半导体工艺使用的气体

前言日本的半导体工业,由于具有优秀的半导体制作技术和相当的技术革新潜力,因而在世界上名列前矛。目前,64K位的超大规模集成电路业已步入工业生产阶段,正在进行256K至1M位的技术开发工作。面对着如此之高的集成度,目前把技术革新的重点主要放在电子设备的小型轻量化、性能和成品率的提高以及低价格化上。     

一种新颖的圆片级CSP MEMS封装方法

一种新型的 WLCSP 为 MEMS 器件有源区上面提供一个集成腔室。这种封装是专为具有机械运动元件的微机械器件设计的,如微反射镜、陀螺仪及加速检测器等。     

二十四所喜获53项科技新成果

<正> 在2002年1月28日于重庆召开的信息产业部电子第二十四研究所2434科技成果鉴定会上,该所53项科技新成果通过专家鉴定委员会鉴定。这次鉴定会的专家鉴定委员会由著名高校资深教授,中国航天工业总公司、中国航空工业总公司、中国工程物理研究院、总装备部21基地研究所及信息产业部部属研究所的专家组成。鉴定会由信息产业部军工基础局主持。信息产业部军工基础局局长兼电子科学研究院副院长毕克允,信息产业部军工电子局副局长邵术林。总装备部机关领导,重庆市计委、科委、信息产业局、重庆经济技术开发区领导及用户代表出席鉴定会并在开幕式上发表了热情的讲话。     

MOS集成电路的世界市场

MOS集成电路的世界市场一览裹 (单位:百万美元)1 9 7 81 9 7 91 9 8 01 9 8 11 9 8 21 9 8 3民用品 手表 台式计算机 汽车 乐器 电视 钟 玩具 家用电器 家用计算机 其他电子计算机 CPU(包括存储器) 外围设备事务机 科学、事务计算机 其他工业用机 测量仪器 工业用机通信与航空 通信 其他政府与军事总计 535 89 89 83 48 62 28 80 25 6 25 721 405 316 315 155 160 145 T3 T2 241 161 80 1302,08T 632 95 82 13T 53 70 30 90 29 15 31 843 466 37T 362 163 199 16T 84 83 295 198 9T 1412,440 789 110 84 196 60 79 3T 114 40 30 391,0…     

使集成电路芯片封装自动化的薄膜运载技术

近年来,由于工艺的改进,生产集成电路的成本已有降低,但封装的劳资费而使组装成本提高。由此,电路制造者正在将其注意力转向于降低装配成本,其主攻方向显然是集中在将芯片焊到引线架上的这一费劳力的工艺上。通常,器件制造者不愿谈及他们正在研究的新制造技术,而实际上却暗中将新的自动化流水线禁锢在自己厂内秘密地方。例如,专门生产标准TTL产品的得克萨斯     

日电东芝情报系统用全干法腐蚀技术的1微米工艺试制成功1K位静态RAM

日电东芝情报系统,是日本超大规模集成电路研究机构之一。它采用全干法腐蚀1微米工艺试制成功了1K位静态RAM,这一研究结果已在今年8月举行的电子通信学会半导体与晶体管研究会上发表。 随着超大规模集成电路的研制,2微米以下的图形的加工技术已成为必不可少的;而在腐蚀工艺方面,将以往的湿法腐蚀改为干法化也提到议事日程上来了,各种干腐蚀技术也迅速地在器件制造中得以广泛的应用。特别是光刻胶图形的形成方法与横向腐蚀少的腐蚀方法变得很重要。最近,以可以进行各向异性腐蚀的反应性溅射腐蚀为中心的平行极板型腐蚀方法,最为引人注目。     

VMOS——一种新的MOS集成电路工艺

1.引言近年来,MOS数字集成电路向着高速复杂电路的方向发展。为了使电路的产量高成本低,要求增加器件的封装密度并尽可能保持不严格的尺寸对准容差。改进封装密度和工作速度要求缩短器件的沟道。可是,在标准MOS器件中,缩短沟道往往带来比器件本身电容要大的寄生电容,而且用普通工艺制作的短沟道MOS晶体管的击穿电压比较低。现在采用了各种工艺来减小寄生电容,诸如硅栅工艺、平面氧化工艺、离子注入工艺等。这些工艺是自对准的,减少了栅与源及漏的覆盖电容。     

硅平面微波晶体管基区的乙硼烷扩散技术

引言本文报导一种适用于研究和制作电流增益带宽乘积f_r达5千兆赫的平面微波晶体管的硼扩散技术。通过淀积最小厚度的硼玻璃来实现硼扩散。硼玻璃厚度最小可使杂质分布均匀,从而使杂质中心限定为一定量。为达到这种目的,选择了最佳扩散参数——气体掺杂     

采用钼栅的功率MOS场效应晶体管

日立制作所研制的钼栅功率MOS场效应晶体管,不久将有样品出来。这种器件功耗在100瓦漏源耐压为160伏和200伏两种,用TO-3型管壳封装。与该公司的MOSFET功率管的老产品相比,这种器件的棚电阻要低一个数量级,因此其频率特性得以提高。与多晶钼栅相比,钼栅BT试验引起的栅阈值电压的初期值的变化比较大。     

THS5641A 8位100MSPS Comms DACTMD/A转换器

THS5641A是一种专门为视频应用与在有线和无线通信系统中数字数据传输应用而优化设计的8位分辨率D/A转换器.这种8位D/A转换器是Comms DACTM系列高速低功耗CMOS D/A转换器产品的一员.Comms DACTM系列包括引脚兼容的14/12/10/8位D/A转换器.所有器件提供相同的接口选择、小型外廓封装和引脚排列;THS5641A提供优异的AC和DC性能,同时支持高达100MSPS的校正速率.