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针对量子阱半导体激光器建立了内部的热源分布模型,利用有限元方法模拟计算得到了条形量子阱半导体激光器的三维稳态温度分布,分析了芯片与热沉间的焊料空隙对芯片内部稳态温度分布的影响.模拟结果表明焊料空隙的位置和尺寸都将影响到芯片内部的温度分布,焊料空隙的存在将导致空隙上方的芯片内部出现局部热点.随着焊料空隙的增大,芯片内热点区域增大,温度增高.位于芯片的条形电极中心下方的焊料空隙引起的芯片内部局部温升最大,并且沿腔长方向光出射腔面上温度相对较高,易引起光出射腔面上正反馈的电热烧毁,与实验结果吻合. 相似文献
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由于红外热像仪采集的热红外影像存在大量的噪声、边缘信息模糊难提取,因此,提出了一种基于Laplace算子和灰色关联度相结合的边缘检测方法.该方法首先引进数学形态学对含有噪声的热红外影像进行形态学滤波,然后利用8邻域的Laplace算子作为参考序列,计算参考序列与系统序列之间的关联度得出关联度矩阵,再给定阈值判断是否为边缘点,最后细化影像.基于MATLAB进行仿真实验,结果表明:该算法对具有噪声的热红外影像具有较好的抗噪效果,能检测出传统方法不能提取的边缘细节信息,通过调整阈值可以控制检测的边缘信息量,是一种较好的边缘检测方法. 相似文献
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含笑花被片发育和衰老过程中细胞超微结构的变化 总被引:1,自引:0,他引:1
以含笑花被片为材料,研究了含笑花发育和衰老进程中细胞超微结构的动态变化。组织化学实验表明,花被片薄壁细胞具有淀粉复合物,其数量多少在花被片发育和衰老过程中呈动态变化。在透射电镜下,Ⅰ时期花被片基本薄壁组织细胞中淀粉复合物极少,可见少量叶绿体;随着花蕾的生长发育,Ⅱ时期至Ⅲ时期花被片基本薄壁组织细胞中淀粉复合物、线粒体、溶酶体等逐渐增多;Ⅳ时期花被片已展开,其淀粉复合物逐渐减少或消失,细胞中的线粒体、溶酶体等细胞器出现不同程度解体;Ⅴ时期花被片萎凋时,淀粉复合物甚少,细胞壁严重弯曲、变形。在扫描电镜下,从顶面观察花被片表皮细胞,可见Ⅰ时期的表皮细胞紧密、光滑;Ⅱ时期至Ⅲ时期花被片表皮细胞表面纹饰结构清晰,同时,基本薄壁组织细胞中颗粒状淀粉复合物随着花被片的发育其数量逐渐增多;Ⅳ时期花被片展开时,表皮细胞垂周壁的条纹上、表皮细胞间隙、气孔孔口可见淀粉复合物,细胞中淀粉复合物逐渐减少且消失;Ⅴ时期花被片已萎凋,表皮细胞塌陷、细胞间隙出现裂痕,细胞中淀粉复合物消失,有少量棉絮状物质。对含笑花被片细胞超微结构的变动与衰老的关系进行了讨论。 相似文献
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化学机械抛光是集成电路制造工艺中十分精密的技术。在本文中,为了改善抛光效果,分表讨论了非离子表面活性剂和氧化剂在CMP过程中作用。我们主要分析了非离子表面活性剂对片内非均匀性和表面粗糙度的影响。同时,我们从静态腐蚀速率、电化学曲线和剩余高低差的角度,讨论了在不加BTA条件下,不同氧化剂浓度的抛光液的钝化特性。实验结果明显地表明:加入了非离子表面活性剂的抛光液,更有利于改善抛光后的片内非均匀性和表面粗糙度,并确定2vol%体积分数是比较合适的浓度。当抛光液中氧化剂浓度超过3vol%,抛光液拥有较好的钝化能力,能够有效减小高低差,并有助于获得平整和光滑的表面。根据这些实验结果,非离子表面活性剂和氧化剂的作用进一步被了解,将有助于抛光液性能的改善。 相似文献
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以PbO作助熔剂采用高温溶液法生长出Pb(Mg1/3Nb2/3)O3弛豫铁电晶体,利用X线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析了晶体相结构和生长形貌。研究结果表明,采用高温溶液法生长出纯钙钛矿相结构的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3弛豫铁电晶体,晶体多为淡黄色,较小的呈赝立方形态,较大晶体逐渐趋于不规则形态,最大尺寸达4mm×4mm×3mm。晶体中存在位错蚀坑和PbO包裹等生长缺陷,生长过程中的温度波动和成分起伏等因素导致这些缺陷的出现。晶体{100}面生长速率最慢能成为热力学上稳定存在的自然显露晶面,晶体的生长机制为二维成核层状生长。 相似文献