用激光辐照技术控制硅片的少数载流子寿命

激光辐照技术是近年来广泛用于半导体工艺中的一种行之有效的技术,已在离子注入的退火、形成硅化物和欧姆接触等方面取得了令人满意的效果。本文叙述用连续式CO_2激光器,在不同的时间内,对MO S结构进行辐照,根据c—v和c—t技术测量照射前后硅片的少数载流子寿命和氧化层中的固定电荷,实验结果表明:照射后硅片的少数载流子寿命明显降低,固定电荷增加。最后对少数载流子寿命降低的原因作了较为详细的讨论。     

干电池供电式电子标准电池的设计

标准电池是度量电源电动势的标准仪器．利用RC4191和MC1403精密的低压稳压特性，设计一款电子稳压式的标准电池，既可克服传统汞镉标准电池的缺点，又能保证相同精度的实验性能要求．     

自反BCK—代数

本文在BCK-代数中引进稳定子的概念，并定义一类特殊的BCK-代数——自反BCK-代数，证明自反BCK-代数的概念与半单BCK-代数的概念是一致的。同时对于有限BCK-代数还得到它是自反的一个充要条件。     

ATM网中宽带终端话音通信功能的研究

详细讨论ATM网中宽带终端实现话音通信的相关技术，包括适配方法，打包策略和定时信号的恢复，并给出了宽带终端实现话音通信的功能框图。     

关于非线性Pochhammer-Chree方程的解

本文研究了弹性杆纵向形变方程:u_(tt)—u_(ttxx)—u_(xx)—(1/3)(u~3)xx=0的椭圆余弦波解,并用Adomian分解法,求出了其初边值问题解.     

牙齿化石中由辐照产生的陷阱电子的热稳定性研究

本文对周口店北京猿人遗址的动物牙齿化石进行了辐照产生的陷阱捕获电子的热稳定性研究和釉质样品及牙质样品的热稳定性对比实验。得到釉质样品中g=2.0016 ESR峰的寿命为7.1×10⁶年(20℃)。说明了取该峰进行ESR年代测定的可信性和用釉质样品进行ESR年代测定的必要性。     

用MOCVD方法生长二氧化钛膜的研究

二氧化钛用MOCVD方法生长于硅衬底上，膜厚在0．1～1μm之间．本文考察了温度对生长速率的影响，其中生长速率与衬底温度和有机源的温度都成指数关系，并通过作图求出钛源的活化能Ea＝1．05eV．TEM测试结果表明，生成的二氧化钛是多晶膜，为锐钛矿结构．将样品作XPS分析，测试出Ti3+随氧气流量的增加而减少，进一步研究表明，二氧化钛是n型半导体，它的电阻率随钛三价离子的减少而增大．     

关于电工学改革的实践和认识

为探索电工学的改革,近年来我们试拟了一个不同于现行大纲的150学时电工学教学方案。这个方案从1979年开始酝酿。1980年着手编写讲义,并进行一轮试讲。1981年起又对方案和讲义作了修订,到1983年暑假前共进行了三轮试讲。在实践中,我们取得了一些经验,并遂步形成了一些新的认识。我们的初步实践我们的方案是从“立足电路,面向系统,加深理论”出发拟订的。主要意图是,在不增加学时的前提下,通过重新组织课程内容,提高课程质量。这个方案比较着重于加强理论性内容,并且在讨论电工问题时,注意向系统理论靠拢,力求使学生在学习现代电工知识的同