高清单反新时代想说爱你不容易

在谈到高清单反相机的时候，非专业人士会说，“没有自动对焦，我要用它拍小孩，怎么拍啊？”或者“它和演播室里用的大机器哪个好？”，他们并不理解在视频工业里，不同的应用所使用的设备可能会千差万别，尽管它们看起来差不多；而一些“资深”专业人士会说，“不能拍24p，不能转成胶片”，仿佛他们每年都有用摄像机拍作品做磁转胶、上院线。     

六极装置电场分布及对CH3Cl分子束选态会聚的模拟

通过数值获得的六极装置内部电势分布数值解,拟合得出电势分布公式中的系数,给出各项系数随着装置参数ρ0/r0的变化规律及拟合函数形式,结果表明ρ0/r0=0.5516时,六极装置的电场分布最接近理想六极电场. 对于其它ρ0/r0值时,推导出电势、电场更精确的计算公式. 并利用这些公式,在ρ0/r0不满足最优配置时给出了对CH3Cl分子转动态的会聚所需的实验参数. 这些方法为利用六极装置对分子束会聚和转动态选择的理论模拟及试验提供了更准确的理论依据.     

化学气相沉积4H-SiC同质外延膜的生长及其特征

采用常压化学气相沉积(APCVD)方法在偏向<11-20>晶向8°的p型4H-SiC(0001)Si-面衬底上进行同质外延生长.霍尔测试的结果表明,非有意掺杂的外延膜层导电性为n型.XRD测试显示各个样品只在位于2θ=35.5°附近出现一个谱峰,表明外延膜是SiC单晶.在低温PL谱中,对于在较低温度下外延生长的4H-SiC样品,在1.8～2.4eV范围内出现很宽的谱峰.而在该样品的Raman谱中,也观察到了典型的3C-SiC的特征峰,表明该样品含有立方相SiC的混晶,这与PL谱获得的结果相吻合.     

980 nm高功率列阵半导体激光器

分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素．利用分子束外延生长方法生长出ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱激光器材料．利用该材料制作出的应变量子阱列阵半导体激光器准连续（１００ Ｈｚ,１００ μｓ）输出功率达到 ８０Ｗ（室温）,峰值波长为 ９７８～９８１ｎｍ．     

980nm高功率列阵半导体激光器

分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱激光器材料。利用该材料制作出的应变量子阱列阵半导体激光器准连续（100Hz,100μs）输出功率达到80W（室温）,峰值波长为978－981nm。     

1967～2033 nm波段硅基可调谐外腔半导体激光器设计与仿真

2μm波长附近可调谐半导体激光器在分子光谱学和光通信领域中有广阔的应用前景。基于绝缘体上硅（SOI）平台,对2μm波长附近可调谐半导体激光器的外腔部分进行了设计优化。分析了不同尺寸光波导的模式损耗特性、单个微环谐振腔受总线波导耦合间距的作用以及总线波导光反馈终端对外腔半导体激光器性能的影响。并提出了一种具有高工艺兼容度的多模环形光波导光反馈结构。所设计的可调谐半导体激光器硅基外腔可通过环形波导上的镍铬合金微加热器进行0.1 nm/K的高精度调谐,对单个微加热器施加3.2 V电压时,调谐范围可达66 nm(1967～2033 nm)。     

烟幕初始云团半径变化规律理论模型及实验研究

为了评估烟幕的遮蔽效能,需要对烟幕云团初始参数进行计算,即烟幕云团在爆炸能量下形成的最大半径。本文中基于一种简单烟幕发生装置,把云团的膨胀过程分为2个阶段,分别为等熵膨胀阶段和自由膨胀阶段,建立了烟幕云团膨胀的理论模型,对模型进行分析建立了烟幕云团膨胀过程微分方程组。采用四阶龙格-库塔方法求解得到烟幕云团的半径变化规律。通过实验结果分析可知,该理论模型能够描述给定装置烟幕云团膨胀的基本规律。通过缩比效应,可将其用于爆炸发烟装置初始云团参数的计算。     

磁控管用新型直热式稀土铪酸钆陶瓷阴极研究

为了提高大功率磁控管的输出功率,延长其使用寿命,采用难熔稀土氧化钆和过渡金属氧化铪制备大功率磁控管用新型直热式稀土铪酸钆陶瓷阴极,并对该阴极的热发射特性和寿命特性等进行了测试,热发射测试结果显示该阴极在1300℃ br即可提供0.1A/cm²发射电流密度,1600℃ br下可提供超过1.93A/cm²的发射电流密度.寿命实验结果显示,该阴极在1500℃ br,直流负载为0.5A/cm²的条件下,寿命已经超过4000h.最后,利用X射线衍射仪、扫描电镜、能谱分析仪、氩离子深度刻蚀俄歇电镜等设备分别对该阴极活性物质的分子结构,阴极表面微观形貌、元素成分及含量等进行了分析.结果表明,高温烧结合成了单一的铪酸钆物相,烧结过程中当一种Gd³⁺价稀土氧化钆掺入Hf⁴⁺价的过渡金属氧化铪时,会发生离子置换固溶,为了保持铪酸钆晶格的电中性,晶格中就会产生一个氧空位.当阴极在激活、老练、热发射测试时,会加速氧空位的生成,产生的氧空位越多,阴极表面导电性就会越好,这间接降低了逸出功,从而提高了阴极的热发射能力.     

锂锌铁氧体微纳米纤维的电纺制备及吸波性能

采用静电纺丝技术结合后续热处理制备了尖晶石型Li_0.35Zn_0.3Fe_2.35O₄微纳米纤维. 利用差示扫描量热(DSC)-热重分析(TGA)、 傅里叶变换红外光谱(FTIR)、 X射线衍射(XRD)和场发射扫描电子显微镜(FESEM)等手段研究了煅烧温度(700, 800, 900, 1000 ℃)对产物物相和形貌的影响; 利用矢量网络分析仪分析了纤维状产物的吸波性能. 研究结果表明, Li_0.35Zn_0.3Fe_2.35O₄在700 ℃及以上温度煅烧后可生成单一尖晶石结构. 随着煅烧温度的升高, 产物依次呈现出微纳米纤维状、 三维网络状、 竹节状和颗粒状的微观形貌. 随着匹配厚度增加, 微纳米纤维状Li_0.35Zn_0.3Fe_2.35O₄的最低反射率向低频移动, 在8 GHz以下的最佳匹配厚度为6 mm, 在此厚度下吸波性能优良, 最低反射率为-26 dB, 对应的吸收频率为5.0 GHz, 低于-10 dB的吸收频带为4.0~8.0 GHz, 带宽为4 GHz.     

ZnxMg1-xO和ZnO：Al外延膜的激射特征

介绍了ZnxMg1-xO和ZnO：Al外延膜的激射特性。发现Mg替代的浓度灵敏地改变带隙宽度及受激发射峰的光子能量（激光频率）,对发光效率影响较小。观察到Zn0.78Mg0.22O中光子能量高达3．51eV的激射,据我们所知这是目前ZnO系列材料已报道的最短波长的激射,而且其等离子体激射频带不随激发强度变化。结果表明Mg替代可以用作调节改变材料的响应波长。