适用于BiCMOS电路模拟的低温载流子迁移率模型

在分析各种主要散射物理机制的基础上，建立起依赖温度、浓度和电场作用的载流子迁移率模型，并将体效应与表面效应有机地结合在一起。该模型物理意义明确、拟合参量适中、精度高、适用范围广，特别适合包含ＢＪＴ和ＭＯＳ结构的ＢｉＣＭＯＳ电路模拟的需要。     

全温区超薄基区SiGe HBT参数特性研究

分析了不同温度下超薄基区 Si Ge HBT中载流子温度及扩散系数随基区结构参数的变化 ,并给出了实验比较     

一种适用于VLSI MOS器件的阈电压模型

本文从等效浓度的观点出发,提出了一种适用于VLSI MOS器件的阈电压模型,数值结果与二维模拟基本一致。叙述了确定实际阈电压的步骤,可作为器件工艺监控的简便方法。     

一种用于LCD驱动控制的4位微处理器

设计了一种用于 LCD驱动的 4位专用微处理器 ,按照功能框图对其特点进行分析。该微处理器具有丰富的指令集 ,能够满足 LCD显示的各种要求 ,系统最大特色就是提供了比较完备的用于测试片内模块故障的测试模式。在对系统各模块的结构和功能进行分析基础上 ,在测试模式下 ,对系统功能、功耗进行了仿真模拟     

低电压全差分运算放大器的优化设计

设计了一种适合于带通SigmaDelta调制器的低电压低功耗全差分跨导放大器。在采用增益提高技术和尾电流复制技术的基础上,对电路参数进行优化,使运放获得了较高的性能。采用0.35μmCMOS工艺,模拟结果表明,环路带宽为278MHz,直流增益大于80dB,输入阶跃为4V时,在0.1%的精度下建立时间为9.1ns,动态范围达到83.2dB,电源电压为2V,总的功耗为4.2mW。     

超薄的金属/LB绝缘膜/半导体结构的CV和I-V特性

本文研究了超薄的金属/LB绝缘膜/半导体(MLS)结构的C-V和I-V特性,理论分析与实验结果相一致,结论如下:(1)超薄MLS结构具有正常的C-V特性和I-V特性;(2)以LB薄膜作为绝缘层可调整肖特基器件势垒高度。     

适于深亚微米器件模拟的Monte Carlo方法

讨论了用于深亚微米半导体器件模拟的Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ 方法（ＭＣＭ）,探讨了确定自由飞行时间的自散射方法,并简要阐述了玻耳兹曼模型（ＢＴＭ）、漂移扩散模型（ＤＤＭ）和流体动力学模型（ＨＤＭ）之间的关系。     

CGS 算法在半导体器件模拟中的应用

系统分析了一种适用于大型非对称稀疏矩阵系统求解的CGS算法,并实现了该算法在半导体器件模拟中的应用,完成了SMDS软件中CGS算法核心的计算。针以实际计算中出现的问题,采用了分步迭代以及选取合适的拒绝因子等技术,保证了计算的精度并降低了计算的时间。     

PD SOI NMOSFET翘曲效应的温度模型

报道了一个部分耗尽 (PD) SOI NMOSFET翘曲效应的温度解析模型 .该模型从 PD SOI NMOSFET器件的物理结构 ,即由顶部的 NMOSFET和底部的寄生 BJT构成这一特点出发 ,以一定温度下 PD SOI NMOSFET体-射结电流与漏 -体结电流的动态平衡为核心 ,采用解析迭代方法求解 ,得出漏 -体结碰撞电离产生的空穴在体区中近源端积累达到饱和时的体 -射结电压 ,及漏 -体结和体 -射结电流的各主要分量 ,进而得到了 PD SOI NMOSFET翘曲效应漏电流的温度解析模型 ,并将一定条件下的模拟结果与实验结果进行了比较 ,二者吻合得很好     

一种基于聚类的Bus-Invert低功耗编码方法

数字系统的功耗日益成为 VL SI设计者关注的问题 ,低功耗设计已成为便携式产品和高性能系统设计的发展方向。文中将提出一种基于聚类的 Bus- Invert低功耗编码方法 ,用于系统总线和 I/0的低功耗数据编码。实例表明相对于无编码的数据 ,CBBI编码平均可减少数据线传输跳变 2 7% ,最高达 55% ,均优于同等条件下的普通 BI编码结果