一种宽范围电压探测器的设计

以耗尽型ＮＭＯＳ管构成参考电压,通过激光修整,调节有关电阻的阻值和ＭＯＳ管的栅长,设计了一种探测范围很广的电压探测器。ＳＰＩＣＥ模拟表明,该电压探测器具有功耗低、温度漂移低、精确度高的特点。     

硅低温双极晶体管的数值模拟

本文讨论了有关低温双极器件模拟物理参数的低温模型和各种低温物理效应,确立了适用于低温双极器件模拟的数值分析方法,建立了适用于77-300K温度范围内硅双极器件模拟程序,最后模拟分析了一典型结构品体管的常温和低温时的工作特性。     

低温ECL电路的直流特性分析

本文在对低温双极晶体管的直流特性的分析基础上,推导出ECL电路在低温下的直流解析模型,并与实验结果和计算机模拟结果进行了比较,还对SPICEⅡ模型在低温下的修正和低温ECL电路的设计进行了一些探讨。     

高频npn Si1-yGey基区HBT的集电结势垒区模型

本文分析并给出了在无应力及界面态的理想条件下ｎｐｎ Ｓｉ１－ｙＧｅｙ基区ＨＢＴ集电结势垒高度的近似公式,重点推导了集电区穿通时的垫垒区宽度的定量计算公式,在比较了未发生集电区穿通的势垒区宽度后,得到了重要结论。同时,末文料给出了考虑应力及界面态密度后对模型的修正方法。     

2～8 GHz微波单片可变增益低噪声放大器

报道了一种微波宽带 Ga As单片可变增益低噪声放大器芯片。该芯片采用南京电子器件研究所 76mm圆片 0 .5μm PHEMT标准工艺制作而成。工作频率范围为 2～ 8GHz,在零衰减时 ,整个带内增益大于 2 5d B,噪声系数最大为 3 .5 d B,增益平坦度小于± 0 .75 d B,输入驻波小于 2 .0 ,输出驻波小于 2 .5 ,输出功率大于 1 0d Bm。放大器增益可控大于 3 0 d B。实验发现 ,芯片具有良好的温度特性。该芯片面积为 3 .6mm× 2 .2 mm。     

一种带有光标显示的LCD驱动控制芯片的设计

介绍了一种LCD驱动控制芯片的总体设计方案。该LCD驱动控制芯片具有比较完备的指令系统、完善的MPU接口和LCD接口、能存储大量常用字符的ROM、用户可以自行设计字符的RAM、光标显示电路等显著特色。重点讨论了MPU接口、指令译码、光标显示等模块的设计。最后,用Powrmill对芯片进行了功能和功耗仿真。     

SPICE 模拟中的收敛问题分析

电路模拟中最常遇到、最难解决的问题是电路收敛问题。本文在给出不收敛可能产生的耗因之后,着重分析和介绍了在直流模拟和瞬态模拟中解决收敛问题的方法。     

宽温区高温体硅CMOS倒相器的优化设计

在对体硅 CMOS倒相器直流特性、瞬态特性的高温模型和高温特性深入研究的基础上 ,提出了高温体硅 CMOS倒相器结构参数设计的考虑 ,给出了宽温区 (2 7～ 2 5 0℃ )体硅 CMOS倒相器优化设计的结果。模拟验证表明 ,所设计的体硅 CMOS倒相器在宽温区能满足下列电学参数设计指标 :输出高电平 Vo H>4 .95 V,输出低电平 Vo L<0 .0 5 V,转换电平 V*i (2 7℃ ) =2 .5 V,V*i(2 5 0℃ ) =2 .4 V,上升时间 tr(2 7℃ ) <110 ns,tr(2 5 0℃ ) <180 ns,下降时间 tf(2 7℃ ) <110 ns,tf(2 5 0℃ ) <16 0 ns。     

金属/绝缘层/硅(MIS)隧道二极管的发光机理

金属／绝缘层／硅（ＭＩＳ）隧道发光二极管的发光机理可以归结为表面等离极化激元（ＳＰＰ）与界面粗糙度的耦合．电流－电压特性曲线中６．５Ｖ附近的一个负阻和发射光谱中４７５ｎｍ的峰显示,在硅／二氧化硅界面激发起了与之相应的等离子体振荡．     

低温ECL电路的瞬态特性分析

本文对ECL电路的瞬态特性进行了较详尽的分析,给出了适于全温区的较精确的电路延迟时间表达式,并对影响tpd的主要参数的温度特性进行了分析。该模型可用于各种温度下高速器件和电路的优化设计。