一种低电压CMOS折叠-共源共栅跨导运算放大器的设计

设计了一种全差分折叠-共源共栅跨导运算放大器,并将其应用于80 MHz开关电容带通Δ-Σ A/D转换器中.该跨导运算放大器采用0.35 μm CMOS N阱工艺实现,工作于2.5 V电源电压.模拟结果表明,该电路的动态范围为80 dB、直流增益63.4 dB、单位增益带宽424 MHz;在最大输出摆幅、建立精度为0.1%时,建立时间为7.5 ns,而功耗仅为7.5 mW.     

基于功能结构的数字系统可测试性设计

可测性设计DFT技术已成为IC设计中的一个重要技术，对于不同复杂程序及规模的IC，应选择不同策略的测试方案以达到设计成本和周期的目标，基于功能结构的可测试性设计是其中一种可选择的测试方案。     

低温载流子冻析效应及其对半导体器件电性能的影响

结合载流子热激发和场致激发的电离理论，对计算电离杂质浓度的物理模型和计算方法进行了修正，由于考虑了载流子的费米统计分布、载流子对杂质电离能的屏蔽作用、ＰｏｏｌｅＦｒｅｎｋｅｌ强场理论和自加热等物理效应的影响，因而可精确描述低温下载流子冻析效应、浅能级杂质的陷阱行为及其对低温器件交直流性能的影响。     

LVS 版图验证方法的研究

LVS是IC Layout设计中一个重要的验证环节，结合实例分析，系统讨论了LVS的工作原理和验证流程。     

多晶硅晶粒间界的线性陷阱模型

采用深能级瞬态谱仪（ＤＬＴＳ）测试多晶硅ｎ＋ｐ二极管势垒区深能级谱。利用ＤＬＴＳ实验结果，对Ｇ．Ｂａｃｃａｒｉｎａ等提出的均匀陷阱模型进行修正，提出多晶硅晶粒间界的线性陷阱模型。运用该修正模型，可采用迭代法求得多晶硅电学参数──势垒高度Ｅｂ、电导率激活能Ｅａ与多晶硅掺杂浓度Ｎｃ间关系。计算结果表明，多晶硅晶粒间界的线性陷阱模型具有理论合理性。     

超导－半导场效应晶体管理论分析

分析了超导－半导场效应晶体管的工作原理，利用电阻分流模型对其性能进行了讨论，并给出了详细的计算结果。其中认为沟道中载流子分布符合费米－狄拉克分布函数，并考虑了沟道载流子迁移率的变化。     

一种新型基于提升算法的二维离散小波变换结构的实现

在提升算法原理分析的基础上，设计出一种采用提升算法的二维离散小波变换结构，改变了传统的提升算法先行后列的运算方式，将行列运算操作结合起来进行，这样，相比于传统结构，在基本不增加硬件单元的前提下，变换时间减小为原来的75％左右，提高了硬件效率。     

一种用于高精度电流型DAC的输出级设计

提出了一种应用于电流型数模转换器(DAC)的输出电路。在对输出级的功能和稳定性作了分析计算后，设计了一种高增益、低失真的运放(OP)电路。运放模拟的直流增益为108dB，环路带宽为30MHz，环路相位裕量为60度，在输出为1rms时，THD N可达到104．8dB。和传统的开关电容(SC)输出级相比，该电路具有面积小、噪声低等优点，可应用于高精度的电流型DAC。     

单节锂离子电池保护芯片的设计

锂离子电池的众多优点使其在手提式设备中获得了广泛的应用。但与镍铬、镍氢电池不同的是锂离子电池必须和保护芯片配合使用。本文提出了一种单节锂离子电池保护芯片的设计，此芯片能有效防止锂电池应用中发生过充电、过放电和过电流状态。     

SPICE 模拟中的收敛问题分析

电路模拟中最常遇到、最难解决的问题是电路收敛问题。本文在给出不收敛可能产生的耗因之后,着重分析和介绍了在直流模拟和瞬态模拟中解决收敛问题的方法。