肌酸激酶在胍溶液中的变性与失活速度的比较

本文以紫外差光谱、荧光光谱为监测手段测定肌酸激酶的变性与失活过程均为一级反应。在3M胍溶液中,30℃测得的失活速度常数为5.9秒~(-1),变性速度常数为1.9秒~(-1)。1M胍变性时,失活速度常数为4.3秒~(-1),而交性速度常数明显降低为0.04秒~(-1)。0.5M胍变性时,失活为两个一级过程,其速度常数分别为3.6秒~(-1)与0.003秒~(-1),此外酶还保持有3.4％的剩余活力;变性速度常数为0.004秒~(-1)。在0.3M胍中,酶的紫外差吸收及荧光变化都很小,但是60％的活力仍然迅速丧失,最后还保持有30％剩余活力。上述结果表明,酶的活性部位可能比较脆弱。酶分子双体的解聚或盐酸胍的抑制作用也可能引起酶的快速失活。低浓度胍变性时,失活过程的多相性意味着可能存在有部分活力的中间态。     

乳状液膜法制备超细碳酸钙

探讨了不同流动载体的煤油、司本 - 80与碳酸钠水溶液制成的乳状液的稳定性 .考察了外相氢氧化钙水溶液中Ca2 + 浓度、膜相磷酸三丁酯的量及乳水比等因素对Ca2 + 迁移率的影响 .经TEM测定 ,破乳后的沉淀颗粒粒径不超过 10 0nm .     

棕化对超高速材料插入损耗影响

随着信息技术的高速发展，电子产品运算速率也越来越快，印制电路板（PCB）作为传输高速信号的载体，对信号完整性要求越来越高。PCB信号完整性的影响因素主要有PCB产品的叠层设计、材料类型、铜箔类型、PCB加工工艺等。通过对上述影响因素进行实验对比分析，着重分析PCB加工中棕化条件对插入损耗的影响，为后续产品设计及制作提供数据参考与建议。     

本刊加入《中国学术期刊(光盘版)》和“中国期刊网”的声明本刊加入万方数据(ChinaInfo)系统科技期刊群的声明

为适应我国信息化建设需要，扩大作者学术交流渠道，本刊加入《中国学术期刊(光盘版)》和“中国期刊网”。作者著作权使用费与本刊稿酬一次性给付。如作者不同意将文章编入该数据库，请在来稿时声明，本刊将作适当处理。 为了实现科技期刊编辑、出版发行工作的电子化，推进科技信息交流的网络化进程，我刊现已入网“万方数据(ChinaInfo)系统科技期刊群”。所以，向本刊投稿并录用的稿件文章，将一律由编辑部统一纳入万方数据(ChinaInfo)系统，进行因特网提供信息服务。凡有不同意者，请在来稿时声明，本刊将作适当处理。本刊所付稿酬包含刊物内容上网服务报酬，不再另付。 《光谱实验室》编辑部     

社交媒体中的“差序格局”

以移动终端为主要载体的新互联网时代中社交媒体也改变了人与人之间的社会关系。尽管“差序格局”的背景是传统社会中以地缘和血缘维系的人际关系,但这一格局,以及它所带来的思考习惯,已经作为传统文化的一部分,不可避免地由我们继承了下来。在现代化迅猛发展、科技发达的今天,它仍在我们的社交媒体中有所反映。     

物理教科书中STSE教育内容对科学素养的贡献研究

STSE教育内容是科学素养的重要组成部分，是塑造具有科学素养人才的重要方法，也是2017年版普通高中理科课程标准所确立的重点课程目标。教科书作为学生获取知识的主要素材和教学的重要资源，其在一定程度上影响着教师和学生对STSE教育内容的认识与理解，也影响着学生科学素养的达成。为了探究教科书对科学素养的贡献，建立了“科学素养导向的STSE教育模型”,基于该模型建构了STSE教育内容的文本分析框架(包括5个一级维度和17个二级指标)。以人教版高中物理教科书(共六册)作为研究对象，对教科书中STSE教育内容进行了定量与定性相结合的研究，共确定了179个与STSE教育内容相关的陈述。结果表明，该教科书高度强调科学、技术、社会、环境的相互关系，为科学素养的达成提供了重要素材，但也发现五个维度的表征不均衡且部分二级指标有缺失，也存在技术作为应用科学知识论层面的认识。最后，针对研究结果提出了一些建议。     

认知无线传感器网络中能耗有效的协作频谱感测算法

提出了一种新的认知无线传感器网络中能耗有效的协作频谱感测算法。首先,为了降低分布式传感节点的能耗,假定传感节点的瞬时信噪比和平均信噪比已知,分析频谱感测节点的能耗与最优检测门限值之间的数学模型。然后,结合感测节点选择和判决门限设定理论,研究基于判决节点选择的有效协作频谱感测方案。理论分析和仿真结果表明,算法有效地降低了认知传感器网络的节点总能耗,提高了能耗效率。     

退火态Cu膜表面形貌的分形特征

用磁控溅射工艺在Si基片上沉积500nm厚Cu膜,并在不同温度下进行快速退火处理。用扫描电镜（SEM）与原子力显微镜（AFM）观察薄膜表面形貌,并根据分形理论予以定量表征。结果表明：当退火温度T在小于673K范围内增加时,分形维数Dr逐渐减小;而当T增加至773K时,Dr异常增加。本文根据表面扩散、晶粒长大、缺陷形成等机制对其进行了分析。     

磁控溅射Cu膜的织构与残余应力

用磁控溅射工艺在不同沉积温度制备200 nm与2μm厚的Cu膜,并用X射线衍射仪(XRD)与光学相移方法测量薄膜织构与残余应力.结果表明,对于200 nm厚Cu膜,随着沉积温度T增加,晶粒取向组成几乎保持不变,薄膜具有较低拉应力且不断减小;而对于2μm厚Cu膜,随着T增加,Cu<111>/Cu<200>晶粒取向组成比值急剧减小.薄膜具有较大的拉应力且不断减小.根据表面能、应变能及缺陷形成等机制对薄膜残余应力与织构的演化特征进行了分析.