全文获取类型
收费全文 | 393篇 |
免费 | 55篇 |
国内免费 | 36篇 |
专业分类
化学 | 54篇 |
晶体学 | 1篇 |
力学 | 6篇 |
数学 | 21篇 |
物理学 | 113篇 |
无线电 | 289篇 |
出版年
2024年 | 3篇 |
2023年 | 8篇 |
2022年 | 8篇 |
2021年 | 6篇 |
2020年 | 9篇 |
2019年 | 14篇 |
2018年 | 15篇 |
2017年 | 8篇 |
2016年 | 16篇 |
2015年 | 15篇 |
2014年 | 30篇 |
2013年 | 10篇 |
2012年 | 23篇 |
2011年 | 17篇 |
2010年 | 21篇 |
2009年 | 16篇 |
2008年 | 12篇 |
2007年 | 13篇 |
2006年 | 18篇 |
2005年 | 19篇 |
2004年 | 17篇 |
2003年 | 22篇 |
2002年 | 6篇 |
2001年 | 6篇 |
2000年 | 14篇 |
1999年 | 14篇 |
1998年 | 12篇 |
1997年 | 9篇 |
1996年 | 13篇 |
1995年 | 9篇 |
1994年 | 7篇 |
1993年 | 9篇 |
1992年 | 9篇 |
1991年 | 5篇 |
1990年 | 2篇 |
1989年 | 8篇 |
1988年 | 3篇 |
1987年 | 4篇 |
1986年 | 4篇 |
1985年 | 9篇 |
1984年 | 9篇 |
1983年 | 1篇 |
1982年 | 3篇 |
1981年 | 2篇 |
1980年 | 2篇 |
1965年 | 1篇 |
1962年 | 1篇 |
1958年 | 1篇 |
1956年 | 1篇 |
排序方式: 共有484条查询结果,搜索用时 15 毫秒
71.
进入21世纪以来,在计算机网络技术以及通信技术快速进步及发展的基础上,网络通信技术也顺势快速发展起来.对于网络通信来说,属于计算机网络技术与通信技术两者有机融合的产物.网络通信的发展为我们的生活及工作带来了极大的便利,但同时从当前来看,网络通信也存在一些较为明显的问题.本文在分析当前网络通信发展现状及潜在问题的基础上,进一步对未来网络通信发展趋势进行探究,以期为网络通信的发展提供一些具有价值的参考建议. 相似文献
72.
基于全相对论扭曲波(RDW)电子碰撞激发计算程序REIE06,系统计算了类氦Fe~(24+)离子基态1s~(21)S_0到激发态1s2s和1s2p精细结构能级的碰撞强度和截面,分析了在不同入射电子能量下碰撞强度的变化规律,详细研究了在6.86 Ke V和9.94 Ke V能量下,碰撞辐射级联效应对类氦Fe~(24+)离子w线(1s~(21)S_0→1s2p~1P_1)、x线(1s~(21)S_0→1s2p~3P_2)、y线(1s~(21)S_0→1s2p~3P_1)和z线(1s~(21)S_0→1s2s~3S_1),x/w、y/w和z/w线强度比值的影响,总结了一些有意义的结论.部分计算结果与其它实验和理论结果进行了比较,取得了很好的一致性. 相似文献
73.
74.
超大硅胺基取代的低价锗化合物可以构建新颖的化学结构, 提供有学术价值的新发现。二配位的超大硅胺基氯锗宾Ge(N(SiiPr3)2)Cl (1)具有空的 4p轨道和孤电子对。针对这 2个特点, 研究了化合物 1 的热构型转换和菲醌氧化加成反应。1的温热分解生成了立方四锗卡宾 Ge4(NSiiPr3)4 (2), 与菲醌(L)定量氧化加成生成了胺基一氯菲二酚合锗(Ⅳ):[Ge(N(SiiPr3)2)(L) Cl] (3)。表征了 2个产物的单晶结构与组成。四锗卡宾 2本质上是锗异腈的四聚体, 分子呈现出畸变的立方体构型, 4个 Ge原子和 4个N原子构成了中心立方体的 8个顶点。其中 Ge-N键长为 0.203 6(3) nm, N-Ge-N与 Ge-N-Ge的键角分别为 85.51(18)°和94.32(16)°, 立方体的侧面接近平行四边形。理论计算首次揭示了四锗卡宾 2的成键面貌。自然键轨道(NBO)给出 Ge4N4骨架上的 20个分子轨道。轨道定域化的计算结果完好地呈现出 4对 Ge孤对电子、12个 Ge-N键和 4个 Si-N键的定域轨道, 能量分别为-12.22、-15.12 和-20.12 eV。Ge 孤对电子主要保留了 4s 电子的特性, 而 Ge-N 键主要由 N 的 2s 轨道(18.4 %)和 2p 轨道(71.3 %)、Ge的 4s轨道(0.75 %)和 4p轨道(9.43 %)综合贡献形成。在化合物 3的分子中, GeⅣ采取 sp3杂化, 由于空间位阻与非对称配位, 与另外 4个配位原子形成非对称四面体构型。 相似文献
75.
