低温半导体器件模拟软件包

本文在通用半导体器件模拟软件ＰＩＳＣＥＳ（版本为９００９Ｉ，ＳｕｎＯＳ４．１（Ｚｈｉｐｉｎｇ））的基础上，修改了模型方程，加进了低温参数模型，成功地开发和编制出了适于低温半导体器件模拟软件ＳＥ－ＰＩＳＣＥＳ，模拟了７７Ｋ下二极管的稳态特性、瞬态特性和交流小信号分析，并将模拟结果和３００Ｋ下的作了对比分析．     

发展中的BiCMOS技术

集ＣＭＯＳ与双极器件之优点于一体的ＢｉＣＭＯＳ，将逐渐成为９０年代ＵＬＳＩ的主流技术。本文从工艺、器件结构和兼容设计等不同侧面，阐述了ＢｉＣＭＯＳ技术所具有的突出特点及其典型应用，同时还介绍了最新发展的低温ＢｉＣＭＯＳ技术和面临的关键问题。     

一种多谐振荡器的优化设计

多谐振荡器是产生方波信号的常用方法之一，多谐振器具有体积小，输出波形稳定，功耗低等特点，本文在对多谐沁器结构和原理系统分析的基础上，完成了一种多谐振荡器的优化设计。     

SOIMOS器件的低温特性

本文概述性地探讨了低温ＳＯＩＭＯＳ器件的基本特性，如电流－电压特性、迁移率、阈值电压及亚阈值特性等，并介绍了该器件中所存在的一些效应。     

硅栅CMOS磁敏器件的研制

本文用标准硅栅CMOS工艺研制了CMOS磁敏器件,用霍尔角解释了器件工作原理,所提出的理论与实验结果相符合。在此基础上给出了高灵敏度器件的几何结构,并提出了实际应用CMOS磁敏器件的设计方案。     

用于SPICE-Ⅱ程序的耗尽型MOS器件模型

分析了SPICEⅡ程序模拟耗尽型MOS器件所遇到的限制及其原因,用线性区阈电压和饱和区阈电压描述耗尽型器件线性区和饱和区特性,讨论了饱和区阈电压与线性区阈电压之差随衬偏电压变化的关系,建立了耗尽型MOS器件模型及其参数提取的新方法.模拟结果与实验基本吻合.     

MODEL AND MODELING OF LOW TEMPERATURE CURRENT GAIN OF POLYSILICON EMITTER BIPOLAR TRANSISTORS

A unified model of low temperature current gain of polysilicon emitter bipolar transistors based on effective recombination method is presented, incorporating band-gap narrowing, carrier freezing-out, tunneling of holes through polysilicon/silicon interface oxide layer and reduced mobility mechanism in polysilicon. The modeling results based on this model are in good agreement with experimental data.     

X波段单片集成低噪声接收子系统

报道一种新型 X波段 0 .2 5 μm PHEMT全单片集成低噪声子系统。该子系统由开关衰减电路、采样检波电路和低噪声放大器三部分组成。开关插入损耗仅 0 .5 d B,放大器噪声系数小于 1 .5 d B。当开关控制电压为-2 V,输入电平 <-7d Bm时 ,此系统相当于一个低噪声放大器。在 8.5～ 1 0 .5 GHz频率内 ,整个系统增益大于2 4d B,噪声系数小于 2 .0 d B,输入输出 VSWR<1 .5 ;但当输入电平 >-7d Bm时 ,采样检波电路开始工作 ,打开主放大器前的开关衰减器 ,限制输入功率进入 LNA。输入功率越大 ,反射越大。在开关控制电压为 +2 V时 ,无论输入功率多大 ,开关关闭通道     

VLSI 低功耗设计分析

本文从介绍电路功耗的基本概念及相关因素入手，按照VLSI自顶向下的设计流程，从算法，结构、逻辑和物理四个层面，系统全面地分析了低功耗VLSI设计技术。     

SiGe ECL电路时间延迟分析

为保证 ＥＣＬ具有更好的电路性能,低温下制备 ＳｉＧｅ ＨＢＴ作为基本器件的 ＳｉＧｅ ＥＣＬ电路更适于低温应用,且传输延迟时间更小．１引言 ＳｉＧｅ ＥＣＬ电路是目前国际研究前言,在高速 ＣＰＵ、卫星通讯等领域有较高应用价值,在国内军事领域也将会有应用前景［１］ 采用ＳｉＤｅ ＨＢＴ作为ＥＣＬ电路单管可实现更低延迟时间单元电路［２］．为保证ＥＣＬ单元电路具有较快速度,ＳｉＤｅ ＨＢＴ需采用超薄基区、低发射区掺杂高基区掺杂等新型结构［３,４］． 从基尔霍夫方程出发,可对ＥＣＬ对管延迟时间作较为精确的推导．ｔ…