单片集成的增强型和耗尽型pHEMT技术

随着射频/微波器件的快速发展及其应用领域的日益扩大,基于半导体单片集成技术的多种器件集成工艺不断发展。研究了一种采用AlGaAs-InGaAs的砷化镓化合物衬底。琥珀酸湿法蚀刻工艺对器件电性能影响较小。将耗尽型和增强型赝配高电子迁移率晶体管(pseudomorphic High-Electron-Mobility Transistor, pHEMT)器件集成于同一芯片半导体工艺技术。结果表明,增强型晶体管Y型栅极的线宽为0.25 m,开启电压为0.3 V;耗尽型晶体管栅极的线宽为0.5 m,开启电压为-0.8 V,实现了在同一芯片上集成从负到正的栅极电压分布,为设计者提供了更为宽广的设计平台。这种集成技术可以应用于低噪声放大器、线性天线开关、滤波器以及功率控制装置等领域。     

四倍频Nd：YAG激光在高压氢气中的喇曼频移研究

利用Nd:YAG固体激光器四倍频输出(266nm)在高压H₂中的受激喇曼散射获得多波长的激光输出。当泵浦能量一定时,通过改变H₂压力得到了最佳的能量输出,299nm波长的激光能量为3mJ,341nm波长的激光能量输出为6.1mJ,398nm波长的激光能量输出为2.8mJ,239nm波长的激光能量输出为0.8mJ,同时在477nm,595nm,218nm,200nm波段也有能量输出。     

内电极对BZN基多层陶瓷电容器显微结构的影响

研究了银钯内电极对Ｂｉ２Ｏ３－ＺｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５（ＢＺＮ）基多层陶瓷电容器（ＭＬＣ）的显微结构的影响及对ＢＺＮ复相陶瓷中立方焦绿石（α相）与单斜焦绿石（β相）的影响。利用扫描电镜观察晶粒的大小与形貌，利用能谱（ＥＤＸ）检测不同晶粒的组成，采用波谱观察Ａｇ迁移的情况，证明在ＭＬＣ中存在Ａｇ迁移。探讨了银钯内电极中Ａｇ对晶粒大小及组成的影响，进一步说明其对ＭＬＣ性能的影响。结果表明，内电极中的Ａｇ破坏了β相的稳定性，有利于α相的生成，这在显微结构上表现为大晶粒比例的增大，在相组成上表现为α相比例增加，在电性能上表现为温度系数变负。     

光学相干层析系统的成像数学模型研究

生物组织样品的光学特性可以由光学相干层析成像系统探测到的后向散射功率确定，文中建立了入射光线在样品介质内的一阶散射数学模型，揭示了样品的衰减系数和后向散射系数与系统探测结果之间的关系。     

WDH通信系统的关键技术与制约因素

本文介绍了目前密集波分复用系统研究中的一些关键技术，并加以分析与讨论，提出了建立实用ＷＤＭ系统的建议。     

磁控铁氧体贴片天线

我们曾经推导而得到圆型结构隔离铁氧体天线工作状态下的公式。而在预测辐射频率实验方案中，将这种空腔模型贴置于天线圆盘下侧，并且应用于铁氧体区域内，理论与实验的结果相当吻合。因此有必要制造一个铁氧体贴片天线，可清晰地反映偏转磁场控制性能的优越性。     

Windows 95——卓越的新一代PC机操作系统

Windows 95操作系统是Mi-crosoft公司集成九十年代各种先进的软件技术,为台式机和便携机推出的新一代PC机操作系统。自从1990年Windows 3.0面世以来,Windows 3.1、Windows forWorkgroup已经成为在PC机MS-DOS之上运行的主流图形操作环境。作为MS-DOS、Win-dows 3.1和Windows for Work-group的后续操作系统,Windows95不仅很好地保持了和现有软硬件的兼容性,而且给用户提供了更     

在Windows95下运行批处理文件

DOS7与早期的版本不完全兼容,本文说明你运行旧的批处理文件时可能会遇到的一些问题,并提供一些解答方法来帮助你适应这个新的操作系统。 DOS和批处理文件有着一脉相承的历史。操作系统的每一个新版本都会对批处理语言增加一些新内容,且每一个新版本总是与旧的相兼容。一旦升级后,你仍可以毫无顾虑地使用旧的批处理文件。 但是,Windows 95与它的底层DOS已经打破了这个传统。这个新的DOS与过去的版本只有部分相兼容,因此批处理文件被分离成两部分。 在本文中,我将指出一些重要的改变,并建议你在批处理文件中应该如何对待它们。如果你还没有升级到Windows 95,你可以从中得到一些关于如何为它做准备的提示,或许你还可以找到某些好的理由停留在DOS6.X,至少在一段时间内最好不升级。     

加强和完善广播电视专用网建设是党和政府的一贯政策

加强和完善广播电视专用网建设是党和政府的一贯政策魏党军（广播电影电视部社会司１００８６６）编者按有线电视网的建设和管理问题，党和政府及主管部门已在有关政策、法规中作出原则规定。对此，有关单位必须遵照执行。随着广电事业和邮电事业的迅速发展，尤其是租用部...