2月1980年夏?日本电电公社开始超大规模集成电路研究三年计划;日本超大规模集成电路研究组合开始四年计划?日本电电公社报导试制成功64K存贮器j日本电电公社攀表64 K存贮器试制报告 :j曼查皇皂釜社和西德西门子公司在国际固体电路会议上报导64K存贮;器试制情况 。 。一………………‘“～}日本富士谭/公司宣布64K存贮器达到产品化水平j.{美国英特尔公司提出软误差问题…     

精细加工技术与高密度器件

精细加工技术与高密度乃是大规模集成电路之两大支柱。这里所讲的精细加工技术,可分为在光刻胶上形成图形的光刻技术、光刻用胶材料及其加工技术和以光刻胶图形作掩膜对薄膜和基板进行腐蚀的技术。由于性能提高、成本降低,器件的密度和容量差不多每年翻一番。图1示出了根据莫斯特克公司调查得到的研制和生产中使用的图形尺寸和每个芯片上的元件数的情况。到1980年,研究水平将达到条宽为0.6μ,密度是1兆位;生产水平将是3μ、16K位。     

日本半导体制造设备市场中国产品和进口品所占的比例变化情况

日本半导体制造设备市场中国产品和进口品比例变化憎况(单位:%)19 7 7年 119 7 9年 设 备 名 称D——]—— D 国产品D 进 口 品1 国产品1 进 口 品 】.硅片制沮设备I]【g a)CZ单晶生长设备【70 D 30【80【20 b)FZ单晶生长设备 11001 一110D 一 C)切片设备 1951 51 80]20 d)研磨设备LTOD3U【80D20 e)表面处理设备【20 D 80 4D D 60 j)边缘处理设备 B 30 70 TO 30 2.杨桓制遣设备DD]【 a)酬。照愉LD10DD 一D100〕一 b)SQgg照相机D 一【ID0 D 一1100 c)CAD 一【100 一 1100 d)@%8&器l 一]100 g—1100 e)dil＄@k&E 20 SD 40 60…     

一九八○年国际学术会议、展览会一览表

】980年国际学术会,厕览会一览表all*all*all*all*all*all*all*all*all*all*第9次计算机展览会激光和电一光学系统会议第23届国际电子器件展览会第27次应用物理讨论会国际可靠性物理会议IEEE国际电路和系统会议第30届电子计算机会议-;第2次国际微型计算机应用会议国际通信会议(ICC)自动化设计会议第15次国际半导体物理会议第8次世界计算机会议 一九八○年国际学术会议、展览会一览表@黄子伦     

日本的超大规模特许1月中旬全面公开外国企业可以使用

据日刊《日经电子学》1980年第230期报道,日本的超大规模集成电路技术已开始全面公开,政府部门在1980年1月中旬公开了以前保密的国家和民间共同所有的及国家单独所有的超大规模集成电路特许。任何外国企业只要付出适当的费用即可买到这些特许。公开超大规模集成电路     

超大规模集成电路与沟道长度

64KMOS动态RAM的出现,标志着超大规模集成电路新纪元的到来。以大容量、高密度为目标的超大规模集成电路技术的进展,虽然使最小条宽为2微米的加工技术达到了实用化阶段,作出了64KRAM,但是加工尺寸的微细化将没有止境的继续进行下去。 在1959年至1960年期间,产生了扩散、外延、光刻、湿法工艺等各种技术结合在起的平面工艺。在此基础之上,1960年上半年开始了集成电路工艺。当时,最     

SAD007 16位A/D转换器

<正> 简要说明SAD007是电子24所前几年研制开发的一种单片集成的高精度16位逐次逼近型 A/D 转换器,它包括内部精密9.85V 基准电压源、16位高精度电流输出型 D/A 转换器、16位逐次逼近寄存器(SAR)、高精度低漂移电压比较器、电流动态分配单元和时钟控制逻辑电路。该器件采用了超大规模模拟数字混合设计技术和标准双极工艺制作技术,具有体积小、功能全、可靠性高等特点。该电路采用40引线陶瓷双列封装(D40L)。引出端排列(俯视图)如图1所示。     

MEMS需要新型封装设计

<正> 最近二十年来,MEMS 加工技术的研发在速度和多领域、多用途方面都确实令人叹服。广义上讲,一个微型系统包括微电子机械系统(MEMS:Micro electmmechanic system)、信号转换和处理单元以及电气机械封装等。2000年,包括 MEMS 和微型传感器在内的微型系统的全球销售额令人吃惊,达1100亿美元。工作负载引起的结构元件的过度应力和变形会严重地影响器件的性能。所以,产品的机械设计和电气机械封装不仅要确保产品的预期性能,而且还要使产品性能可靠并有市场竞争力。     

圆片级封装的一些基本原则

<正> 圆片级封装(WLP)技术正在流行,这主要是它可将封装尺寸减小至IC芯片大小,以及它可以圆片形式成批加工制作,使封装降低成本。WLP封装成本还会随芯片尺寸减小相应下降。此外,由于对电路封装、测试、分离和发运已知好电路可进行流水线作业和管理,从而进一步降低了封装总成本和缩短了周期