逆向统计模拟及在VLSI统计分析中的应用

本文在理论上提出了逆向统计模拟思想,并用以开发了NMOS数字集成电路统计模拟通用软件——STANMOS。应用该软件可定量得到工艺涨落及工艺干扰对电路性能的影响,分析电路性能的工艺灵敏度及成品率,确定主要影响电路性能一致性的工艺步骤。     

BiCMOS例相器延迟特性的计算与分析

本文对ＢｉＣＭＯＳ倒相器延迟特性进行了系统研究，在分析比较ＭＯＳ与双极器件及其组成电路不同状态下的工作特点基础上，得到ＢｉＣＭＯＳ倒相电路在小注入、大注入和集电极寄生电阻等不同限制条件下的延迟时间的解析关系式，结果表明该模型具有近似于ＳＰＩＣＥ数值模拟精度，为各类高性能ＢｉＣＭＯＳ电路的优化设计与分析提供了理论依据．     

一种3 V CMOS恒跨导运算放大器的设计

提出了一种适合在3V电源电压下工作的CMOS运算放大器，其动态工作范围为0-3V，在整个工作范围内，运算放大器的跨导基本保持不变，给出了BSIM3V3模型下的Hspice模拟结果。     

TF SOI PMOSFET的导电机理及漏电流的二维解析模型

从薄膜积累型 (TF AM) SOIPMOSFET的栅下硅膜物理状态随外加正栅压和漏压的变化出发 ,对其在 -5 .0 V背栅偏压下的导电机理进行了比较深入的理论分析 ,推导出了各种正栅压和漏压偏置条件下漏电流的二维解析模型 ,为高温 TF AM SOIPMOSFET和 CMOS数字电路的实验研究奠定了一定的理论基础 ,也为设计高温 SOI PMOSFET和 CMOS数字电路提供了一定的理论依据。     

锂离子保护电路中的负电压检测

对传统的负电压检测技术提出了三种改进方法，并给出了采用CMOS技术的具体实现和模拟结果。     

适于半导体器件模拟的改进Gummel算法

本文采用Ｓｌｏｔｂｏｏｍ变量把半导体器件模型归一化为奇异摄动问题．然后对该模型提出一种适于ｍ维（１≤ｍ≤３）数值计算的Ｇｕｍｍｅｌ算法，当外加偏压或器件测度（二维时如有效沟道长度，三维时如器件的有效体积等）足够小时，该算法是收敛的．数值例子表明，改进的Ｇｕｍｍｅｌ算法编程方便，收敛速度快．     

多晶硅发射极双极晶体管的工艺设计及计算机模拟

在简要分析多晶硅发射极双极晶体管特点的基础上，根据国内现有的双极工艺水平，设计了用于制备多晶硅发射极双极晶体管的工艺流程，并给出了一个最小尺寸晶体管的版图，最后对设计的多晶硅发射极晶体管的频率特性进行了模拟。     

EM NMOST和AM PMOST组合TF SOI CMOS非门下降时间的温度模型

详细介绍了EM NMOST和AM PMOST组合的TF SOI CMOS非门下降时间的温度电学模型建立过程.分别进行了27,100,150,250,250,300 ℃的非门瞬态特性实验.实验结果表明,EM NMOST和AM PMOST组合的TF SOI CMOS非门的下降时间随温度升高稍有增加,非常适合于高温应用.如果对其进行优化设计,有利于改善其上升-下降时间温度特性的对称性,提高其最高工作频率.     

超导／半导兼容技术的研究和发展

自从临界温度Tc超过液氮温度77K的高温超导材料和薄膜的研制成功,高温超导薄膜用于微电子学的研究受到了国际的关注.同时,近十年来,由于微电子器件和电路工作于液氮温度有着常温时所无可比拟的许多的优越性能,例如速度提高3～5倍等,所以低温微电子学也受到了人们的极大重视,已成为半导体电子学的一研究前沿.目前,国际上已推出了仅能在77K下正常工作的最短沟道0.07um的M0SFET,并已制成在77K下工作的商用超级计算机(ETA—10).本文结合以上研究,就超导/半导兼容技术作一评述性的报告.