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71.
选用30个结构多样的caM抑制剂分子作为数据集,采用多元线性回归(MLR)方法及主成分回归分析(PCA)方法对每个化合物的194个分子参数进行回归分析,分别建立了各自的最优预测模型.结果表明:多元线性回归分析方法所建模型与主成分回归所建模型相对比,发现逐步筛选法为最优建模方法?该方法所建模型统计结果良好(R2=0.952,SEE为0.289),应用于检验集时结果也比较令人满意(R2=0.941,SEP为0.295),模型表现出较强的可靠性和预测性.  相似文献   
72.
SO2在Fe2O3颗粒表面不同温度下非均相反应的实验模拟   总被引:2,自引:0,他引:2  
使用漫反射Fourier变换红外光谱(DFTIRS)、离子色谱(IC)及透射电子显微镜(TEM)对不同温度条件下SO2在α-Fe2O3颗粒表面的非均相反应过程进行实验模拟和监测,并分析了反应剧烈波段(8.7μm)的产物硫酸盐以及颗粒吸收和后向散射光学系数的变化.结果表明,在15-45℃内,硫酸盐生成量、生成速率以及吸收系数、后向散射系数都随反应温度的升高而呈现先增加后减少的趋势;同一反应温度下,硫酸盐生成速率随时间呈现先增大后减小,最后逐渐趋于稳定的演变;光学系数变化与硫酸盐生成量之间存在较好的指数关系.在当前全球气候变暖背景下,研究结果将对深入了解真实大气中SO2与矿尘非均相反应造成的气溶胶光学特性演变,以及定量评估其辐射强迫影响具有一定意义.  相似文献   
73.
钌锡比对Ru-Ir-Sn氧化物阳极涂层性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
应用溶胶凝胶法制备了不同钌锡摩尔比氧化物阳极涂层.SEM,EDX,强化电解寿命,循环伏安和电化学阻抗等测试表明,钌锡摩尔比对阳极涂层的表面形貌以及电化学性能有很大影响.随着钌含量的增加涂层的强化电解寿命呈先增加后降低变化,析氯电位呈先降低后增加;电流效率呈先增加后降低,与其对应的循环伏安电量以及双电层电容值亦呈先增加后减小变化.  相似文献   
74.
种涛  莫建军  郑贤旭  傅华  蔡进涛 《爆炸与冲击》2021,41(5):053101-1-053101-7
开展了(010)、(011)晶向HMX晶体的斜波压缩实验,获得了约15 GPa压力下的速度响应剖面。实验结果表明,HMX单晶存在明显弹塑性转变行为,且速度波形有下降趋势,这是材料的黏性效应导致,材料的弹性极限随着样品厚度增加而变化,不同晶向的材料动力学特性存在差异。结合Hobenemser-Prager黏弹塑性本构关系和三阶Birch-Murnaghan物态方程开展了HMX晶体斜波压缩物理过程的数值模拟,计算结果可以很好地描述HMX晶体的弹塑性转变这一物理过程。  相似文献   
75.
水芋根螨生活史及其生殖行为的研究   总被引:3,自引:1,他引:3  
  相似文献   
76.
在对帧间差分算法进行分析的基础上,建立了基于帧间差分算法的目标探测识别系统,提出了针对该算法的脉冲光干扰方法.在红外干扰光源条件下,针对帧间差分算法特点选择合适的干扰信号脉冲频率实现了对该算法的干扰.实验中,帧间差分算法选取的差频为5Hz,当干扰源的脉冲信号频率与帧间差分算法的差频相比拟(近似相等)时,相干光源和非相干光源实现了对帧间差分算法的干扰.  相似文献   
77.
运用傅里叶变换红外光谱技术对二甲基苯蒽(DMBA)药物致乳腺癌的大白鼠的正常、增生和癌变组织进行了检测.其分析结果表明:大白鼠乳腺正常与癌变组织的红外光谱存在着明显差异.某些特征谱带(如:1745cm-1,1378cm-1,1465cm-1,970cm-1)发生频移,谱带强度发生改变.探讨这些差异为医生进一步研究人乳腺癌变的机理提供了一些依据.  相似文献   
78.
高峰 《电子世界》2013,(20):77-77
本文将量测变换方法运用在配电网自动化系统的状态估计中,并按状态量的不同,分别以电压和支路功率两种状态量结合量测变换法来实现状态估计算法,并对两种算法进行比较分析,得出基于支路功率的配电状态估计算法。此算法具有运算效率高特点,能够更好的满足在线状态估计的实时性要求。  相似文献   
79.
针对欠定非完全稀疏信号的盲源估计问题,提出了一个新颖的盲提取算法。算法融合非完全稀疏信号的盲提取算法和DUET方法,先利用已估计的混叠矩阵计算源信号的提取矢量和源方向的法矢量,再经线性变换更新混叠信号和混叠矩阵,后采用时频掩码方法恢复源信号。几个语音信号的实验显示算法的性能和实用性。  相似文献   
80.
借助于傅立叶光谱仪,在具有耦合光栅的高电子迁移率晶体管中观察到了波长在400um左右的微弱的太赫兹辐射。同时使用了一种调制探测技术,从而使得太赫兹辐射的绝对功率能够被提取计算出来。并且发现器件的太赫兹辐射功率正比于源漏电流,而黑体辐射功率则与器件电功率有密切关系。此外,太赫兹辐射对于源漏偏置电压及栅压的依赖性,说明太赫兹辐射是由加速电子与光栅的相互作用而引起的。  相似文献   
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