一种STN LCD驱动芯片的设计研究

介绍了一种超扭曲向列（STN）LCD驱动芯片的总体设计方案,重点讨论分析了其关键模块--接口电路、控制电路和驱动电路以及电源电路的设计,并用Verilog硬件描述语言对所设计的驱动芯片的功能进行了仿真验证。     

一种中频接收电路的版图设计

利用Cadence版图设计工具采用B300工艺对一种中频接收电路芯片的版图设计实例,阐述了模拟集成电路版图的设计过程,论述了包括单元库建立、布局、布线、设计规则检查（DRC）和版图对照原理图检查（LVS）等在内的设计步骤以及进行每一步骤的具体方法,尤其对布局和布线这样的关键步骤进行了重点讨论。最后给出了完整的芯片版图。     

一种中频接收电路的分析与设计

在分析超外差FM中频接收拓扑结构的基础上,设计出一种用于FSK（移频键控）信号的单片FM中频接收电路系统。通过仿真软件HSPICE对不同工作状态进行仿真,验证了电路设计的可行性。     

SMDS——一个采用面向对象技术设计的半导体器件模拟软件

本文采用当今流行的面向对象技术设计完成了一个半导体器件模拟软件——SMDS(SubMicron Device Simulator),讨论了在网络并行计算等方面扩展的可行性,并通过实例验证了该软件的有效性.     

IP模块设计:实例研究

设计能力和硅芯片所能提供的集成能力增长差距的扩大阻碍了片上系统的有效开发 ,为此必须提高设计人员的设计能力 ,降低产品开发周期和成本。设计的重用是提高设计能力的有效方法。文中通过实际 IP模块的设计 ,分析研究了如何开发高质量的可重用 IP模块。     

PD SOI NMOSFET翘曲效应的温度模型

报道了一个部分耗尽(PD)SOI NMOSFET翘曲效应的温度解析模型.该模型从PD SOI NMOSFET器件的物理结构,即由顶部的NMOSFET和底部的寄生BJT构成这一特点出发,以一定温度下PD SOI NMOSFET体-射结电流与漏-体结电流的动态平衡为核心,采用解析迭代方法求解,得出漏-体结碰撞电离产生的空穴在体区中近源端积累达到饱和时的体-射结电压,及漏-体结和体-射结电流的各主要分量,进而得到了PD SOI NMOSFET翘曲效应漏电流的温度解析模型,并将一定条件下的模拟结果与实验结果进行了比较,二者吻合得很好.     

基于IP 模块的片上系统设计

传统IC设计方法关注的是如何创建一个全新的设计并进行有效的验证。复杂的IP模块，嵌入式软件，不断增长的晶体管数量，这些都变成了传统方法日益沉重的负担，在片上系统SOC（system-on-chip)设计中，基于IP模块的功能组装正在逐渐代替传统的功能设计而成为主流的设计方法，本文介绍基于IP模块的片上系统的设计和验证。     

一种具有高电源抑制比的低功耗CMOS带隙基准电压源

文章设计了一种适用于CMOS工艺的带隙基准电压源电路，该电路采用工作在亚阈值区的电路结构，并采用高增益反馈回路，使其具有低功耗、低电压、高电源电压抑制比和较低温度系数等特点。     

硅低温晶体管的研究

本文从理论和实验上研究了硅晶体管电流增益的低温特性,建立了电流增益的温度模型阐明了低温时电流增益下降的机理,探讨了采用轻掺杂技术和a-Si发射区获得良好电性能的硅低温晶体管的方法,理论分析和实验结果吻合一致。     

非规则半导体器件耗尽区的两维分析

本文提出了应用复变函数的概念,对非规则半导体器件耗尽区进行适当变换,得到了研究非规则反偏pn结区的两维问题的新方法,并应用了自洽的耗尽区逻辑判别,计算了一种实际器件结构,得到了可行的结论.本文为非规则半导体pn结区的两维模拟提供了一种新的途径.