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本文阐述了用于长距离报警光源的选择依据,光束准直,高灵敏度低噪声的接收器,本工作使用890nm半导体激光器,峰值功率为3W,光束经准直后在200m处探测到足够强的信号,达到警戒报警目的。 相似文献
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An investigation was made into the effect of doping with the elemental crystal Ge or/and GeO2 on the TiO2-V2O5-Y2O3 varistor ceramics. The result shows that as the doping contents of V2O5 and Y2O3 are 0.5 mol%, respectively, co-doping with 0.3 mol% Ge and 0.9 mol% GeO2 makes the highest α value (α = 12.8), the lowest breakdown voltage V1mA (V1mA = 15.8 V/mm) and the highest grain boundary barrier ΦB (ΦB = 1.48 eV), which is remarkably superior to the TiO2-V2O5-Y2O3 varistor ceramics undoped with Ge and GeO2 and mono-doped with Ge or GeO2. The TiO2-V2O5-Y2O3-Ge-GeO2 ceramic has the prospect of becoming a novel varistor ceramic with excellent electrical properties. 相似文献
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采用传统固相法制备了Pb(Sb1/3 Mn2/3)0.05Zr0.47Ti0.48 O3 (PMS-PZT)压电陶瓷.利用XRD、SEM和EDS等研究PMS-PZT陶瓷体系在烧结过程中形成的过渡液相和形成过渡液相温度(1100℃)附近的升温速率对陶瓷结构、压电和介电性能的影响.结果表明:不同烧结温度下,所有样品均为单一的钙钛矿四方相,过渡液相不会对相的结构有影响,但是当烧结温度较低时,过渡液相在烧结后期以玻璃相在晶界附近富集,对陶瓷的压电和介电性能有很大影响.随着烧结温度和升温速率的升高,PMS-PZT晶粒尺寸增大,晶粒均匀性和规则性得以改善,晶化质量得到提高;d33测试和阻抗分析测试结果表明PMS-PZT样品在1100℃附近以7 ℃·min-1升温速率并在1250℃烧结时具有最好的压电和介电性能:d33 =313 C/N,kp=0.59,Qm=1481,εr=1437,tanδ=0.53;. 相似文献
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利用乙二醇还原合成银纳米线.研究了聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的平均分子量,AgNO3与PVP(平均分子量为1300000)物质的量的比,控制剂(Cl-)离子浓度对产物形貌及银纳米线长径比的影响.通过SEM、XRD测试,对不同的条件下制备的纳米银线进行微观形貌和晶体结构进行表征.实验表明,PVP平均分子量对纳米银线制备有着重要的影响且不同的PVP平均分子量需要不同的溶液浓度体系才能制备出高纯高产高长径比的纳米银线.当PVP的平均分子量为1300000,控制剂为CuCl2·2H2O和KCl,AgNO3与PVP物质的量之比为1∶2,反应时间为1h,纳米银线的直径大约为80 nm,长度大约为100 μm,长径比可高达1000多. 相似文献
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The performance of optical interconnection has improved dramatically in recent years. Silicon-based optoelectronic heterogeneous integration is the key enabler to achieve high performance optical interconnection, which not only provides the optical gain which is absent from native Si substrates and enables complete photonic functionalities on chip, but also improves the system performance through advanced heterogeneous integrated packaging. This paper reviews recent progress of silicon-based opt... 相似文献
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