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202.
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美国IDC公司研制的41707型高度表最近通过了TSO的鉴定。该设备十分精确,三英寸仪表用来指示由中心大气数据计算机计算过的高度,或者指示出其本身静压力传感器来的气压高度。该装置能以两种方式指示出-10000~53000英尺之间的任一高度。大气压力可以用毫巴表示,也可以用水银柱英寸来表示,分别显示在两个单独的显示窗内。设备中的电子装置能固定地把来自传感器的信号与所指示的高度进行比较。如果存在不一致或故障,高度表就会自动地进入气动或静压力状态。采用这种方式显示出的高度符合TSOC10b 相似文献
204.
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206.
本文给出了一种利用局域硅氧化工艺生产静电微米规模电机的新型工艺.这种电机的草图如(1)图所示,它基于五道掩膜工艺,简述如下,具有连续腐蚀到衬底的氮化硅层的淀积和光刻,硅的选择性氧化LOCOS,用于转子电刷的部分选择性氧化物的腐蚀,多晶硅的淀 相似文献
207.
阿贝(Abbe)原则是进行长度测量的指导性原则。它指出:若要得到正确的测量结果,必须将仪器的读教刻度尺放在被测尺寸线的延长线上.根据此原则,制造了阿贝比长仪,进行绝对测量.一般测长仪器的测量值,可用下式表示式中S为刻度尺到被测物的垂直距离,,△θ为量爪的角位移.如图1所示,可见误差由S和△θ这两个因素引出.阿贝原则恰能使S=0. 由于阿贝原则难于应用于一般测量仪器,故布莱恩建议修改阿贝原则:位移测量系统工作点的路程应和被测位移作用点的路程位于一条直线上;或者必须使传送位移的导轨没有角运动,或者必须用实际角运动的数据计算偏移… 相似文献
208.
本文讨论了深耗尽MOS电容器的少子产生机构,提出测量有效少子产生寿命空间分布的方法。对低剂量注B的样品进行了测量,结果表明注入层比体内的有效少子产生寿命低,从Si-SiO_2界面到体内,有效少子产生寿命逐渐增大,最后到达注入离子没有穿透的体区,保持一常数。 相似文献
209.
超疏水性材料表面的制备、应用和相关理论研究的新进展 总被引:1,自引:0,他引:1
文章总结了Wenzel方程、Cassie方程及一种具有极高精确度的,可方便测出固体表面上液滴前进角和后退角的测试方法等超疏水表面的最新理论研究成果;回顾了溶胶凝胶法、化学修饰法、喷涂法、液相法、化学蚀刻法、水热法、微相分离法、原位聚合法、静电纺丝法、阳极氧化法等近几年出现的超疏水表面的制备方法;介绍了在微物质能量、生物医学、光学、燃料以及电池应用等领域超疏水表面的最新功能性的应用。最后,客观地展望了超疏水表面制备及理论研究的发展方向。 相似文献
210.
十堰广电网络公司未雨绸缪,从2002年开始,不断深化体制机制改革,加快业务服务创新,到2009年底,实现各项营业收入过亿元,在应对三网融合竞争方面进行了有益的实践和探索。 相似文献