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371.
为实现不同成因类型的低空风切变观测,利用两台相干多普勒测风激光雷达在北京首都国际机场展开试验观测。针对干性雷暴和地形引起的两类风切变,分别采用多普勒波束摆动(Doppler Beam Swing,简称DBS)和下滑道两种扫描模式进行风切变的探测与识别。结果表明,DBS模式风切变识别方法可有效识别干性雷暴引起的水平低空风切变,下滑道模式可有效识别地形诱导的下滑道顺风和逆风风切变。干性雷暴造成的风速骤增、风向突变和上升下降气流的强烈对流是引发低空风切变的主要原因。地形诱导风切变主要由高速气流和复杂下垫面相互作用产生,具有偶发性和瞬变性的特点。 相似文献
372.
373.
采用NPB掺杂石墨烯作为空穴传输层,制备有机电致发光器件(OLED),器件结构为ITO/NPB:Graphene(20wt.%)(50nm)/Alq3(80nm)/LiF(0.5nm)/Al(120nm)。将其与标准器件ITO/NPB(50nm)/Alq3(80nm)/LiF(0.5nm)/Al(120nm)作性能比较,研究石墨烯对OLED性能的影响。结果表明,在NPB中掺杂石墨烯薄层的器件,在同等条件下性能最佳,当电流密度为90mA/cm2时器件电流效率达到最大值3.40cd/A,与标准器件最高效率相比增大1.49倍;亮度在15V时达到最大值10 070cd/m2,比标准器件最大亮度增大5.16倍。 相似文献
374.
808nm无铝材料激光器可靠性筛选的实验探讨 总被引:1,自引:1,他引:0
对808nm无铝InGaAsP/GaAs半导体激光器进行可靠性筛选实验,给出了器件老化前后的工作特性及其变化情况;讨论器件工作特性变化甚至失效的可能原因,并给出在进行器件的可靠性做初步的判定,认为工作电流的变化率小于1%时是可靠的器件。 相似文献
375.
超细多孔TiO2的制备及机理研究 总被引:22,自引:0,他引:22
以硫酸和氨水为原料,以乙醇为分散剂,采用化学沉淀法合成了超细多孔TiO2,并详细考察了pH值和反应温度对TiO2前驱体结构的影响.多孔TiO2随着焙烧温度的提高,比表面有所降低,导致这一现象的原因是晶粒生长及相转变.从孔分布曲线分析可知,200℃得到样品的一部分微孔,在较高温度的焙烧过程中被烧结,得到了孔分布更为均匀的多孔粉体,由TEM照片可清晰看到多孔TiO2的空间网络结构. 相似文献
376.
377.
报道了808nm无铝InGaAsP/GaAs高功率连续阵列半导体激光器,在频率100Hz,脉冲宽度200μs,占空比达20%时,单阵列条的输出光功率室温下达到37W。 相似文献
378.
4H-SiC同质外延生长及Ti/4H-SiC肖特基二极管 总被引:2,自引:0,他引:2
利用台阶控制外延生长技术在偏晶向Si-面衬底上进行了4H-SiC的同质外延生长研究,衬底温度为1500℃,在厚度为32μm、载流子浓度为2~5×1015cm-3的外延材料上制备出了反向阻塞电压大于1kV的Ti/4H-SiC肖特基二极管,二极管的正向与反向电流的整流比(定义偏压为±1V时的电流比值)在室温下超过107,在265℃的温度下超过102,在20~265℃的温度范围内,利用电流电压测量研究了二极管的电学特性,室温下二极管的理想因子和势垒高度分别为1.33和0.905eV,开态电流密度在2.0V的偏压下达到150A/cm2,比开态电阻(Ron)为7.9mΩ·cm2,与温度的关系遵守Ron~T2.0规律. 相似文献
379.
建立了一种可同时测定多种浓缩果汁中噻菌灵(TBZ)和多前灵(MBC)残留量的固相萃取-高效液相色谱分析法(SPE-HPLC).浓缩果汁样品与水按一定比例稀释后.经调整pH值(10.0).离心,过滤后,用混合相同相萃取小柱进行提取、净化.最后用配有二级管阵列检测器(DAD)的液相色谱仪检测,外标法定量.加入回收率实验结果证明.该方法对噻菌灵和多菌灵的检出限均为0.01 mg·L~(-1),回收率分别为75.7%~102.1%和80.2%~105.5%,测定的相对标准偏差均≤6.0%. 相似文献
380.