两片ADS7863与TMS320F28335的接口设计

为了实现DSP芯片与串行A/D芯片的多信号通信,设计了TMS320F28335的多通道缓冲串口（McBSP,Multi-channel Buffered Serial Port）与两片串行A/D转换器ADS7863的硬件与软件接口。在硬件接口设计中两片ADS7863与同样的McBSP引脚连接,A/D转换结果被同一个数据接收引脚接收。该系统设计可以使DSP扩展更多的ADS7863芯片,从而可以采集更多的信号。其次,该设计中A/D转换器与McBSP串口直接相连,不需要占用并行数据总线,避免了总线冲突。通过在CCS环境下编程、调试,得到了满意的实验结果,验证了该接口设计的正确性。     

金属有机化学气相沉积GaAs／Si外延层中的深能级发光对温度的依赖关系

本文测量了用金属有机物化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）方法在Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ外延层中的深能级发光光谱对温度的依赖关系，系统地研究了１．１３和１．０４ｅＶ发光带的发光强度，峰值位置和半宽度随着温度的变化关系，获得了它们的热激活能，Ｈｕａｎｇ－Ｒｈｙｓ因子，振动声子能量和Ｆｒａｎｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移，并讨论其来源．     

MOCVD法异质外延GaP／Si薄膜的研究

微电子和光电子材料兼容的技术是未来功能器件中的一个重要方向,它可以将成熟的Si集成工艺和GaP优良的发光特性结合起来,完成新一代微型显示和集成光学元件。我们用MOCVD方法在Si衬底上异质外延GaP薄膜,通过X光双晶衍射和能谱分析,在国内用MOCVD方法首次获得了GaP/Si的单晶薄层,并研究了它们的结构特性。     

In_（0．6）Ga_（0．4）As／InP应变量子阱的光致发光

本文研究了不同阱宽的Ｉｎ０．６Ｇａ０．４Ａｓ／ＩｎＰ应变量子阱的光致发光，通过量子尺寸效应和压缩应变引起的峰值能量位移判断了不同谱峰的跃迁．在一定的温度范围内，相应量子阱的发光强度随着温度的升高而增加，当温度高出此范围，其光强随温度的升高而减小，此温区不仅与阱宽有关。且随激发光强而变化．我们用量子阱的限制效应和激子的转换机理，初步探讨了此温度范围的形成和消失．     

GaAs衬底上生长的Ga_(0.5)In_(0.5)P外延层中的近红外光致发光对激发强度的依赖关系

本文首次报道了利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长的有序的Ga_(0.5)In_(0.5)P外延层的近红外光致发光的研究,并观测到深能级产生的三个发光峰,其峰值能量分别为 1.17,0.99和 0.85eV.根据它们的近红外发光光谱随着激发强度的变化关系,我们证实这些发光都是由于施主-受主对复合产生的发光.     

纯绿LED的辐射机理和深能级研究

本文结合N-free GaP材料外延生长和器件研制,用时间分辨光谱和发射光谱对温度的依赖关系,研究了构成绿色辐射的不同跃迁过程,测量了它们的光生载流子寿命.通过阴极射线轰击芯片前后深能级瞬态谱(DLTS)的分析,并根据退化过程中近红外光谱的变化,探讨了影响纯绿LED效率的主要因素.     

发光的低磷化硼半导体器件

在B_6P内的p—n结上施加正向偏压可从透明区获得场致发光。透明区的碳含量小于0.05％,其它杂质含量为0.1％。     

深能级及其在发光研究中的应用

本文介绍了三种测量深能级的基本方法－深能级瞬态能谱（ＤＬＴＳ）、光致发光（ＰＬ）、光电容（ＰＣ）及用它们研究不同发光材料和器件的结果，其中包括发光二极管的效率和退化过程、ＧａＮ材料中蓝色发光深中心、ＺｎＳ场致发光薄膜的初始载流子源以及用ＭＯＣＶＤ法生长Ⅲ－Ⅴ族单晶薄膜的缺陷分析，它是将半导体深能级的基础知识运用于发光机理和光电特性研究，在不同的领域中所取得的进展。     

Ga1-xAlxAs LED深能级对其发光效率的影响

本文用DLTS法测量了发光效率不同的三只Ga1-xAlxAs LED的深能级浓度.深度和俘获截面,并计算出电子和空穴的寿命,同时测量了它们的发光光谱和光通.从发光效率正比于载流子寿命的观点出发,分析了实验结果.表明1*与3*LED发光效率比R1大致等于它们的寿命比Rτ,但2*与3*却差别很大,文中从光谱角度作了一些分析,差值有所改进.从载流子寿命分析,找出了△Em=0.28、0.33与0.32eV三个能级是分别影响三个LED效率的主要能级。指出了8800Å的红外峰是使发光效率降低的另一个原因,它可能起因于外延层与村底界面处GaAs的带间复合和通过杂质的复合,要得到高效的LED必须制备出好的Ga1-xAlxAs与GaAs界面,应尽可能使红外峰减少.实验表明,效率高的LED仅有一个深能级(0.28eV),在室温下视察不到明显的红外峰。