提高整个晶锭均匀性的GaAs晶体生长方法——通过施加磁场和改换炉体材料减少碳沾污

东芝公司考虑到杂质碳使FET闽值电压产生偏差的作用比位错大得多,就采取了两种途径来减少碳的沾污,开发出了本文这种GaAs晶体生长技术。两种途径是,向熔液水平施加3400奥斯特的强磁场,以控制对流;把碳炉体材料改换成AIN材料和用热解氮化硼覆盖加热器。其结果提高了整个晶锭的均匀性。使制作在整个3英寸片子上的FET阅值电压偏差小于20mV,而且能从3kg晶锭上切出70～80片大圆片。由于阈值电压偏差要比市售晶体的小一半,所以有可能制作出更高速的GaAs LSI。还由于制作成本仅比过去的非掺杂LEC的高10％左右,所以有利于GaAs LSI的批量生产。     

辊面激光强化过程的瞬态应力分析

轧辊表面在激光扫描过程中经历剧烈的热循环,由温度场的集中效应造成辊面应力呈现动态变化的趋势,扫描瞬时的光斑内部应力场以压应力为主。由于组织比容的变化,辊面处理后的残余应力分布更加复杂,采用实验手段测量应力分布状况的难度较大,因此,利用数值分析方法是合理的选择。     

GF(q)上非线性移存器序列及其反馈函数

本文将GF(2)上移存器序列及其反馈函数的概念推广到GF(q)上。首先给出一些基本概念与结果,然后引进一个新概念“RUP序列”,给出了非奇反馈函数一般表达式的一个充要条件与“组合序列”的一些性质。最后将剪接法推广为q元域上的轮换剪接,并给出M轮换剪接的特征,并探讨了一些轮换剪接的特殊类型。     

中立型泛函微分方程的稳定性问题

关于中立型泛函微分方程(dD(t)x_t)/(dt)=f(t,x_t)(1)的一致渐近稳定性问题,[2,3]在假设“f 关于φ是有界”的条件下已作了研究.本文在省掉“f关于φ有界”的条件下,讨论了系统(1)的零解稳定性问题,获得了某些结果.同时,在时滞有界的情形,若取D(t)x_t=x(t),则本文的定理1’即为[1]的定理1.     

用超塑合金制作注塑模型腔

在南京724研究所的帮助下,我们试用超塑合金ZnA122成功地制造了如图一所示产品的注塑模型胶。该模具投产后,已压制近万件产品,质量完全符合要求。预测该模具型腔寿命可达五万件左右。试验过程如下: 一、产品工艺分析图一产品系我厂TSL—2型台录机装饰件之一,产品结构较为复杂,表面转角处均有0.2毫米工艺圆角R。此产品还需镀铬处理,表面光洁度高。若用常规机械加工及电加工,凹模型腔较难实现,打光修正也困     

ρ—相依随机场的大偏差

本文证明了三级大偏差原理对有限相依场成立。     

135MeV/u 12C和铁相互作用中靶余核的质量分布

用核化学技术测定了135MeV/u ¹²C和铁相互作用中的靶余核的生成截面,通过高斯电荷分布函数得到了靶余核的质量分布.与46MeV/u ¹²C+Cu相比,发现A<30质量区的产额明显增加,且产物有偏向丰中子一侧的趋势.实验测定的质量分布与熔合碎裂模型和级联两体模型的计算结果进行了比较,结果似乎表明在很高入射能情况下多重碎裂衰变是A<30靶余核生成的主要反应机制.     

托卡马克装置第一镜受污机理及防护研究

本文简要描述了本项目的研究计划。该项目在本年度共进行了3次样品辐照试验，对辐照后的样品做了表面分析、结果表明第一镜的沉积主要是由于高能粒子与第一壁材料的轰击所致，对于HL-2A装置目前的放电参数和运行状况、辉光放电和壁的硅化处理更容易造成窗口玻璃或第一镜的沉积。