InGaAs量子点的自发发射及光增益

研究了InGaAs量子点材料自发发射、放大自发发射及光增益特性.实验发现InGaAs量子点材料随着注入电流密度的增加,其自发发射及放大自发发射光谱峰蓝移,表现出明显的能带填充现象.由于量子点材料尺寸及形状等存在一定的分布,在光谱中没有明显的对应量子点激发态的谱峰.由单程增益放大自发发射得到了量子点材料在不同注入电流密度下的光增益谱.结果表明存在由于量子点大小分布造成的量子点态非均匀展宽引起的增益峰蓝移和增益谱展宽现象.     

InGaAs/GaAs量子点类脊型激光器的激射特性

用MOCVD方法生长制备了多层InGaAs/GaAs量子点结构 ,并研制出量子点激光器。研究了多层量子点激光器阈值激射特性与量子点有源区结构之间的关系 ,结果表明激光器的阈值电流密度依赖于量子点的结构。通过采用多层量子点、对量子点层间进行耦合以及采用宽禁带AlGaAs作为量子点层势垒可以有效地降低激光器的阈值电流密度。获得了最低为 2 0A/cm2 的平均阈值电流密度。量子点激光器的激射波长也与有源区结构有关 ,随着量子点层数增加 ,激射峰向长波方向移动。     

基于倾斜波前技术的高能强场太赫兹辐射脉冲源

回顾了基于倾斜波前技术并利用飞秒激光抽运铌酸锂晶体产生高能强场太赫兹辐射脉冲源的研究背景和发展历程,系统地介绍了倾斜波前装置中各组成部分对太赫兹辐射脉冲的能量转化效率以及发射特性的影响,提出了利用这种技术产生mJ量级的超强太赫兹源的可能途径,展示了强太赫兹源的潜在应用价值。     

808nm波长高功率阵列半导体激光器

报道了采用MBE外延生长方法制备的叠层阵列CW工作型高功率半导体激光器。激光器的生长结构采用经过优化的单量子阱渐变折射率分别限制波导结构 ,激光器芯片结构为标准的CM条 ,注入因子设计为 6 0 %。叠层装配采用了具有高效散热能力的水冷结构。经初步测试 ,叠层器件的阈值电流为 12A ,直流 30A驱动电流下的输出功率达 40W ,斜率效率为 2 2W /A。器件中心激射波长为 810nm ,光谱宽度 (FWHM )为 6nm。     

230MHz电力专属频段WiMAX通信系统信息安全研究

分析当前WIMAX标准通信技术与接入实现,详细描述并分析了当前WIMAX标准中的安全机制及其漏洞分析。在230MHz电力专属频段构建Wi MAX通信系统,提出内嵌独立的数据加密算法确保通信安全设计方案。实际使用表明230MHz电力专属频段Wi MAX系统适合电力通信需求,其信息安全得到有效保护。     

CDMA2000网络系统的运营与无线网络优化技术

随着时代的进步和社会经济的发展，电子计算机技术得到了飞速发展。网络技术的进步，促使我们进入到了信息时代中，人们对于网络也提出了更高的要求。特别是如今上网人群数量越来越大，并且还在以很高的速度增长，这样就会对系统性能产生影响，那么就需要进行必要的优化。文章简要介绍了CDMA2000网络系统的运营与无线网络优化技术，希望可以提供一些有价值的参考意见。     

霓虹的重现及其偏振和干涉研究

本文基于2021年全国大学生物理竞赛(创新赛)的命题之一“霓虹现象的设计与重现”,设计了一种基于超连续谱激光器的霓虹重现方案,得到了很好的实验效果.相比已报道的霓虹实验,本文的方案既能呈现清晰的霓虹现象,又能定量测量霓虹的偏振和干涉等波动光学特性.本实验从生活中常见的物理现象出发,契合大学物理教学中的波动光学内容,是一个集趣味性和探究性一体的课题物理实验教学案例.     

靶向亲和-液相色谱-质谱联用技术快速筛选黄藤总生物碱中乙酰胆碱酯酶抑制剂

采用靶向亲和-液相色谱-质谱联用技术(Target molecule affinity-LC-ESI-MSn)快速筛选黄藤总生物碱中能够抑制乙酰胆碱酯酶活性的成分,共筛选出12种具有潜在抑制乙酰胆碱酯酶的活性成分,并鉴定了6种成分,分别为黄藤素(Palmatine)、小檗碱(Berberine)、药根碱(Jatrorrhizine)、巴马汀红碱(Palmatrubine)、7,8-二氢-8-羟基小檗碱(7,8-Dihydro-8-hydroxyberberine)、Groenlandicine,结合体外酶学实验对这6种化合物进行了活性验证实验.结果表明,黄藤素抑制活性最强,其抑制作用强于阳性对照药盐酸多奈哌齐,说明黄藤素具有开发成抗阿尔茨海默症药物的潜力.本方法简单、快速、准确地从复杂的中药提取物中筛选出具有抑制乙酰胆碱酯酶活性的成分,适用于复杂体系中的高通量筛选.     

NN算子及Weyl型定理

本文定义一种新的算子――NN算子,通过这种新算子定义的NN谱给出有界线性算子满足Weyl定理、a-Weyl定理、Browder定理和a-Browder定理的充要条件.     

溅射ZnO薄膜钝化GaAs表面性能的研究

为了改善GaAs(110)与自身 氧化物界面由于高表面态密度而引起的费米能级钉扎(pinning)问题 ,提出采用射频磁控溅射技 术在GaAs(110)衬底上沉积一定厚度 ZnO薄膜作为钝化层,并利用光 致发光(PL)光谱和X射线光电子能谱(XPS) 等方法对ZnO薄膜的光学特性及钝化性能进行表征。实验结果表明,经ZnO薄膜钝化后的 GaAs样品,其本征PL峰强度提高112.5%,杂质峰强度下降82.4%。XPS光谱分析表明,Ga和As原子的比值从1.47降低 到0.94,ZnO钝化层能 够抑制Ga和As的氧化物形成。因此,在GaAs表面沉积ZnO薄膜是一种可行的GaAs表面钝化 方法。