In0.5Ga0.5P/GaAs二维空穴气p沟异质结场效应管

提出了一种新颖的GaAs基p沟异质结场效应管（pHFET）概念,器件采用了In0.5Ga0.5P/GaAs异质系统及二维空穴气（2DHG）原理以改善GaAs的空穴输运特性,据此原理研制的器件可在室温下工作,其实结果为：室温下,饱和电流Idss=61mA/mm,跨导gm=41mS/mm,77K下,饱和电流Idss=94mA/mm,跨导gm=61mS/mm,预计该器件在微波和数字电路中极佳的电流密度及高频增益,因而具有良好的应用潜力。     

GaAs功率单片脉冲在片测试技术研究

讨论了功率单片在片脉冲测试中在片校准技术、脉冲功率测试技术等难题,并在讨论以上问题的基础上,实现工程化应用,该测试技术能够有效覆盖至40GHz。在建立的脉冲大功率在片测试系统上对输出功率典型值5W的GaAs功率单片放大器进行测试验证,测试结果和装架测试结果相比较,输出功率误差<0.2dB。     

用改进的遗传算法精确提取GaAs MESFET小信号等效电路参数

提出了一种改进的遗传算法,应用于提取GaAs MESFET小信号等效电路参数.改进的算法采用浮点编码连续突变,多种遗传操作合作运行,并应用子代优化策略克服了传统遗传算法可能出现的种群退化现象,该算法可快速搜索到全局最优解而不受初始值限制.在0.1～10GHz范围内实现了精确、快速地提取GaAs MESFET小信号等效电路参数,并可合理外推至20GHz,整个过程无需人工干预.算法用Matlab语言实现,可方便地应用于HBT和HEMT以及无源元件电容、电感的参数提取.     

GaAs高温栅全离子注入平面工艺及GaAs数字二分频器

介绍了一种适用于砷化镓数字电路的Bp—SAG工艺。在该工艺基础上研制的GaAs数字二分频电路,最大工作频率达到2.25GHz,等效门延迟为92ps。     

用改进的遗传算法精确提取GaAs MESFET小信号等效电路参数

提出了一种改进的遗传算法 ,应用于提取 Ga As MESFET小信号等效电路参数 .改进的算法采用浮点编码连续突变 ,多种遗传操作合作运行 ,并应用子代优化策略克服了传统遗传算法可能出现的种群退化现象 ,该算法可快速搜索到全局最优解而不受初始值限制 .在 0 .1～ 1 0 GHz范围内实现了精确、快速地提取 Ga As MESFET小信号等效电路参数 ,并可合理外推至 2 0 GHz,整个过程无需人工干预 .算法用 Matlab语言实现 ,可方便地应用于 HBT和HEMT以及无源元件电容、电感的参数提取     

不同退火氛围对TiN/HfO2/SiO2/Si结构电荷分布的影响

热退火技术是集成电路制造过程中用来改善材料性能的重要手段。系统分析了两种不同的退火条件(氨气氛围和氧气氛围)对TiN/HfO₂/SiO₂/Si结构中电荷分布的影响,给出了不同退火条件下SiO₂/Si和HfO₂/SiO₂界面的界面电荷密度、HfO₂的体电荷密度以及HfO₂/SiO₂界面的界面偶极子的数值。研究结果表明,在氨气和氧气氛围中退火会使HfO₂/SiO₂界面的界面电荷密度减小、界面偶极子增加,而SiO₂/Si界面的界面电荷密度几乎不受退火影响。最后研究了不同退火氛围对电容平带电压的影响,发现两种不同的退火条件都会导致TiN/HfO₂/SiO₂/Si电容结构平带电压的正向漂移,基于退火对其电荷分布的影响研究,此正向漂移主要来源于退火导致的HfO₂/SiO₂界面的界面偶极子的增加。     

MOCVD前驱物Fe(DPM)3的制备与性能表征

以FeCl₃和四甲基庚二酮(HDPM)为原料，在醇/水混合溶剂中合成β-二酮金属有机化合物Fe(DPM)₃。利用红外吸收光谱、元素分析、原子吸收光谱、差热-热重和质谱分析等技术，分析了Fe(DPM)₃的结构、纯度、热稳定性、挥发性以及热分解机理。结果显示，合成的Fe(DPM)₃在空气气氛和氮气气氛下均具有良好的挥发性，气化失重率达到98%以上，空气气氛中氧的存在对Fe(DPM)₃的气化和分解具有一定的促进作用；质谱分析结果表明：在Fe(DPM)₃的分解过程中，首先有一个DPM配体解离，然后在剩余两个DPM配体中先解离出-C(CH3)₃基团，随后分裂出剩下的-OCCH₂COC(CH₃)₃基团，最后得到+Fe(DPM)碎片。本文同时以新合成的Fe(DPM)₃作为前驱物，采用气溶胶辅助的金属有机化学气相沉积(Aerosol Assisted MOCVD，AA-MOCVD)技术在α-Al₂O₃衬底上成功沉积制备了α-Fe₂O₃薄膜。     

旁栅效应对GaAs MESFET数字IC设计的影响

研究了不同旁栅电极结构、不同旁栅电极取向对旁栅阈值特性的影响，并研究了旁栅阈值的光敏特性．结果表明：半绝缘衬底中的电子和空穴陷阱是旁栅效应及其光敏特性的主要原因，Ti/Au/Ti布线金属做旁栅电极具有最好的旁栅阈值特性，Au/Ge/Ni/Au欧姆接触和Ti/Pt/Au/Ti栅金属的旁栅阈值特性相似，三者都有明显的光敏特性．上述结果为GaAs MESFET数字集成电路版图设计规则的制定提供了可靠依据．     

有线电视网的拓展——调频广播

农村有线广播原有线路传输音质差、故障多、不安全、成本高，因此入户率和通向率逐年降低，现在利用“村村通”的良好契机，与有线电视网共缆传输调频广播就可以从根本上解决这个问题。     

新型含磺酸基Schiff碱型液晶化合物的合成与表征

对羟基苯甲醛与对氨基苯磺酸经缩合反应制得Schiff碱化合物(1).对羟基苯甲酸经醚化、酯化、酰氯化后再与1完成酯化反应合成了新型含磺酸基Schiff碱型液晶化合物--[4-(对磺酸苯亚胺基)甲苯基]-4-(ω-甲基丙烯酸乙氧基酯)-苯甲酸酯(5),其结构经1H NMR和IR表征.偏光显微镜与DSC检测结果表明,5具有近晶A型液晶特性,液晶变化范围189.45 ℃～267.65 ℃.