2,4-二硝基苯肼与非醛、酮化合物反应的探讨

2, 4-二硝基苯肼是重要的羰基试剂, 可以与醛、酮和酮酸发生反应, 生成黄色或红色固体。但是, 我们通过大量的实验, 发现有些非醛、酮化合物也能与2, 4-二硝基苯肼发生反应, 生成黄色或砖红色固体。因此, 在与2, 4-二硝基苯肼发生反应时, 得到阳性结果的, 不一定是醛、酮, 而得到阴性结果的肯定不是醛、酮。对于这类问题, 在有机化学教学中应该引起重视, 特别是讨论醛、酮检验方法时,要给予适当的解释。     

基于纹影法的气体温度场可视化系统的设计

纹影法是介质折射率变化可视化的实用方法.本文基于分束镜等光学器件设计了一种新的折叠式纹影光路,可改善传统光路的低清晰度问题,同时利用光线的正入射消除了重影干扰.利用热风拆焊台出风口热流进行定标实验,获得纹影图像灰度值的差值与温度的函数关系,并利用纹影图像绘制灰度三维图像,实现了气体温度场可视化处理,提供了一种非接触测量气流温度与温度场摄像系统的测量方案.     

808nm大孔径垂直腔面发射激光器研究

垂直腔面发射激光器(VCSEL)中的载流子聚集效应使注入到有源区的工作电流只是通过边缘环形区域很窄的通道,激光功率密度分布不均匀;尤其当器件尺寸较大时,激射光斑呈现环状,环中间光强很弱.这是研制电抽运高功率大尺寸VCSEL尤为突出的技术难题.采用新型结构成功研制出808 nm波段高功率大孔径VCSEL,在注入电流为1A时,室温下连续输出功率达0.3 W. 关键词： 半导体激光器 垂直腔面发射激光器 高功率 大孔径     

多芯片半导体激光器光纤耦合设计

应用ZEMAX光学设计软件模拟了一种多芯片半导体激光器光纤耦合模块,将12支808nm单芯片半导体激光器输出光束耦合进数值孔径0.22、纤芯直径105μm的光纤中,每支半导体激光器功率10 W,光纤输出端面功率达到116.84W,光纤耦合效率达到97.36%,亮度达到8.88MW/(cm2·sr)。通过ZEMAX和ORIGIN软件分析了光纤对接出现误差以及单芯片半导体激光器安装出现误差时对光纤耦合效率的影响,得出误差对光纤耦合效率影响的严重程度从大到小分别为垂轴误差、轴向误差、角向误差。     

磷离子注入速率对4H-SiC(0001)晶格恢复与电阻率降低的影响

高剂量的磷离子注入4H-SiC(0001)晶面，注入速率从1.0×1012到4.0×1012 P+ cm-2s-1变化，而注入剂量固定为2.0×1015 P+ cm-2。室温注入，1500oC的高温下退火。利用光荧光和拉曼谱分析注入产生的晶格损伤以及退火后的残余缺陷。通过霍耳测试来分析注入层的电学性质。基于上述测试结果，发现通过减小磷离子的注入速率，极大地减少了注入层的损伤及缺陷。考虑到室温注入以及相对较低的退火温度(1500 oC)，在注入速率为1.0×1012 P+ cm-2s-1及施主浓度下为4.4×1019 cm-3的条件下，获得了非常低的方块电阻106 Ω/sq。     

节能型温室大棚群集中供热智能监控管理系统

为了能够自动调节温室大棚内空气和土壤的温度,采用并联按需供热方式设计了温室大棚群的供热系统,同时,设计了具有三层管理结构的集中供热监控管理系统,主要由温度监控节点、大棚总节点和锅炉房管理中心组成。温度监控节点利用传感器Pt100采集散热箱管道内热水的温度,然后通过ZigBee无线网络发送到大棚总节点,再根据预设的温度,控制风扇的工作状态和管道控制阀来调节棚内的温度和管道换水操作。大棚总节点利用热能表计算流入棚内的热量,再将整个大棚内的温度数据处理后,通过CAN总线发送到锅炉房的计算机上。测试结果表明,设计的系统工作稳定可靠,大大提高了供热效率和自动控制水平,整个大棚内各角落的温度差小于0.5℃,为精细化和智能化农业发展提供了强有力的技术保障。     

GaAs半导体表面的等离子氮钝化特性研究

采用射频(RF)等离子方法,对Ga As样品进行了150 W高功率等离子氮钝化及快速退火处理。经过该方法钝化后的样品,光致发光(PL)强度上升了91%。XPS分析得出,Ga As样品表面的氮化效果随着氮等离子体功率的增加而逐渐趋于明显。氮化后的样品表面未发现氧化物残余。样品在空气中加热放置30 d,PL强度下降不明显,说明表面钝化层具有良好的稳定性。     

用计算机演示并检测金属的线膨胀系数

本文介绍了一种用计算机对金属线膨胀系数进行演示与检测的一种新方法     

润湿性梯度表面凝结水量研究

本文对润湿性梯度固体表面在空气中的自然冷凝结露特性进行了研究。研究结果表明,润湿性梯度的方向对结露有重要影响。当润湿性增加的方向与重力方向一致时,润湿性梯度表面具有很好的结露强化作用,与通常的均匀疏水或均匀亲水表面相比单位时间内的结水量明显提高;反之,润湿性梯度表面则会抑制结露。     

Strain-Engineered Low-Density InAs Bilayer Quantum Dots for Single Photon Emission

We investigate the growth of strain-engineered low-density 1hAs bilayer quantum dots （BQDs） on GaAs by molecular beam epitaxy. Owing to increasing dot size and In composition of the upper QDs, low-density BQDs in a GaAs matrix with an emission wavelength up to 1.4 μm at room temperature are achieved. Such a wavelength is larger than that of conventional QDs in a GaAs matrix （generally of about 1.3μm）. The optical properties of the BQDs are sensitive to annealing temperature used after spacer layer growth. Significant decrease of integrated PL intensity is observed as the annealing temperature increases. At 10 K, single photon emission from the BQDs with wavelength around 1.3μm is observed.