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101.
外光反馈下的半导体激光器可视为混沌载波发射机.数值研究发现,外部强光注入可以显著提高混沌载波发射机的带宽,带宽提高的程度在一定范围内与注入光的强度成正比.当外部光注入系数kinj=0.39时,混沌载波的带宽由无光注入时的2.7GHz增大到14.5GHz,提高了5倍多.研究还发现,在相同的注入强度条件下,当注入光的频率比半导体激光器的中心频率高2—4GHz时,可实现最大限度的带宽增强.此外,适当提高半导体激光器的偏置电流也可以在一定程度上提高其产生的混沌载波的带宽.
关键词:
半导体激光器
混沌
带宽 相似文献
102.
生长温度对In0.53Ga0.47As/InP的LPMOCVD生长影响 总被引:3,自引:0,他引:3
利用LPMOCVD技术在InP衬底生长了InxGa1-xAs材料,获得表面平整.光亮的In0.53Ga0.47As外延层。研究了生长温度对InxGa1-xAs外延层组分、表面形貌、结晶质量、电学性质的影响。随着生长温度的升高,为了保证铟在固相中组分不变,必须增加三甲基铟在气相中的比例。在生长温度较高时,外延层表面粗糙。生长温度在630℃与650℃之间,X射线双晶衍射曲线半高宽最窄,高于或低于这个温度区间,半高宽变宽。迁移率随着生长温度的升高而增加,在630℃为最大值,然后随着生长湿度的升高反而降低。生长温度降低使载流子浓度增大,在生长温度大于630℃时载流子浓度变化较小。 相似文献
103.
非局部变分修复法去除高密度椒盐噪声 总被引:1,自引:0,他引:1
分析了中值滤波及其改进型算法在处理高密度椒盐噪声时效果不理想的原因,采用变分修复方法来去除高密度椒盐噪声,基于现有的全变差修复模型提出了非局部全变差修复模型。该模型利用椒盐噪声特点(均匀分布、灰度值为0或255),将噪声点看成是图像中遗失或是破损的点,首先在图像中寻找与噪声点邻域相似的区域,将相似区域的中心像素作为噪声点新的邻域然后对其插值,把图像降噪问题转化为图像修复问题,从而达到去除高密度噪声的目的。实验结果表明:该模型对噪声密度为90%的彩色和灰度图像去噪后,其峰值信噪比为22.85和28.77,在客观评价标准方面优于中值滤波及其改进型算法。该模型能有效去除高密度下的椒盐噪声并较好地恢复图像细节,为图像去除高密度噪声提供了一种新的途径。 相似文献
104.
氩、氢混合等离子体处理对GaAs表面性质及发光特性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了一种氩、氢混合等离子体清洗GaAs基片的实验工艺,深入研究了氩、氢等离子体清洗GaAs表面污染物和氧化层,并活化表面性能的基本原理,同时讨论了气体流量、溅射功率和清洗时间等不同溅射参数对等离子体清洗效果的影响。结果表明,在氩气和氢气流量分别为10 cm3/min和30 cm3/min,溅射功率为20 W,清洗时间为15 min的条件下,GaAs样品的光致发光强度提高达139.12%,样品表面的As-O键和Ga-O键基本消失。 相似文献
105.
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110.
WCZ—1型微机自动盘的设计与应用清江无线电总厂庄彦钦,凌玮,谌梅英利用电力线载波完成远程载波通讯是电力调度主要通讯方式,这种通讯方式将会在很长一段时期起着主渠道作用。因而作为通讯用的载波机将会更加得到重视和发展。随着电力工业的发展、电力通讯网的规模... 相似文献