Gruenwald插值算子的L1收敛速度

先给出了以第二类Ｔｃｈｅｂｙｃｈｅｆｆ多项式的零点为插值结点组的Ｇｒｕｎｗａｌｄ插值多项式于Ｌ１下的收敛速度，然后给出了一种修改的Ｇｒｕｎｗａｌｄ插值多项式及其于Ｌ１下的收敛速度。     

一类细菌培养呼吸过程数学模型的定性分析

本文对讨论已久但远未完成的系统(1)取q=1进行分析,从而使问题的定性分析得到了基本解决。主要结果是(1)_(q=1)存在一个唯一环,且得到(1)_(q=1)存在两个(内不稳外稳)环的条件。最后,作出了全局结构图。     

提高整个晶锭均匀性的GaAs晶体生长方法——通过施加磁场和改换炉体材料减少碳沾污

东芝公司考虑到杂质碳使FET闽值电压产生偏差的作用比位错大得多,就采取了两种途径来减少碳的沾污,开发出了本文这种GaAs晶体生长技术。两种途径是,向熔液水平施加3400奥斯特的强磁场,以控制对流;把碳炉体材料改换成AIN材料和用热解氮化硼覆盖加热器。其结果提高了整个晶锭的均匀性。使制作在整个3英寸片子上的FET阅值电压偏差小于20mV,而且能从3kg晶锭上切出70～80片大圆片。由于阈值电压偏差要比市售晶体的小一半,所以有可能制作出更高速的GaAs LSI。还由于制作成本仅比过去的非掺杂LEC的高10％左右,所以有利于GaAs LSI的批量生产。     

辊面激光强化过程的瞬态应力分析

轧辊表面在激光扫描过程中经历剧烈的热循环,由温度场的集中效应造成辊面应力呈现动态变化的趋势,扫描瞬时的光斑内部应力场以压应力为主。由于组织比容的变化,辊面处理后的残余应力分布更加复杂,采用实验手段测量应力分布状况的难度较大,因此,利用数值分析方法是合理的选择。     

GF(q)上非线性移存器序列及其反馈函数

本文将GF(2)上移存器序列及其反馈函数的概念推广到GF(q)上。首先给出一些基本概念与结果,然后引进一个新概念“RUP序列”,给出了非奇反馈函数一般表达式的一个充要条件与“组合序列”的一些性质。最后将剪接法推广为q元域上的轮换剪接,并给出M轮换剪接的特征,并探讨了一些轮换剪接的特殊类型。     

中立型泛函微分方程的稳定性问题

关于中立型泛函微分方程(dD(t)x_t)/(dt)=f(t,x_t)(1)的一致渐近稳定性问题,[2,3]在假设“f 关于φ是有界”的条件下已作了研究.本文在省掉“f关于φ有界”的条件下,讨论了系统(1)的零解稳定性问题,获得了某些结果.同时,在时滞有界的情形,若取D(t)x_t=x(t),则本文的定理1’即为[1]的定理1.     

用超塑合金制作注塑模型腔

在南京724研究所的帮助下,我们试用超塑合金ZnA122成功地制造了如图一所示产品的注塑模型胶。该模具投产后,已压制近万件产品,质量完全符合要求。预测该模具型腔寿命可达五万件左右。试验过程如下: 一、产品工艺分析图一产品系我厂TSL—2型台录机装饰件之一,产品结构较为复杂,表面转角处均有0.2毫米工艺圆角R。此产品还需镀铬处理,表面光洁度高。若用常规机械加工及电加工,凹模型腔较难实现,打光修正也困     

ρ—相依随机场的大偏差

本文证明了三级大偏差原理对有限相依场成立。