超导共面波导谐振腔主要包括四分之一波长型和半波长型.本文对半波长超导共面波导谐振腔使用并联RLC电路进行等效分析,使用sonnet软件进行仿真其传输特性,通过电子束蒸发和激光直写等工艺制备出样品,在低温超导状态下使用矢量网络分析仪对其传输特性进行测量,以及通过持续降温方式研究其传输特性受温度的影响.实验表明:测得的谐振频率和外部品质因数与设计值吻合;谐振频率受动态电感的影响随温度降低而升高;外部品质因数随温度降低而保持基本不变;内部品质因先受导体损耗的影响随温度降低而急剧升高,当温度降低至一定温度后内部品质因数受介电损耗的影响随温度降低而保持基本不变;总品质因数在温度较高时主要来自于导体损耗,在温度较低时主要来自于介电损耗和外部品质因数,随温度的变化趋势和内部品质因数一致. 相似文献
76.
Cross sections for electron impact excitation of lithium from the ground state 1s^22s to the excited states 1s2s^2, 1s2p^2, 1s2snp (n = 2-5), 1s2sns (n = 3 5), 1s2pns (n = 3-5), and 1s2pnp (n = 3-5) are calculated by using a full relativistic distorted wave method. The latest experimental electron energy loss spectra for inner-shell electron excitations of lithium at a given incident electron energy of 2500 eV [Chin. Phys. Lett. 25 (2008)3649] have been reproduced by the present theoretical investigation excellently. At the same time, the structures of electron energy loss spectra of lithium at low incident electron energy are also predicted theoretically, it is found that the electron energy loss spectra in the energy region of 55-57eV show two-peak structures. 相似文献
77.
在无水AlCl3的催化作用下,均三甲苯与γ-丁内酯在室温下即可发生烷基化反应生成4-(2,4,6-三甲基苯基)丁酸. 实验结果表明,催化剂用量和反应时间是影响反应产物收率的重要因素,选择合适的反应条件可使γ-丁内酯几乎定量地转化为目标产物. 在固体高分子酸性树脂Nafion-H的催化作用下,4-(2,4,6-三甲基苯基)丁酸的收率随着温度的升高而升高,在200 ℃下收率达到最大值84.5%,选择性保持在90%左右. Nafion-H经过简单的溶剂洗涤和干燥处理后可重复使用,但每次重复使用后收率下降4%~5%. 对Nafion-H催化下该反应可能的机理进行了探讨. 相似文献
78.
79.
为解决在异构网络环境选择最佳的接入网络问题,提出一种结合综合赋权的异构网络选择算法。在用户端采用层次分析法判断用户偏好,在网络端采用基于指标相关性的客观赋权法判断网络客观状态,并结合基于离差极小化的综合赋权法得到最终权重,同时运用理想值近似排序法进行网络排序,接入最佳网络。基于Matlab的仿真结果表明,该方法能根据不同业务结合网络性能及用户需求选择最佳的接入网络,减少了频繁切换,提高了网络选择结果的合理性与有效性。 相似文献
80.
A device model for thin silicon-on-insulator SiGe heterojunction bipolar transistors with saturation effects
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理 B》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
In this paper, we describe the saturation effect of a silicon germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistor (HBT) fabricated on a thin silicon-on-insulator (SOI) with a step-by-step derivation of the model formulation. The collector injection width, the internal base—collector bias, and the hole density at the base—collector junction interface are analysed by considering the unique features of the internal and the external parts of the collector, as they are different from those of a bulk counterpart. 相似文献