涡发生器对高超声速轴对称进气道外部流动的影响

采用三维CFD黏性模拟考察涡发生器对高超声速轴对称进气道外部流动的影响.针对前缘钝化半径0.8 mm和3.2 mm的轴对称进气道外部流场,以涡发生器高度与当地位移边界层厚度比值为影响参数,考察流场结构与性能参数的影响规律.结果表明,涡发生器产生的干扰波系使得前缘激波向外偏移,下游近壁面流动与主流区出现明显的交换,下游流动出现明显的展向非均匀性.涡发生器对流动的影响沿流向逐渐减弱.在气流压缩性能方面,涡发生器下游压比、动压比沿流向开始增大,随后逐渐恢复到无涡发生器工况;Mach数、总压恢复系数开始降低,随后逐渐向无涡发生器工况趋近.涡发生器高度与当地位移边界层厚度的比值h可作为衡量其影响的重要参数.当h≤1.5时,进气道流场结构、性能参数的变化几乎可忽略,h≤3.0时进气道入口处性能参数几乎能够恢复到无涡发生器工况.      

基于嵌入式计算机和Ethernet的分布式波控系统

介绍一种基于嵌入式计算机和以太网(Ethernet)的相控阵雷达分布式波控系统。整个波控系统以数个嵌入式计算机为核心，通过以太网与雷达的控制计算机通讯。     

快速溶剂萃取-凝胶渗透色谱净化-气相色谱-质谱法测定土壤中11种半挥发性有机物

建立了快速溶剂萃取–凝胶渗透色谱净化–气相色谱–质谱法测定土壤中11种半挥发性有机物的分析方法。取样量为10.0 g,萃取溶剂为丙酮–二氯甲烷(体积比为3∶7),使用凝胶渗透色谱净化,气相色谱–质谱仪进行测定。11种半挥发性有机物的质量分数在0.1-5 mg/kg的范围内,相对响应因子的相对标准偏差小于15%,方法的检出限为0.04-0.06 mg/kg,当加标量为0.25、0.5、1 mg/kg时,测定结果的相对标准偏差分别为4.8%-13.7%、3.8%-9.5%、3.4%-10.8%(n=6),加标回收率为55%-110%。该方法适用于土壤中11种半挥发性有机物的检测。     

YGG:Cr~(3+)晶体的光谱特性

本文通过实验研究了YGG:Cr~(3+)晶体的光谱特性,报道了室温下的吸收谱,10,133,300K的荧光谱,以及荧光寿命、无辐射跃迁几率、辐射量子效率与温度之间的依赖关系。从吸收谱及荧光谱中确定在C_(3i)(S_6)低对称场微扰下,Cr~(3+)离子在基质YGG中~2T_1能级分裂的子能级及基态~+A_2~2E零声子跃迁R线的位置。     

3-取代酚酮5位偶联产物的溴氧化成环反应

报道了采用溴氧化3-异丙烯基(艹卓)酚酮和3-肉桂酰基(艹卓)酚酮合成杂环并(艹卓)酮化合物的新方法。3-异丙烯基(艹卓)酚酮5位偶联产物1a～1f和3-肉桂酰基(艹卓)酚酮5位偶联产物3a～3d分别在吡啶介质中与过量溴作用生成5-取代苯偶氮基-7-溴-3-甲基-8-氢环庚并呋喃-8-酮2a～2f和6-取代苯偶氮基-2-苯基-8-溴-4,9-二氢环庚并吡喃-4,9-二酮4a～4d。     

一种复合型图像加减滤波器

介绍了一种复合型图像加减滤波器，该元件是由Ｒｏｎｃｈｉ光栅和离轴Ｆｒｅｓｎｅｌ波带板复合而成，它的透射率函数是Ｒｏｎｃｎｉ光栅和Ｆｒｅｓｎｅｌ波带板两透射率函数的逻辑异或。用作图像加减时具有光路简单、调节方便、处理的面积大等优点。讨论了用这种滤波器作图像加减的原理，介绍了元件的制作方法．并给出了实验结果。     

关于有线电视服务工作的探讨

服务对于现代企业越来越重要，对于以服务为主的有线电视行业来说更是如此。服务的核心是顾客满意度，在顾客满意的基础上，要与时俱进深化服务理念，为广大的客户提供优质的服务。     

时间依赖的混合型网络的分布式路由协议

提出了时间依赖的混合型网络模型(HTDN 模型),有效地描述了网络中链路权值随时间变化的特性,并且网络中的节点可以采用不同的等待策略;并给出了 HTDN 模型的路径优化理论。在此基础上设计了有效的分布式路由协议 DMDRP,能计算出 HTDN 模型中所有节点对之间的最短延时路径,并证明了协议的正确性。最后通过仿真试验,给出了 DMDRP 协议与传统路由方案的性能对比分析。     

Doping in the Mixed Layer to Achieve High Brightness and Efficiency Organic Light Emitting Devices

Doping in the mixed layer was introduced to fabricate high brightness and high efficiency organic light emitting devices.In these devices,a copper phthalocyanine(CuPc) film acts as the buffer layer,a naphthylphenybiphenyl amine (NPB) film as the hole transport layer and a tris(8-hydroxyquinolinolate) aluminium (Alq3) film as the electron transport layer.The luminescent layer consists of the mixture of NPB,Alq3( to be called the mixed layer),and an emitting dopant 5,6,11,12-petraphenylnaphthacene (rubrene),where the concentration of NPB declined and the concentration of Alq3 was increased gradually in the deposition process.Adopting this doping mixed layer,the device exhibits the maximum emission of 49300cd/m^2 at 35V and the maximum efficiency of 7.96cd/A at 10.5V,which have been improved by two times in comparison with conventional doped devices.We attribute this improvement to the effective confinement of carriers in the mixed layer,which leads to the increase of the recombination efficiency of carriers.     

一种高性能双极型模拟开关

介绍了一种高性能双极型模拟开关，包括它的电路组成、工作原理及其主要特点。