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461.
水面单分子层膜的原位光谱测定方法 总被引:1,自引:1,他引:0
将溶于挥发性有机溶剂的双亲性分子溶液小心地滴加在平静的水面上,待溶剂挥发后,沿横向压缩使分子以亲水基与水接触、疏水基远离水面的形式整齐地排列在水-空气界面上,形成缀密的单分子膜-Langmuir 膜。这类界面 相似文献
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463.
In order to improve the optical properties of the Ⅲ-Ⅴ laser diodes (LDs) by means of H2S plasma passivation technology, H2S plasma passivation treatment is performed on the GaAs(110) surface. The optimum passivation conditions obtained are 60-W radio frequency (RF) power and 20-min duration. So the laser cavity surfaces are treated under the optimum passivation conditions. Consequently, compared with unpassivated lasers with only AR/HR-eoatings, the catastrophic optical damage (COD) threshold value of the passivated lasers by H2S plasma treatment is increased by 33%, which is almost the same as that of (NH4)2Sx treatment. And the life-test experiment has demonstrated that this passivation method is more stable than (NH4)2Sx solution wet-passivated treatment. 相似文献
464.
465.
466.
建立了低轨卫星对空间目标的三维观测模型和定位方法,并对采用该方法时,各种因素对定位精度的影响进行了理论分析,给出了三维空间中不同高度的定位精度几何稀释(GDOP),得出了有意义的结论,可为低轨卫星星座设计和传感器调度提供参考依据。 相似文献
467.
Dirac semimetals are materials in which the conduction and the valence bands have robust crossing points protected by topology or symmetry. Recently, a new type of Dirac semimetals, so called the Dirac line-node semimetals(DLNSs), have attracted a lot of attention, as they host robust Dirac points along the one-dimensional(1D) lines in the Brillouin zone(BZ).In this work, using angle-resolved photoemission spectroscopy(ARPES) and first-principles calculations, we systematically investigated the electronic structures of non-symmorphic ZrSiS crystal where we clearly distinguished the surface states from the bulk states. The photon-energy-dependent measurements further prove the existence of Dirac line node along the X-R direction. Remarkably, by in situ surface potassium doping, we clearly observed the different evolutions of the bulk and surface electronic states while proving the robustness of the Dirac line node. Our studies not only reveal the complete electronic structures of ZrSiS, but also demonstrate the method manipulating the electronic structure of the compound. 相似文献
468.
为了快捷而有效地检测半导体激光器的封装应力,设计了一种通过检测激光器巴条各个单元偏振度揭示出其封装应力分布的实验方法。实验测试半导体激光器巴条的各项参数,并利用有限元软件模拟,通过半导体能带与应力理论,说明偏振度与封装应力的影响关系。实验表明,巴条个别发光单元的偏振度较低、阈值电流较高是由于封装应力较大。通过计算,封装应力为141.92 MPa,偏振等效应力最大为26.73 MPa。实验器件在阈值以下的偏振度较好地反映了封装应力的分布趋势。利用阈值电流以下测量器件偏振度,可以为选择热沉及焊料材料、焊接工艺参数的改进等方面提供一个较为快捷而有效的检测方法。 相似文献
469.
470.