试析基于人工智能的网络故障诊断

本篇文章首先对网络故障诊断的基本含义进行概述,从层次性、传递性、关联性、随机性四个方面入手,对网络故障具备的基本特性进行解析,并以此为依据,提出人工智能技术在网络故障诊断中应用措施.希望通过本文的阐述,可以给相关领域提供些许的参考.     

超分辨率成像系统的FPGA控制研究

介绍了一种基于异型结构传像光纤束,以DSP（DM642）和FPGA（xilinx XC3S1500）为核心处理器的超分辨率实时彩色成像系统,着重讨论了FPGA在系统中的功能实现,包括Bayer图像的双线性插值,RGB和YUV图像格式之间的转换,以及与USB控制器的通信等。系统中FPGA直接与DM642特有的Vport口...     

InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器背面减薄技术研究

在长波红外波段,InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料具有比碲镉汞材料更优越的性能,因此得到了广泛研究。对InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测器芯片的背面减薄技术开展了一系列试验。针对<100>GaSb单晶片进行了单点金刚石机床精密加工、机械化学抛光和化学抛光方法研究,并去除了加工损伤。InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外器件的流片结果表明,长波探测器组件获得了较好的红外成像图片,提高了InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器芯片的研制水平。     

CLBO晶体化学机械抛光技术的研究

介绍了硼酸锂铯(CLBO)晶体的应用前景及在化学机械抛光过程中存在的问题,简要分析了晶体在常温下开裂的机理,选用无水溶剂对晶体进行化学机械抛光以防止加工过程中晶体的潮解开裂。分析了抛光液、压力、温度、pH值参数对抛光过程的影响,通过合适配比使速率可达1.5～2μm/min,且表面质量较好。     

CrN镀层的微粒磨损性能及其切削行为研究

在Teer UDP 550型闭合场非平衡磁控溅射离子镀设备上制备CrN镀层,以球-盘方法测定的比磨损率和微粒磨损法测定的微粒磨损率评价CrN镀层的耐磨性能,采用高速钢镀层钻头的钻孔数评价镀层的切削性能.结果表明,CrN镀层的微粒磨损率对氮流量(用光谱发射因子OEM值控制)的变化很敏感,而比磨损率却不能反映这种由于氮流量变化带来的镀层结构和性能的变化.在不同偏压条件下所制备的镀层微粒磨损率变化不明显.当微粒磨损率低于某一值时,CrN镀层的钻孔寿命明显提高,而比磨损率则无此规律.     

ε′对旋光光纤特性影响的理论分析与计算

通过对旋光光纤基本理论的讨论，以ε′为自变量为旋光光纤的基本参量和电磁场分量进行了数值分析，得出了相应的计算图表，另外，通过对实际的旋光光纤进行旋光角测量和进一步分析，论证了ε′与偏置磁场之间具有简单而明确的线性关系。这使得原本复杂的张量介电常量矩阵的求解变得非常简单。     

ICP-原子发射光谱分析:光谱分辨率和分析特性(续)

5.4 测定限5.4.1 光滑背景的情况一个测得的净分析信号,它的相对标准偏差(RSD)_M,可由下式表示[6,57]: (RSD)_M~2=(RSD_A~2+(2/(RBR)~2]×(RSD)_B~2 (16) 式中(RSD)_A是谱线的净发射信号的相对标准偏差,可写为:     

磁场中布里奇曼法生长碲镉汞晶体的缺陷腐蚀分析

用化学腐蚀方法研究了磁场中布里奇更法生长碲镉汞晶体的位错和亚晶界，在施加磁场的样品中观察到分布较为均匀的位错和较少的亚晶界，这可能是由于在生长过程中施加了磁场对组分分凝和组分过冷起到了一定的抑制作用。