重掺杂N型硅中低温本征载流子浓度(英文)

<正> The intrinsic carrier concentration ni0 in the undoped and the lightly doped silicon has been studied from 77 to 300K[1]. Considering that there exists the bandgap narrowing △Eg in the heavily doping silicon, the effective intrinsic carrier concentration niE of the heavily doped silicon can be Written as:     

77K NMOSFET沟道热载流子注入效应

通过综合测试７７Ｋ和２９５Ｋ下先电子后空穴以及先空穴后电子注入时阈值电压和平带电压漂移以及Ｉ－Ｖ特性的蜕变，研究了ＮＭＯＳＦＥＴ中电荷俘获、界面态产生以及器件蜕变的低温特性和机制．提出的界面蜕变模型成功地解释了低温下ＮＭＯＳＦＥＴ热载流子增强蜕变的微观机制．     

低温半导体器件模拟的误差限方法

本文从数值方法和求解变量的物理意义两主面出发，提出了适用于低温半导体器件计算机模拟的误差限方法，并且将该方法插入ＭＩＮＩＭＯＳ４．０进行了数值实验．结果表明，设置误差限方法能保证低温半导体器件模拟的数值敛性，并且有较快的收敛速度．     

高温热氧化工艺统计模拟初探

本文介绍一种高温热氧化工艺的统计模拟方法,并在此基础上对一种具体氧化工艺进行了计算和分析,指出了合理选择工艺参数的途径,对小尺寸集成电路器件的制造具有一定实际意义。     

硅低温低频低噪声双极晶体管的分析与设计

对硅双极晶体管低频噪声的本征与非本征两种分量进行了系统的理论分析，并研究了各自的温度特性，在此基础上，设计并研制出一种多晶硅发射极低温低频低噪声晶体管，其等效输入噪声电压。     

应用于电流控制型DC-DC开关变换器的分流开关技术

在简要讨论电流控制型DC-DC开关变换器基本原理及优点的基础上，分析了限流采样小电阻难以单片集成的问题，由此提出了解决此问题的分流开关技术，并给出了双极型和MOS型分流开关的详细公式推导，最后通过具体的设计实例，验证了分流开关技术应用于电流控制型DC-DC变换器的可行性。     

低踢回噪声锁存比较器的分析与设计

设计了一种低踢回噪声锁存比较器，着重分析和优化了比较器的速度和失调电压。在0.35μm CMOS工艺条件下，采用Hspice对电路进行了模拟。结果表明，比较器的最高工作频率为200MHz，分辨率在6位以上，灵敏度为0．3mV；在2．5V电源电压下，功耗为70μW。     

HBT中基区内建电场的物理机制及其理论分析

计算了具有线性Ｇｅ 分布的ＳｉＧｅ 基区价带有效态密度和空穴浓度的分布，分析了基区内建电场的物理机制，分别采用Ｂｏｌｔｚｍ ａｎｎ 统计和Ｆｅｒｍ ｉ Ｄｉｒａｃ统计给出了内建电场分布的表达式并进行了计算，最后讨论了基区重掺杂对电场的影响     

多晶硅发射极晶体管的低温频率特性研究

本文考虑低温下半导体中载流子冻析效应和浅能级杂质的陷阱效应等因素,分析了多晶硅发射极晶体管的低温频率特性。研究表明,受载流子冻析效应的影响,基区电阻在低温下随温度下降接近于指数上升,使晶体管的频率性能变环;而由于浅能级杂质的陷阱效应,低温下基区和发射区渡越时间变长,截止频率下降。这些因素在低温器件设计中应予重视。     

在Monte Carlo器件模拟中确定自由飞行时间的自散射方法

在半导体器件 Monte Carlo模拟中 ,自散射的引入是为了简化确定自由飞行时间的计算。文中证明了自散射的引入不改变真实散射的时间分布 ,从而使各种自散射方法有了统一的理论依据。