CMOS集成电路工艺评价及可靠性评估电路规范设计

本文对ＣＭＯＳ集成电路工艺评价及可靠性评估电路规范设计技术进行了详细的论述，包括评估电路图形库的建立、版图布局的规范设计、测试试验方法规范化等，使工艺评价ＰＣＭ和可靠性评估ＲＥＭ测试结构发展成为工艺监测、工艺控制和可靠性评估的实用技术。     

基于吴方法的立体视觉方法

本文把机器证明的吴方法创造性地应用到立体视觉领域。给出了线画图对间边线型匹配约束条件、轮廓线型对应约束条件以及曲线型约束条件,并由此给出了重建三维景物的一种整体立体视觉方法,理论分析和实验结果都表明此方法具有速度快、精度高等特点。     

目标二维RCS 成像仿真与实验研究*

对目标开展了二维RCS 成像仿真与实验研究,分别采用SBR 方法与解析方法计算目标的散射特性并 提取相应的二维RCS 成像信息,基于时域加窗技术对采样信号进行加权处理抑制旁瓣电平以提高成像质量,通过 Cross-Range 处理方法获取目标二维RCS 成像结果以表征目标散射的强弱分布,设计了斜置平板以及3 个小球这两 个典型案例,展开相应的二维RCS 成像仿真与实验分析研究。结果表明:二维RCS 成像仿真结果与测试结果吻合良 好,有效验证了二维RCS 成像仿真方法的有效性。     

装备固有测试性评价方法研究

固有测试性设计是装备测试性设计的重要内容,在对装备测试性进行验证和评价时,也需要评价其固有测试性。为了解决固有测试性评价方法适用性不强的问题,提出了一种新的装备固有测试性评价方法。在分析固有测试性设计要求的基础上,从检测隔离性能、功能结构划分的合理性、可控性和可观测性四个方面提出了6项评价指标,并利用模糊综合评价模型作为定量分析工具,最终达到量化评价装备固有测试性的目的。为进一步进行装备测试性综合评价或验证奠定了基础。最后通过某型液位传感系统的固有测试性评价实例,验证了该方法的可行性。     

花生状微/纳米CaMoO_4的表面热力学性质

采用室温反相微乳液法制备了3种不同尺寸的花生状微/纳米CaMoO4.基于纳米CaMoO4与块体CaMoO4热力学性质的本质差异,结合化学热力学基本理论及热动力学原理,推导出纳米CaMoO4摩尔表面热力学函数的关系式.在此基础上,采用原位微量热技术获得了花生状微/纳米CaMoO4的摩尔表面热力学函数.结果表明,花生状微/纳米CaMoO4的表面热力学性质变化具有尺寸效应,即随着尺寸的减小,摩尔表面焓、摩尔表面Gibbs自由能、摩尔表面熵均增加.     

基于优化多核极限学习机的车轮多边形磨耗识别

多边形车轮是铁路机车车辆中普遍存在的一种磨损现象, 随着列车运营里程的增加, 车轮磨耗程度显著提升, 严重影响着列车乘坐舒适性和运营安全性, 借助于列车运营监测大数据开展多边形车轮动态检测方法研究具有重要意义. 本研究基于列车轴箱垂向加速度建立了多边形车轮定量识别模型, 首先通过阶次分析识别出轴箱加速度中包含的多边形车轮主要阶次, 同时获取各阶次对应的加速度幅值信息, 在此基础上引入加速度信号熵特征共同构建多边形车轮磨耗幅值识别特征矩阵, 然后建立遗传变异粒子群优化多核极限学习机 (GMPSO-MKELM) 识别模型, 通过特征矩阵与磨耗幅值的映射关系, 进一步实现了车轮多边形磨耗幅值识别. 通过仿真与现场实测数据研究结果表明, 所提出的识别模型能有效地从轴箱加速度中提取多边形车轮主要阶次, 磨耗幅值的识别精度均优于对比模型且具有较高的检测效率, 可实现均方根误差为0.0010 (仿真结果) 与0.0134 (试验结果) 的精确识别, 本文提出的多边形车轮磨耗识别模型可为列车车轮检测与智能维护提供理论基础.      

变加速动力学纵横

回顾了近20多年来变加速动力学和广义猝变动力学的研究状况．对该领域多学科交叉发展势态做了适当评述．变加速动力学和广义猝变动力学可能成为经典力学的一个新的生长点．     

以金纳米溶胶为中间体同时制备阳离子及反相模式整体柱

本文以甲基丙烯酸缩水甘油酯(GMA)为单体,二甲基丙烯酸乙二酯(EDMA)为交联剂,环己醇和十二醇为致孔剂,过氧化苯甲酰(BPO)为引发剂,制备了有机聚合整体材料基质,利用金纳米粒子(AuNPs)易与巯基基团(-SH)共价键合的特点和有机聚合整体柱的优点,以半胱胺和金纳米溶胶(AuNPs)为中间体,依次采用2-巯乙基磺酸钠和正十八烷硫醇修饰该柱,制备了表面具有阳离子交换和疏水作用两种模式的整体柱,拓宽了有机聚合物整体柱的应用领域。制备的整体柱适用于不同色谱模式下蛋白质或多肽混合物的分离。     

电离辐射对部分耗尽绝缘体上硅器件低频噪声特性的影响

本文针对辐射前后部分耗尽结构绝缘体上硅(SOI)器件的电学特性与低频噪声特性开展试验研究. 受辐射诱生埋氧化层固定电荷与界面态的影响, 当辐射总剂量达到1 M rad(Si) (1 rad = 10^-2 Gy)条件下, SOI器件背栅阈值电压从44.72 V 减小至12.88 V、表面电子有效迁移率从473.7 cm²/V·s降低至419.8 cm²/V· s、亚阈斜率从2.47 V/dec增加至3.93 V/dec; 基于辐射前后亚阈斜率及阈值电压的变化, 可提取得到辐射诱生界面态与氧化层固定电荷密度分别为5.33×10¹¹ cm^{- 2}与2.36×10¹² cm^-2. 受辐射在埋氧化层-硅界面处诱生边界陷阱、氧化层固定电荷与界面态的影响, 辐射后埋氧化层-硅界面处电子被陷阱俘获/释放的行为加剧, 造成SOI 器件背栅平带电压噪声功率谱密度由7×10^{- 10} V²·Hz^-1增加至1.8×10^-9 V² ·Hz^-1; 基于载流子数随机涨落模型可提取得到辐射前后SOI器件埋氧化层界面附近缺陷态密度之和约为1.42×10¹⁷ cm^-3·eV^-1和3.66×10¹⁷ cm^-3·eV^-1. 考虑隧穿削弱因子、隧穿距离与时间常数之间关系, 本文计算得到辐射前后埋氧化层内陷阱电荷密度随空间分布的变化.