多晶硅压力传感器的研制

<正> 一、引言 多晶硅作为一种压阻材料,可以通过化学汽相淀积工艺淀积在陶瓷,玻璃,SiO_2,Si_3N4等绝缘材料上,从而制造出一种SOI结构的压力传感器,选种特性为高温压力传感器和更为灵敏的触敏传感器提供可靠的工艺基础。 多晶硅压力传感器避免了扩散型压力传感器的pn结漏电问题,展宽了器件的工作温度范围,高温可达200℃。同时多晶硅电阻的温度系数随掺杂浓度可调,在一定掺杂水平可制造     

硅晶体管禁带宽度的测定

禁带宽度是硅晶体管的一个重要物理参数,本文根据晶体管pn发射结反向饱和电流和正向偏置电压的温度特性,提出了利用线性外推法确定硅晶体管各区域在0K时的禁带宽度的新方法。由于发射区重掺杂,还考虑了载流子的简并情况。本文主要取决于直流参量的温度特性,所得结果比较精确。 结果如下:对于发射区掺杂浓度N_E=1×10~(20)cm~_3,其禁带宽度E_(gE0)=1.056eV;对于集电区掺杂浓度N_C=5×10~(15)cm~(-3),其禁带宽度E_(gC0)=1.198eV。     

硅低温双极晶体管的优化设计与制备──Ⅱ结构与电特性分析

本文在前文器件掺杂分布优化设计的基础上，实现了结构设计和工艺选择，采用多晶硅发射极技术，研制成功了７７Ｋ下高增益（Ｈ＿（ＦＥ）可达２５０）硅双极晶体管；采用多晶硅发射区和基区重掺杂技术，获得了可与ＣＭＯＳ结构兼容，基区电阻较小的硅低温双极晶体管。     

低温微电子器件和电路——微电子学的研究前沿

一、微电子学发展的需要随着微电子器件、电路和系统的设计理论和工艺制备技术的发展,目前,在微电子技术某些方面,已面临着一种必须依靠低温才能解决问题的趋势.低温微电子学单独作为一学科发展方向问世,主要由以下几方面的因素促成:1.过去二十年来,集成电路的集成度每十年增加100倍,目前代表性产品是兆位动态随机存储器,集成度达到每芯片数百万个元件.由于CMOS电路独特的低功耗,高抗干扰能力等特点,已成为八十年代超大规模集成电路的主流工艺和技术.集成度的不断提高和器件尺寸的不断减小,正向其极限逼近.到九十年代初期,光学图形转移技术将会达到极限:     

LB单分子膜中电荷密度的确定

本文介绍了一种新的测定单层LB膜中电荷密度的C-V方法,解决了常规C-V方法的不精确问题。通过对硬脂酸C20H40O2膜中电荷密度的测定,表明此方法实用可行。     

场发射锥尖的制备及特性研究

研究了倒金字塔填充型锥尖及正向刻蚀硅尖的制备工艺,采用了两种封装结构测试了场发射硅尖阵列的发射特性,并分析比较了这两种结构的特点及用于制备高频微波器件的可能性。     

NMOS低温热载流子晶体管的解析研究

利用低温(77-295K)短沟NMOSFET准二维解析模型,研究了77-295K温区NMOSFET衬底电流相关的物理机制。发现沟道电子平均自由程不随温度而改变,其值约为7.6nm;低温下虽然沟道电子在漏端获得较高的能量,但由于碰撞电离减弱,使NMOSFET的衬底电流不随温度降低而显著增长。实验结果证明,提出的衬底电流机制和模型适用于77-295K宽温区范围。     

全单片高增益低噪声放大器

单片低噪声放大器由于体积小、重量轻、可靠性高 ,已广泛地用于卫星通信和电子系统。放大器的噪声和功率增益是接收机灵敏度的决定因素 ,因此在设计放大器时 ,首先要考虑这两个指标。但由于条件限制 ,工艺的偏差和元器件模型的不准确给设计和制造全单片低噪声放大器带来了困难。针对这些问题 ,采取了一些措施。电路设计前进行了大量准备 ,如小信号模型的建立 ,S参数和噪声参数的提取等。电路设计中针对 Ga As Foundry的实际情况 ,运用了 CAD技术 ,研制出了全单片高增益低噪声放大器。放大器由 4级级联而成 ,所有电路元器件 (包括直流偏置…     

2～6GHz全单片低噪声放大器

通讯系统、电子系统和高速光纤数据传输等都需要高性能的宽带低噪声放大器 ,如要求放大器稳定性高、增益平坦、输入输出驻波小和效率高。反馈放大技术克服了行波放大器和平衡放大器占用面积大、耗能大、研制费用高和效率低等缺点。南京电子器件研究所近来利用反馈技术研制出 2～ 6 GHz全单片低噪声放大器。该放大器采用 PHEMT背面通孔工艺 ,由两级内部级联而成 ,单电源供电 ,输入输出电容隔直 ,使用方便。电路中所有无源元件和有源器件 (包括偏置电路 )皆集成在 4 .0 mm× 2 .0 mm的 Ga As衬底上。设计前 ,进行了大量的基础研究工作 ,利…     

SOC的可测性设计

SOC(片上系统 )由于设计周期短、可重用性好、可靠性高等优点而被广泛应用。对于DFT(可测性设计 ) ,SOC的规模及复杂性带来了诸多挑战 ,如多时钟域问题、嵌入式模块的不同测试方法、引脚的有限性等等。文中将就这些问题结合实例讨论一种可配置的系统 DFT方法