La0.5>RE0.3Sr0.2FeO3－δ (RE = Nd、Ce、Sm)体系双稀土阴极材料的制备与电性能

采用甘氨酸-硝酸盐法(GNP)合成了La0.5RE0.3Sr0.2FeO3－δ(RE=Nd、Ce、Sm)系列复合氧化物粉体. 用X射线衍射(XRD)和TG-DSC分析了样品钙钛矿物相的形成过程, 用Archimedes排水法测量体积密度并计算烧结样品的相对密度, 用四端子技术测量电导率. 结果显示, 掺Nd的样品1200 ℃烧结2 h成为单一立方钙钛矿结构, 掺Ce样品有明显的CeO2立方相析出, 掺Sm样品主相为钙钛矿结构伴有微弱的杂峰. 1250 ℃烧结2 h的La0.5Nd0.3Sr0.2FeO3－δ在600 ℃时电导率高达100 S•cm-1以上, 明显高于La0.5Ce0.3Sr0.2FeO3－δ及La0.5Sm0.3Sr0.2FeO3－δ样品的电导率, 预示着La0.5Nd0.3Sr0.2FeO3－δ可能是一种良好的中温固体氧化物燃料电池(SOFC)阴极材料.     

离子交换树脂负载Pd-Cu双金属催化剂的制备及其对硝酸盐的催化脱除作用

采用阴离子交换树脂(AIER)为载体.以络合剂EDTA为媒介物,制备了Pd-Cu双金属负载性型催化剂;以H2为还原剂,将催化剂应用于水介质中NO3-还原为N2的脱除反应;考察了双金属催化剂组成、载体阴离子交换树脂的性质及水介质中NaCl存在对还原脱除反应的影响规律.研究结果表明,凭借阴离子交换树脂对EDTA强烈的吸附作用及EDTA对金属离子的强螯合作用,可将大量的金属离子(Cu2 与Pd2 )结合到树脂表面,再通过水合肼的还原作用,可制得金属负载量高且结合程度牢的双金属负载性型催化剂Pd-Cu/AIER.在单纯含有硝酸盐的水溶液中,在催化剂Pd-Cu/AIER的作用下,NO3-只能被还原为NH4 ,不能还原为N2;水介质中大量氯离子的存在,能大大促进NO3-转变为N2的还原反应;载体阴离子交换树脂的碱性越弱,最终制得的催化剂活性与选择性越差.     

In_(0.5)Ga_(0.5)P/GaAs二维空穴气p沟异质结场效应管

提出了一种新颖的 Ga As基 p沟异质结场效应管 (p HFET)概念 ,器件采用了 In0 .5Ga0 .5P/ Ga As异质系统及二维空穴气 (2 DHG)原理以改善 Ga As的空穴输运特性。据此原理研制的器件可在室温下工作 ,其实验结果为 :室温下 ,饱和电流 Idss=6 1m A/ mm,跨导 gm=4 1m S/ mm;77K下 ,饱和电流 Idss=94 m A/ mm,跨导 gm=6 1m S/ mm。预计该器件在微波和数字电路中极佳的电流密度及高频增益 ,因而具有良好的应用潜力。     

双光子激发的超分子聚合物纳米颗粒生物成像研究

将具有双-2-脲基-4[1H]-嘧啶酮（bisUPy）的β-二羰基氟硼类衍生物（BF₂-bisUPy）及卟啉衍生物（Por（Pt）-bisUPy）通过四重氢键作用组装成超分子聚合物,通过微乳液法制备成在水中均匀分散的超分子聚合物纳米颗粒（SPNP）。扫描电子显微镜形貌表征表明获得的纳米颗粒粒径约为60 nm。紫外-可见吸收光谱、荧光发射光谱及寿命衰减实验均证明纳米颗粒内BF₂-bisUPy与Por（Pt）-bisUPy可发生高效的能量传递。具有双光子吸收的BF₂-bisUPy作为能量供体,可通过荧光共振能量传递（FRET）增强双光子激发下Por（Pt）-bisUPy的发光。双光子激发荧光强度与激光功率测试表明所制备的超分子聚合物纳米颗粒具有强烈的双光子激发下的荧光及磷光双发射,这种纳米材料可进入细胞,具有优秀的生物相容性,并在双光子激发时表现出强烈的荧光和磷光双发射生物成像。     

超微镍粉的微乳液法制备研究

采用水（溶液）／二甲苯／SDS／正戊醇反相微乳液体系,用水合肼还原硫酸镍制备了纳米级（15－100nm)镍微粒,采用XRD、TEM等法对产物进行了鉴定与表征,考察了微乳液体系诸构成因素对纳米级镍制备的影响规律。     

温度对牛胶原聚集态的影响

本研究采用酶解法制备了牛胶原。分别用粘度法、紫外分光光度计、红外光谱和原子力显微镜分析方法,考察了不同温度下胶原的物理化学特性。实验结果表明:粘度法和紫外分光光度计测定的胶原溶液的变性温度约为38℃;红外光谱测定表明,随着温度的提高,胶原膜在1650cm-1的吸收峰减弱;原子力显微镜实验表明了在40℃时牛胶原分子由螺旋结构的长链断裂为小链段和一些小碎片,说明此方法制备的胶原在40℃以上其三股螺旋结构将被破坏。     

InP基共振遂穿二极管器件（RTD）研究

我们在实验中对InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管（RTD）材料结构进行了优化设计,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。我们采用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。并在室温下测试了器件的电学特性：峰值电流密度24.6kA/cm2,峰谷电流比(PVCR)为8.6。     

硫化铵表面处理对GaAs HEMT/PHEMT器件性能的改善

利用硫化铵溶液对GaAs HEMT/PHEMT器件进行表面硫化处理,并利用硫酸锌溶液进行固化;相对于传统的氨水表面处理,经过此处理的器件获得了更高的直流脉冲比,并保持相当高的击穿电压。分析表明,这样的改善来源于表面硫化处理对砷化镓表面态能级的抬高。     

聚丙烯酸类pH敏感水凝胶

通过共聚制得聚丙烯酸 ｃｏ 丙烯腈水凝胶和聚丙烯酸 ｃｏ 甲基丙烯酸水凝胶 ,研究了它们在恒温下不同ｐＨ时的溶胀率 ,以及在恒定ｐＨ时 ,交联剂、单体浓度对它们溶胀率的影响。Ｐｏｌｙ(ａｃｒｙｌｉｃａｃｉｄ) ｃｏ (ａｃｒｙｌｏｎｉｔｒｉｌｅ)ｈｙｄｒｏｇｅｌｓａｎｄｐｏｌｙ(ａｃｒｙｌｉｃａｃｉｄ) ｃｏ (ｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌｉｃａｃｉｄ)ｈｙｄｒｏｇｅｌｓｗｅｒｅｐｒｅｐａｒｅｄｔｈｒｏｕｇｈｔｈｅｃｏ ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ .Ａｎｄｓｗｅｌｌｉｎｇｒａｔｉｏｏｆｔｈｅｍｗｅｒｅｓｔｕｄｉ…     

2~26GHzGaAs单片功率放大器

报道了一个具有低噪声性能的2~26GHz GaAs超宽带单片功率放大器的研究结果,介绍了模型提取、电路设计和单片制作的全过程.放大器采用分布式设计,在超宽带频率范围内增益为6.5±0.5dB,输入输出驻波比小于2.0.在2~20GHz内测得输出功率大于300mW,噪声系数为3.5~5.5dB.单片放大器包括所有匹配、隔直及偏置电路,芯片面积为3.2mm×1.275mm×0.1mm.