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91.
用循环伏安法研究了分子沉积(MD)膜的屏蔽效应,讨论了不同条件对其成膜性和稳定性的影响,得到了金电极表面沉积规整MD膜的一般机制和佳成膜条件,证实了MD膜的自发有序排列的组装过程。 相似文献
92.
高先存 《广东微量元素科学》2006,13(6):55-55
锰是人体必需的微量矿物元素之一,是构成正常骨骼时所必要的物质。虽然人类在正常膳食条件下无发生锰缺乏的报道,但在日常疾病诊治中仍然经常遇到因锰缺乏而导致的各种病症。锰在人体内总含量为200~400μmol。锰在人体内一部分作为金属酶的组成部分,一部分作为酶的激活剂起作用 相似文献
93.
有关Co(Ⅱ)、Ni(Ⅱ)萃取分离的研究一直受到人们的重视。Preston报导了硫氰酸季铵盐(Q~ SCN-)萃取Co(Ⅱ)、Ni(Ⅱ)的平衡研究,认为Co(Ⅱ)的萃合物组成为Q_2Co(SCN)_4.本文用上升液滴法技术考察了Co(Ⅱ)/0.10mol·L~(-1)SO_4~(2-)/QSCN-煤油体系在298±1K条件下萃取速率R与CoSO_4、SO_4~(2-)和QSCN浓度的关系,确定了正向初始萃取速率方程,拟定了速控步骤。 相似文献
94.
合成了双氯桥双核钯配合物[Ph_2P(o-C_6H_4CO)PdCl]_2·2CH_2Cl_2进行了元素分析、红外光谱表征和晶体结构测定,研究了其催化氢化性能。在30~80℃、氢分压1.0~5.0MPa的范围内。发现该配合物是催化氢化丙烯酸为丙酸的有效催化剂.晶体[Pd_2Cl_2(C_(19)H_(14)OP)_2]·2CH_2Cl_2属P1空间群,a=0.9304(3)nm,b=1.0392(2)nm,c=1.1062(3)nm;a=102.78(2),B=97.35(3),γ=95.25(2),V=1.0264nm~3,M=1032.17,2=1,Dc=1.670g/cm~3,u=13.695cm~(-1),F(000)=512,用1945个独立衍射精修结构,最终R=0.036。 相似文献
95.
在实际飞行环境中温度是引起漆层失效的重要因素之一,飞机在长时间服役后需去除老化漆层以便喷涂新漆层,确保飞机运行的安全性和可靠性。本文采用波长为1064 nm的平顶脉冲激光对铝合金蒙皮表面漆层进行清洗,并对铝合金蒙皮激光除漆后新漆层进行高温加速老化,模拟飞机停场时铝合金漆层系统的耐高温性。采用扫描电子显微镜、激光共聚焦显微镜、附着力测试仪以及电化学工作站,综合评价了激光除漆效果及新漆层表面形貌、漆层与铝合金的附着力、电化学阻抗特性等耐温性指标。结果表明:激光功率500 W、扫描速度4000mm/s、扫描间距0.1 mm时可将铝合金表面漆层去除且不损伤铝合金,重新喷涂后的附着力达到0级且附着力时效性能较好;150℃加速老化48 h的漆层附着力为1级,漆层表面微观形貌无明显变化、漆层光滑平整、无缺陷且低频区域电化学阻抗模值>109Ω·cm2。 相似文献
96.
冯伟刘恒高皓左方伍冲 《电子器件》2023,46(2):510-515
首先针对数据融合背景下,配电网故障抢修的分类以及影响因素进行了分析。针对配电网络中的优化策略、调度资源、抢修资源分配、抢修策略数据等方面的数据融合提出了体系架构。针对含分布式电源配电网多故障抢修建立了以负荷损失最小和抢修故障用时最小为目标的数学模型,以期望缺电量为原则计算故障损失,并考虑了多组抢修小队对不同配电网故障的抢修时间。利用智能分析算法求解该模型,提出了基于云模型的改进共生生物搜索算法。最后利用IEEE33节点模型进行了仿真分析,说明了抢修策略和算法有效性。 相似文献
97.
摘 要:目的 探究养胃增液汤联合双歧四联活菌片治疗厌食症患儿对其胃肠道激素水平的影响。方法 收集2021年4月至2022年4月我院接纳的厌食症患儿110例,随机分为对照组:55例,年龄2~10岁,平均(6.02±1.09)岁,给予双歧四联活菌片,持续治疗4周。治疗组:55例,年龄2~10岁,平均(6.02±1.09)岁,给予双歧四联活菌片+养胃增液汤治疗,持续治疗4周,评估临床疗效,记录治疗前、治疗后两组患儿中医症状积分、体质量、日摄食量,采集患儿肘静脉血测量血清胃肠道激素水平,统计给药期间患儿不良反应。结果 治疗组总有效率显著高于对照组(P<0.05);治疗后治疗组体质量、日摄食量显著高于对照组(P<0.05);治疗后治疗组主症积分、次症积分均显著低于对照组(P<0.05);治疗后治疗组血清胃动素(MTL)、胃泌素(GAS)水平显著高于对照组,生长抑素(SS)水平显著低于对照组(P<0.05);对照组与治疗组不良反应发生率无显著差异(P>0.05)。结论 养胃增液汤联合双歧四联活菌片治疗小儿厌食症可显著改善患儿胃肠道激素水平,缓解临床症状,提升临床疗效,且联合给药未见明显增毒现象。 相似文献
99.
100.
为实现满足电网应用要求的短路能力强、反向偏置安全工作区大、工作结温高的3 300 V高压绝缘栅场效应晶体管模块,提出了一种具有N型增强层的IGBT元胞结构,采用P型隔离区的元胞布局结构和台阶形场板的保护环结构的IGBT设计。基于203.2 mm(8英寸)平面栅IGBT加工工艺,制作出的芯片封装成3 300 V/1 500 A的IGBT模块。模块常温下的饱和压降(V(CEsat)为2.55 V,动态总损耗(Etot)为5 236 mJ;高温150℃下的VCEsat为3.3 V,集电极和发射极间的漏电流(ICES)只有38 mA,Etot为7 157 mJ。在常温时,当栅极和发射极电压(VGE)为18.5 V的条件下,模块通过了一类短路测试。在150℃下,模块通过了2.5倍额定电流的反向偏置关断测试。 相似文献