高阻碲锌镉单晶体的生长及其性能观测

报道了采用富Cd原料的无籽晶垂直布里奇曼法生长高阻碲锌镉Cd0.8Zn0.2Te(CZT)单晶体的新工艺,对所生长的晶体作了X射线衍射分析、红外透过率测试、光吸收截止波长测量及电学性能测试.晶体在4400～450cm-1范围内的红外透过率达到50%,截止吸收波长为787.6nm,带隙为1.574eV,室温电阻率达到2×1010Ω·cm,已接近本征Cd0.8Zn0.2Te半导体的理论值.用该晶体制作的核探测器在室温下对241Am和109Cd放射源均有响应,并获得了比较好的241Am-59.5keV吸收谱.结果表明改进的方法是一种生长室温核辐射探测器应用的高阻CZT单晶体的简便有效的新方法.     

无铅电子钎料合金蠕变性能研究

设计制作了一种简单可靠的弯折蠕变测量装置,比较了两种无铅电子钎料合金Sn-9Zn和Sn-3.5Cu-0.7Ag与传统电子钎料合金Sn-40Pb的常温蠕变性能,以及冷却条件对其蠕变强度的影响。结果表明:两种无铅钎料的抗蠕变性能大大优于传统锡铅钎料;Sn-3.5Ag-0.7Cu合金的抗蠕变性能优于Sn-9Zn合金;冷却速率对Sn-9Zn合金和Sn-3.5Ag-0.7Cu合金组织的影响类似,然而对蠕变强度的影响却相反:水冷使两种合金的组织相对于空冷都明显细化,Sn-9Zn合金的蠕变强度因之降低,而Sn-3.5Ag-0.7Cu合金的蠕变强度却因之提高。对可能产生的原因进行了讨论。     

不确定度理论在虚拟仪器测量系统中的应用

阐述了虚拟仪器系统不确定度评定的方法,以基于虚拟仪器的光辐射测试系统为例,分析了该系统的不确定度来源,应用GUM的不确定度传播规则及不确定度A类、B类评定的方法实现了对光辐射测试系统的不确定度的评定,最后给出了系统的测量结果、误差及不确定度.经评定系统精度高,误差小,该系统不仅可作为检测器,也可作为标准器进行量值传递.此测量不确定度评定方法可解决评估虚拟仪器的测量不确定度的问题.     

一种针对图像脉冲噪声的改进中值滤波算法

针对中值滤波算法在图像脉冲噪声处理中存在的不足,提出一种新的改进中值滤波算法.该方法根据噪声图像的极值和像素点滤波窗口的局部信息对滤波窗口内像素点(含待处理像素点)是否为噪声点进行判断,剔除滤波窗口内的噪声点,然后根据新的滤波窗口及待滤波的中心像素点灰度值信息进行滤波操作.以迭代的方法更新噪声图像中的每个像素点,从而去除图像中的脉冲噪声.实验结果表明,与传统中值、加权中值、多级中值滤波方法相比,该方法能有效去除图像中的脉冲噪声,并保持图像细节特征完整.     

网络处理器的线程级并行技术研究

线程级并行技术能有效的提高微处理器内核的资源利用率，是目前高性能微处理器研究的重点内容。文章分析了网络处理器的线程级并行技术中存在的几个关键问题，结合网络协议处理的特征提出了一种适合于网络协议处理的混合多线程结构。并将其成功应用于网络协议处理微引擎NRS05的设计中，最大程度的提高了网络处理器的分组吞吐率。     

铒镱共掺波导放大器的增益特性

在忽略放大自发辐射(ASE)及均匀掺杂和稳态的情况下,在初始能量转移效率的基础上从速率方程和传输方程出发,推导出了用于分析铒镱共掺波导放大器(EYCDWA)的新公式.利用这些公式分析了泵浦光功率、信号光功率、掺杂浓度、波导长度对放大器增益特性的影响,并与单掺铒波导放大器(EDWA)进行了比较,得到了一些具有实用价值的模拟结果.     

光纤带几何尺寸控制的探刨

随着光纤带光缆生产工艺的不断完善,国内外公司对各种大芯数光纤带光缆结构进行了优化设计,这对光纤带质量的重要指标之一—几何尺寸提出了更高的要求。本文对光纤带的几何尺寸作了简要介绍,详细讨论了在光纤带生产过程中,光纤带几何尺寸的影响因素及其控制点。同时也介绍了我公司生产的高品质光纤带的几何结构特性。     

IP网带宽测量技术研究与进展

网络带宽表征网络传输信息的能力,是衡量网络服务质量的重要指标.本文在分析IP网带宽测量的重要作用及其技术分类的基础上给出了链路/路径带宽、可用带宽、批量数据传输能力等测度定义,系统总结了当前最具代表性的各种IP网带宽测量技术,剖析了它们的内在机理及各自优缺点,同时介绍了多种对应的开源带宽测量工具,并对影响带宽测量收敛速度、准确度的因素进行了讨论,最后对带宽测量的应用前景和研究趋势进行了展望.     

基于GaN HEMT的0.8～4 GHz宽带平衡功率放大器

基于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)技术,研制了在0.8 ～4 GHz频率下,输出功率大于50 W的宽带平衡式功率放大器.采用3 dB耦合器电桥构建平衡式功率放大器结构;采用多节阻抗匹配技术设计了输入/输出匹配网络,实现了功率放大器的宽带特性;采用高介电常数Al2O3基材实现了小型化功率放大器单元;采用热膨胀系数与SiC接近的铜-钼-铜载板作为GaN HEMT管芯共晶载体,防止功率管芯高温工作过程中因为热膨胀而烧毁.测试结果表明,在0.8～4 GHz频带内,功率放大器功率增益大于6.4 dB,增益平坦度为±1.5 dB,饱和输出功率值大于58.2W,漏极效率为41％ ～62％.     

随机周期序列☆错线性复杂度的期望上界

周期序列的k错线性复杂度是衡量流密码系统的安全性能的一个重要指标。本文给出了周期序列k错线性复杂度上界的一个更强的结果,从而给出了几种不同情形下随机周期序列k错线性复杂度的期望的上界。特别地,还给出了周期N=pv,随机周期序列满足一定条件时1错线性复杂度的期望更紧的结果。